LOD的手冊(cè)上，都會(huì)標(biāo)注，輸入或輸出電容的最小容值，以避免振蕩。

本人特別膽小，擔(dān)心測(cè)試的時(shí)候，萬(wàn)用表沒(méi)操作好，導(dǎo)致鉭電容爆炸，所以一般都會(huì)選擇陶瓷電容。

比如上面的電容要求10uF，我一般會(huì)考慮電容會(huì)隨溫度有變化，所以會(huì)選兩個(gè)10uF，或者一個(gè)22uF的電容。要求電壓為10V的話，我一般會(huì)留個(gè)50%~70%的余量，所以會(huì)選一個(gè)20V左右承受電壓的。自我感覺余量，已經(jīng)留的很充足了。

最近，在選電容的時(shí)候，仔細(xì)閱讀了一下特定型號(hào)的器件手冊(cè)，比如說(shuō)GRM21BR61D106KE15，發(fā)現(xiàn)其容值在有直流電壓的情況下，幾乎是成線性下降，10uF的電容，在DC bias為12V的時(shí)候，降到2uF。

以前，我真是沒(méi)有注意到這一點(diǎn)。真是慚愧。

查找資料【1】，上面說(shuō)，由于使用的材料的特性，X7R、X5R溫度特性的多層陶瓷電容，會(huì)隨著DC bias的增大而減小，C0G、U2J等特性的MLCC，其容值基本不受DC bias的影響。

鉭電容和電介質(zhì)電容，其容值也不受電壓影響。

這讓我想起了，村田官網(wǎng)上，新提供的電容的Dynamic模型。當(dāng)時(shí)我心里還疑惑，怎么又整出來(lái)個(gè)動(dòng)態(tài)模型呢?，F(xiàn)在，終于是明白了。今天還特意用ADS仿真了一下，確實(shí)是把DC bias的影響也考慮進(jìn)去了。

審核編輯 ：李倩