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希科半導(dǎo)體引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時代

MEMS ? 2022-11-29 18:06 ? 次閱讀
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國產(chǎn)之光???a target="_blank">半導(dǎo)體引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時代

希科半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司碳化硅外延片新聞發(fā)布暨投產(chǎn)啟動儀式圓滿成功

中國蘇州,2022年11月23日——??瓢雽?dǎo)體科技(蘇州)有限公司于蘇州納米科技城召開碳化硅(SiC)外延片投產(chǎn)新聞發(fā)布會。會上公司創(chuàng)始人、總經(jīng)理呂立平宣布,公司采用國產(chǎn)CVD設(shè)備和國產(chǎn)襯底生產(chǎn)的6英寸SiC外延片,已于近期通過兩大權(quán)威機(jī)構(gòu)的雙重檢測,性能指標(biāo)完全媲美國際大廠,為我國碳化硅行業(yè)創(chuàng)下了一個毫無爭議的新紀(jì)錄。

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蘇州工業(yè)園區(qū)黨工委委員、管委會副主任倪乾,蘇州納米科技發(fā)展有限公司董事長、總裁張淑梅,中國電子材料協(xié)會副理事長袁桐,南京大學(xué)教授、固體微結(jié)構(gòu)物理國家重點(diǎn)實驗室主任陳延峰,中國冶金自動化院教授級高工高達(dá),??频奶焓雇顿Y方、云懿投資創(chuàng)始人夏玉山,以及十余家投資機(jī)構(gòu)代表、客戶和供應(yīng)商代表,應(yīng)邀出席了當(dāng)天的發(fā)布會,共同見證了中國碳化硅產(chǎn)業(yè)界這一歷史時刻。

發(fā)布會現(xiàn)場照片

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發(fā)布會投產(chǎn)儀式

核心材料和裝備近年來已成為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“卡脖子”最嚴(yán)重的兩個環(huán)節(jié),如何實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破,完成國產(chǎn)化替代,成為我國高科技產(chǎn)業(yè)升級必須面臨的重要課題??上驳氖牵S著國家的高度重視和大力扶持,在業(yè)界各方的共同努力下,國產(chǎn)化替代技術(shù)正在不斷涌現(xiàn)。此次希科半導(dǎo)體在SiC外延工藝研發(fā)上取得的突破性進(jìn)展,就是采用了純國產(chǎn)設(shè)備和完全自主的先進(jìn)工藝,顯示了國內(nèi)企業(yè)振興我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的信心和決心,也讓與會的專家和領(lǐng)導(dǎo)倍感振奮。

呂立平總經(jīng)理介紹,在過去的一年里,希科半導(dǎo)體從國產(chǎn)水平外延爐調(diào)試成功,到完成國產(chǎn)量測設(shè)備調(diào)試、并實現(xiàn)與進(jìn)口量測設(shè)備的對標(biāo)校準(zhǔn),填補(bǔ)了行業(yè)空白;近日公司又進(jìn)一步完成了國產(chǎn)垂直外延爐調(diào)試,并完成了國產(chǎn)襯底原料與進(jìn)口襯底同等外延工藝下的對比測試。至此,??瓢雽?dǎo)體實現(xiàn)了工藝設(shè)備、量測設(shè)備、關(guān)鍵原料的三位一體國產(chǎn)化,完全、干凈、徹底的解決了國外產(chǎn)品的卡脖子問題。這一系列成果填補(bǔ)了我國碳化硅行業(yè)的空白。

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??瓢雽?dǎo)體呂立平總經(jīng)理在會議中致辭

蘇州工業(yè)園區(qū)黨工委委員、管委會副主任倪乾表示,??瓢雽?dǎo)體碳化硅外延片正式投產(chǎn)必將為園區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入更加強(qiáng)勁的發(fā)展動力。當(dāng)前,園區(qū)正以建設(shè)世界一流高科技園區(qū)為目標(biāo),以建設(shè)蘇州實驗室、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心等重大創(chuàng)新載體為抓手,全面學(xué)習(xí)貫徹黨的二十大精神,堅持科技是第一生產(chǎn)力、人才是第一資源、創(chuàng)新是第一動力,全力打造國際一流的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群。長期以來,園區(qū)高度重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,積極探索并出臺相應(yīng)政策支撐產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng),繼續(xù)加大在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方面的支持力度。園區(qū)將持續(xù)營造一流的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)生態(tài),不斷提升政策體系、人才供給、產(chǎn)業(yè)生態(tài),更高水平促進(jìn)創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈、資金鏈、人才鏈、服務(wù)鏈深度融合,做好企業(yè)有求必應(yīng)的“店小二”,全面支持包括??瓢雽?dǎo)體在內(nèi)的優(yōu)秀企業(yè)加速成長。

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園區(qū)黨工委委員、管委會副主任倪乾在會議中致辭

疫情下遠(yuǎn)道而來的中國電子材料協(xié)會副理事長袁桐表示,當(dāng)前我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了巨大的挑戰(zhàn),從國內(nèi)看是疫情下經(jīng)濟(jì)面臨著下行壓力,從國際看美國芯片法案對我國半導(dǎo)體企業(yè)的制裁進(jìn)一步擴(kuò)大化。但是,在國家支持發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大框架和大背景下,整個行業(yè)仍然迎難而上,取得了前所未有的發(fā)展。數(shù)以萬億計的資本投入、也為行業(yè)注入了巨大活力,吸引了全球半導(dǎo)體行業(yè)的英才,這也使得我國從半導(dǎo)體工藝設(shè)備,到材料、設(shè)計、晶圓制造等各個關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié),都涌現(xiàn)出了初步具有全球競爭力的企業(yè),國產(chǎn)化率顯著提高,在許多關(guān)鍵設(shè)備、關(guān)鍵材料和先進(jìn)工藝方面打破了國外壟斷。她說,當(dāng)下行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入了最有利于半導(dǎo)體優(yōu)質(zhì)企業(yè)跨越式發(fā)展的新階段,她很高興看到年輕的??瓢雽?dǎo)體在成立僅僅一年多時間就展現(xiàn)了驚人的發(fā)展勢能,也欣喜地看到在蘇州產(chǎn)業(yè)園及周邊聚集了中國規(guī)模最大、品類最全的半導(dǎo)體材料下游產(chǎn)業(yè)集群。她代表中國電子材料協(xié)會,以及中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會的肖向鋒副理事長,祝福希科半導(dǎo)體順利投產(chǎn),期待??茷橹袊雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出新的貢獻(xiàn)。

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中國電子材料協(xié)會副理事長袁桐會議中致辭

早在今年9月底,??瓢雽?dǎo)體就以獨(dú)有的產(chǎn)業(yè)化工藝生產(chǎn)出6英寸外延片,經(jīng)兩家行業(yè)權(quán)威機(jī)構(gòu)的雙重檢測,結(jié)果顯示完全可以媲美國際上的頭部友商。隨著??瓢雽?dǎo)體本次規(guī)?;懂a(chǎn),將改變目前碳化硅外延這一碳化硅芯片的核心原材料一直依賴進(jìn)口設(shè)備和進(jìn)口襯底的現(xiàn)狀,不但品質(zhì)更優(yōu)、成本更低,而且能夠保障供應(yīng)、按需擴(kuò)產(chǎn),將為我國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展和雙碳戰(zhàn)略的實施做出應(yīng)有的貢獻(xiàn)。

據(jù)了解,SiC外延是從碳化硅長晶到芯片生產(chǎn)的各工藝環(huán)節(jié)中承前啟后的關(guān)鍵一環(huán)。所謂SiC外延片,是指在碳化硅襯底上生長一層更高晶格品質(zhì)的單晶薄膜(外延層),在實際應(yīng)用中一個個碳化硅芯片都是采用光刻、掩膜、摻雜等半導(dǎo)體制程工藝在這個外延層上得以實現(xiàn),而碳化硅晶片本身是作為襯底實現(xiàn)支撐作用。因此碳化硅外延片的質(zhì)量對下一步芯片晶圓劃片封裝后的碳化硅器件性能的影響,是最為直接和巨大的。而外延的質(zhì)量又受到外延工藝、設(shè)備和襯底品質(zhì)的影響,處在整個產(chǎn)業(yè)的中間環(huán)節(jié),其技術(shù)和工藝進(jìn)步對碳化硅整體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到非常關(guān)鍵的作用。長期以來,SiC外延生產(chǎn)設(shè)備被歐美日發(fā)達(dá)國家壟斷,近年來國內(nèi)業(yè)界開始在國產(chǎn)設(shè)備和生產(chǎn)工藝上積極投入研發(fā),以解決這一“卡脖子”問題。

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??瓢雽?dǎo)體呂立平總經(jīng)理帶領(lǐng)嘉賓參觀產(chǎn)線

與會的中國冶金自動化院教授級高級工程師高達(dá)稱,??瓢雽?dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)突破是對業(yè)界的一大貢獻(xiàn),認(rèn)為??茖崿F(xiàn)“關(guān)鍵工藝機(jī)臺全部國產(chǎn)化”和“量測機(jī)臺全部本土替代”將為碳化硅產(chǎn)業(yè)提供新的推動力。他說,本次??瓢雽?dǎo)體在先進(jìn)工藝研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化、國產(chǎn)化方面的一系列突破,對公司自身的發(fā)展和行業(yè)整體擺脫對國外技術(shù)和設(shè)備的依賴都打下了扎實的基礎(chǔ)。

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中國冶金自動化院教授級高級工程師高達(dá)在會議中致辭

??瓢雽?dǎo)體的天使投資方、云懿投資創(chuàng)始人夏玉山在發(fā)言中難掩激動之情。云懿投資從2017年涉足第三代半導(dǎo)體投資,分別入股了瞻芯電子、山東天岳(688234),以及本次發(fā)布會的主角希科半導(dǎo)體,其中山東天岳在今年順利成為碳化硅行業(yè)的第一家上市公司,瞻芯電子也成長為業(yè)界公認(rèn)的碳化硅芯片頭部企業(yè)。他表示,從當(dāng)初入股??瓢雽?dǎo)體到如今投入量產(chǎn),??埔詤瘟⑵娇偨?jīng)理為代表的團(tuán)隊非常高效和務(wù)實,發(fā)展過程中的各項決策包括全面國產(chǎn)化的決策,云懿投資都參與其中,可以說是與創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊互相成就,這種如同團(tuán)隊一分子般共同創(chuàng)業(yè)的感受非常難得。

會上夏玉山先生還透露了??莆磥淼娜谫Y計劃,并歡迎看中碳化硅產(chǎn)業(yè)前景的眾多投資機(jī)構(gòu)積極參與,共同支持??仆瓿山谀戤a(chǎn)能達(dá)到十萬片、成為行業(yè)前三的目標(biāo)。

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??瓢雽?dǎo)體的天使投資方、云懿投資創(chuàng)始人夏玉山發(fā)言

??瓢雽?dǎo)體公司成立于2021年8月,坐落于蘇州工業(yè)園區(qū)納米城三區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園,也是蘇州納米城引入的重點(diǎn)企業(yè)和標(biāo)桿項目。公司自成立以來專注于碳化硅外延片的關(guān)鍵工藝研發(fā),核心團(tuán)隊擁有十余年的研發(fā)、量產(chǎn)經(jīng)驗,以及世界級大廠的管理經(jīng)驗,并已儲備了多項自主知識產(chǎn)權(quán)。其中公司創(chuàng)始人、總經(jīng)理呂立平是國內(nèi)最早從事SiC技術(shù)和工藝研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)軍型人才,擁有多項發(fā)明專利和實用新型專利。

發(fā)布會上,呂立平總經(jīng)理對冒著疫情管控蒞臨發(fā)布會的諸位領(lǐng)導(dǎo)及各方嘉賓表達(dá)了衷心感謝。他表示,??瓢雽?dǎo)體公司能夠在成立后的短短一年多時間里取得跨越式高速進(jìn)展,是站在中國芯片行業(yè)大發(fā)展的時代背景上實現(xiàn)的,離不開產(chǎn)業(yè)界和各級政府主管部門的大力支持,其中最直接和最重要的就是來自蘇州工業(yè)園區(qū)及蘇州納米城發(fā)展有限公司各位領(lǐng)導(dǎo)的支持。

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??瓢雽?dǎo)體所在地園區(qū)納米城III區(qū)

近年來,隨著新能源和雙碳產(chǎn)業(yè)的崛起,碳化硅行業(yè)正面臨著井噴式的市場機(jī)遇,蘇州納米城各級領(lǐng)導(dǎo)憑借著對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整體前瞻性領(lǐng)悟,大力支持碳化硅、MEMS等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,搭建了完善的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和配套設(shè)施,目前這里和周邊已經(jīng)成為了我國芯片產(chǎn)業(yè)上下游最大的聚集地。蘇州納米城地理位置優(yōu)越,交通便利,加上整體規(guī)劃科學(xué)合理,教育、醫(yī)療、商貿(mào)等生活配套非常到位,吸引著越來多的半導(dǎo)體高端技術(shù)人才和創(chuàng)業(yè)者。

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原文標(biāo)題:國產(chǎn)之光??瓢雽?dǎo)體:引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時代

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    華大半導(dǎo)體旗下中電化合物榮獲2024年“中國SiC外延影響力企業(yè)”稱號

    電化合物有限公司連續(xù)3年獲得了相關(guān)獎項,繼2022年榮獲“中國SiC襯底十強(qiáng)”,2023年榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號后,本次榮獲“中國SiC外延影響力企業(yè)”稱號。 ? ?
    的頭像 發(fā)表于 12-19 14:44 ?919次閱讀
    華大<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>旗下中電化合物榮獲2024年“中國<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>外延</b>影響力企業(yè)”稱號

    天域半導(dǎo)體8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用

    ,但是行業(yè)龍頭企業(yè)已經(jīng)開始研發(fā)基于8英寸SiC晶圓的下一代器件和芯片。 近日,廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司丁雄杰博士團(tuán)隊聯(lián)合廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司、芯
    的頭像 發(fā)表于 12-07 10:39 ?1286次閱讀
    天域<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>8英寸<b class='flag-5'>SiC</b>晶圓制備與<b class='flag-5'>外延</b>應(yīng)用

    SiC外延生長技術(shù)的生產(chǎn)過程及注意事項

    SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一,外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的S
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:46 ?1448次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>外延</b>生長技術(shù)的生產(chǎn)過程及注意事項

    半導(dǎo)體外延生長方式介紹

    本文簡單介紹了幾種半導(dǎo)體外延生長方式。
    的頭像 發(fā)表于 10-18 14:21 ?1696次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體外延</b>生長方式介紹