IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊；IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見。

入手IGBT模塊我們應(yīng)先對(duì)其進(jìn)行一個(gè)常規(guī)檢測(cè)。那我們應(yīng)該如何檢測(cè)呢？我們可以分為以下幾個(gè)方面：

判斷極性

首先將萬(wàn)用表撥在R×1KΩ擋，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極(G )，其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量，若測(cè)得阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接地為發(fā)射極(E)。

判斷好壞

將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極(C)，紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E)，此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C)，這時(shí)IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E)，這時(shí)IGBT被阻斷，萬(wàn)用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT是好的。

檢測(cè)注意事項(xiàng)

任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通，而無(wú)法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。

調(diào)速系統(tǒng)中的核心“變頻器”是一個(gè)復(fù)雜的電子系統(tǒng)，易受到電磁環(huán)境的影響而發(fā)生損壞。工業(yè)系統(tǒng)運(yùn)行過(guò)程中，生產(chǎn)工藝的連續(xù)性不允許系統(tǒng)停機(jī)，否則將意味著巨大的經(jīng)濟(jì)損失。特別是在一些特殊的應(yīng)用場(chǎng)合，如自動(dòng)化和宇宙空間系統(tǒng)、核能和危險(xiǎn)的化學(xué)工廠中，更不允許逆變器因故障停機(jī)，規(guī)避異常停機(jī)所造成的巨大經(jīng)濟(jì)損失。

審核編輯 ：李倩