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Nexperia推用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET),SOA性能翻倍

安世半導體 ? 來源: 安世半導體 ? 作者: 安世半導體 ? 2022-11-21 16:11 ? 次閱讀
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基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的 ASFET 產(chǎn)品組合,推出 10 款全面優(yōu)化的 25V 和 30V 器件。新款器件將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的 RDS(on)相結(jié)合,非常適合用于 12V 熱插拔應用,包括數(shù)據(jù)中心服務器和通信設(shè)備。

多年來,Nexperia(安世半導體)致力于將成熟的 MOSFET 專業(yè)知識和廣泛的應用經(jīng)驗結(jié)合起來,增強器件中關(guān)鍵 MOSFET 的性能,滿足特定應用的要求,以打造市場領(lǐng)先的 ASFET。自 ASFET 推出以來,針對電池隔離(BMS)、直流電機控制、以太網(wǎng)供電(POE)和汽車安全氣囊等應用的產(chǎn)品優(yōu)化升級不斷取得成功。

浪涌電流給熱插拔應用帶來了可靠性挑戰(zhàn)。為了應對這一挑戰(zhàn),增強型 SOA MOSFET 領(lǐng)域的前沿企業(yè) Nexperia(安世半導體)專門針對此類應用進行了全面升級,設(shè)計了適用于熱插拔和軟啟動的 ASFET 產(chǎn)品組合,并增強了 SOA 性能。與之前的技術(shù)相比,PSMNR67-30YLE ASFET的 SOA(12V @100mS)性能提高到了 2.2 倍,同時 RDS(on)(最大值)低至 0.7mΩ。與未優(yōu)化器件相比,新款器件不僅消除了 Spirito 效應(表示為 SOA 曲線的更高壓區(qū)域中更為陡峭的斜向下曲線),還同時保持了整個電壓和溫度范圍內(nèi)的出色性能。

Nexperia(安世半導體)通過在 125℃ 下對新款器件進行完全表征,并提供高溫下的 SOA 數(shù)據(jù)曲線,消除了熱降額設(shè)計的必要性,從而為設(shè)計人員提供進一步支持。

8 款新產(chǎn)品(3款25V和5款30V)現(xiàn)已可選擇 LFPAK56 或 LFPAK56E 封裝,其中 RDS(on)范圍為 0.7m? 到 2m?,可適用于大多數(shù)熱插拔和軟啟動應用。其他 2 款 25V 產(chǎn)品的 RDS(on)更低,僅為 0.5m?,預計將于未來幾個月內(nèi)發(fā)布。

Nexperia (安世半導體)

Nexperia(安世半導體),作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導體二極管件的專家,其產(chǎn)品廣泛應用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia 總部位于荷蘭奈梅亨,每年可交付1000多億件產(chǎn)品,產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴苛標準。其產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面獲得行業(yè)廣泛認可,擁有先進的小尺寸封裝技術(shù),可有效節(jié)省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗,Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務,并在亞洲、歐洲和美國擁有超過14,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001認證。

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原文標題:新品快訊 | Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET),SOA性能翻倍

文章出處:【微信號:Nexperia_China,微信公眾號:安世半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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