詳解GaN和SiC器件測試的理想探頭
DL-ISO高壓光隔離探頭
DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
GaN 和 SiC 測試的理想探頭
1GHz帶寬的DL-ISO高壓光學(xué)隔離探頭是表征氮化鎵（GaN）FET/MOSFET和碳化硅（SiC）IGBT以及其他寬禁帶（WBG）功率半導(dǎo)體器件的理想選擇。
它具有高共模抑制比，這使得它非常適合于上管的浮地柵極驅(qū)動測量，包括觀察米勒效應(yīng)。
靈活的探頭前端
Teledyne LeCroy DL-ISO探頭前端非常靈活，可以彎曲到狹窄的空間，連接簡單。
在確定是要測量開關(guān)損耗、傳導(dǎo)損耗，還是只想利用高共模抑制比進行上管柵極驅(qū)動或柵極源極測量時，選擇正確的探針前端非常重要。
審核編輯：劉清
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
3200瀏覽量
64745 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
2190瀏覽量
76448 -
MOSFET管
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
28瀏覽量
9922
原文標(biāo)題：探頭選擇 | 視頻詳解DL-ISO高壓光隔離探頭
文章出處：【微信號：美國力科TeledyneLeCroy，微信公眾號：美國力科TeledyneLeCroy】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
GaN與SiC功率器件深度解析
本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性
同是功率器件，為什么SiC主要是MOSFET，GaN卻是HEMT
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN H
干貨必讀|光隔離探頭為什么在雙脈沖測試中不可或缺
(500MHz)，現(xiàn)在切換到GaN、SiC器件了，按說可以滿足這些器件的帶寬指標(biāo)參數(shù)了，測試下管也可以，但為什么
發(fā)表于 06-12 17:00
麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動態(tài)測試中的應(yīng)用
異的高溫和高頻性能。
案例簡介：SiC MOSFET 的動態(tài)測試可用于獲取器件的開關(guān)速度、開關(guān)損耗等關(guān)鍵動態(tài)參數(shù)，從而幫助工程師優(yōu)化芯片設(shè)計和封裝。然而，由于 SiC MOSFET 具
發(fā)表于 04-08 16:00
第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;
發(fā)表于 06-16 10:37
報名 | 寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
發(fā)表于 07-11 14:06
GaN和SiC區(qū)別
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN
發(fā)表于 08-12 09:42
什么是基于SiC和GaN的功率半導(dǎo)體器件？
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
發(fā)表于 02-21 16:01
功率器件動態(tài)參數(shù)測試中的探頭應(yīng)用
功率器件動態(tài)參數(shù)測試 功率器件如場效應(yīng)晶體管和絕緣門雙極晶體管，這些器件提供了快速開關(guān)速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值，被廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的設(shè)計。尤其第三代半導(dǎo)體
發(fā)表于 12-07 11:37
?918次閱讀
力科推高壓光隔離探頭和功率器件測試軟件
力科宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測試軟件，與高精度示波器 （HDO） 結(jié)合使用時，可提供最準(zhǔn)確的氮化鎵 （GaN） 和碳化硅 （
使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容
本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測量結(jié)果、三電流
發(fā)表于 02-19 17:06
?907次閱讀
GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3
發(fā)表于 08-09 10:23
?1434次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評論