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      標(biāo)簽　>　MOSFET管

      MOSFET管

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      mosfet管技術(shù)

      電子世界的開(kāi)關(guān)大師：MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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      屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也就是我們熟知的MOSFET。它就像是高速信息公路上的交通警察，控制著電流的方向和大小，讓整個(gè)系統(tǒng)高效而穩(wěn)定地運(yùn)行。

      2024-04-12 標(biāo)簽：晶體管MOSMOSFET管 661 0

      功率MOSFET管應(yīng)用問(wèn)題匯總

      功率MOSFET管應(yīng)用問(wèn)題匯總

      問(wèn)題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開(kāi)關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散...

      2023-12-03 標(biāo)簽：負(fù)載開(kāi)關(guān)功率MOSFET管MOSFET管 1389 0

      PWM控制技術(shù)+PWM逆變電路及其控制方法講解

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      面積等效原理是PWM控制技術(shù)的重要理論基礎(chǔ)，沖量相等而形狀不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時(shí)，其效果基本相同。

      2023-07-22 標(biāo)簽：逆變器整流電路IGBT 1.1萬(wàn) 0

      MOSFET選型原則，mosfet選型要考慮哪些因素

      MOSFET是電路中非常常見(jiàn)的元件，常用于信號(hào)開(kāi)關(guān)、功率開(kāi)關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號(hào)眾多，應(yīng)用面廣，本文將詳細(xì)介紹MOSFET選型原...

      2023-07-20 標(biāo)簽：MOSFETMOSFET管 1788 0

      高k柵介質(zhì)NMOSFET遠(yuǎn)程聲子散射對(duì)溝道遷移率的影響

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      器件溝道長(zhǎng)度為1μm，HFO2柵介質(zhì)厚度為4.88nm；SiO2柵介質(zhì)厚度為2nm；P襯底摻雜濃度4E15cm^-3；柵電極為鋁金屬。

      2023-07-05 標(biāo)簽：晶體管TDD漏電流 1126 0

      副邊15W電源ic SF1538介紹

      副邊15W機(jī)頂盒電源ic SF1538內(nèi)置高功率MOSFET管，耐壓650V，可編程外部過(guò)溫保護(hù)OTP，專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗。

      2023-01-13 標(biāo)簽：充電器OTPLED驅(qū)動(dòng)電源 982 0

      基于BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的自舉升壓電路設(shè)計(jì)

      在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是...

      2023-01-15 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻MOS驅(qū)動(dòng)電路 659 0

      詳解GaN和SiC器件測(cè)試的理想探頭

      DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測(cè)量精度和豐富的連接方式，是Ga...

      2022-11-03 標(biāo)簽：SiCGaNMOSFET管 1576 0

      MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路案例分析

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      MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...

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      一款功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計(jì)應(yīng)用

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      目前國(guó)內(nèi)大多數(shù)采用的長(zhǎng)延時(shí)熱脫扣試驗(yàn)方案是通過(guò)變壓器直接對(duì)斷路器施加一個(gè)電壓以獲得測(cè)試電流。在測(cè)試過(guò)程中，由于電網(wǎng)電壓的波動(dòng)、載流電路中引線電阻變化、負(fù)...

      2013-10-08 標(biāo)簽：TL494逆變電源MOSFET管 1.0萬(wàn) 2

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      mosfet管資訊

      關(guān)稅高壓下國(guó)產(chǎn)功率器件如何保障工業(yè)電源穩(wěn)定運(yùn)行？

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      2025年4月10日起，我國(guó)對(duì)原產(chǎn)于美國(guó)的所有進(jìn)口商品，加征34%關(guān)稅。可預(yù)見(jiàn)的是，此舉將直接導(dǎo)致進(jìn)口半導(dǎo)體設(shè)備和高端芯片成本增加，汽車制造、通信基站等...

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      2009-11-02 標(biāo)簽：MOSFET管 2415 0

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        四軸飛行器
        +關(guān)注
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      • 基站測(cè)試
        基站測(cè)試
        +關(guān)注
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      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • OBD
        OBD
        +關(guān)注
        OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě)，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
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