IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q(chēng)電力電子裝置的“CPU”，應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。

比如在混合動(dòng)力汽車(chē)上IGBT的作用是交流電和直流電的轉(zhuǎn)換，同時(shí)IGBT還承擔(dān)電壓的高低轉(zhuǎn)換的功能。外界充電的時(shí)候是交流電，需要通過(guò)IGBT轉(zhuǎn)變成直流電然后給電池，同時(shí)要把220V電壓轉(zhuǎn)換成適當(dāng)?shù)碾妷阂陨喜拍芙o電池組充電。電池放電的時(shí)候，把通過(guò)IGBT把直流電轉(zhuǎn)變成交流電機(jī)使用的交流電，同時(shí)起到對(duì)交流電機(jī)的變頻控制，當(dāng)然變壓是必不可少的。 IGBT 模塊GBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半，而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)占整車(chē)成本的15-20%，也就是說(shuō)IGBT占整車(chē)成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，也決定了整車(chē)的能源效率。直流充電樁30%的原材料成本是IGBT，電力機(jī)車(chē)一般需要 500 個(gè) IGBT 模塊。

IGBT的封裝工藝流程大體可分為：貼片—燒結(jié)—清洗—X-RAY檢測(cè)—鍵合—注膠—成型—測(cè)試

1. 貼片：通過(guò)絲網(wǎng)印刷工藝將錫膏印制在陶瓷襯板上，然后將芯片與襯板線(xiàn)路圖形中相應(yīng)的銅極貼合。

2.將完成貼片的陶瓷板半成品置于真空爐內(nèi)，進(jìn)行回流焊接。

3.通過(guò)清洗劑對(duì)焊接完成后的半成品進(jìn)行清洗，以保證IGBT芯片表面潔凈度滿(mǎn)足鍵合打線(xiàn)要求。

4.通過(guò)X光檢測(cè)篩選出空洞大小符合標(biāo)準(zhǔn)的半成品，防止不良品流入下一道工序。

5.通過(guò)鍵合打線(xiàn)，使芯片與基板相連，器件實(shí)現(xiàn)功能性。

6. 對(duì)殼體內(nèi)部抽真空注入A、B膠并抽真空高溫固化，達(dá)到絕緣保護(hù)作用 。

7.對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行加裝頂蓋并對(duì)端子進(jìn)行折彎成形。

現(xiàn)有的封裝結(jié)構(gòu)和監(jiān)測(cè)方式極大地提高了功率模塊工作的穩(wěn)定性。但面對(duì)SiC功率模塊的高頻率和高電壓的工況，現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)在封裝寄生參數(shù)和散熱能力方面均無(wú)法滿(mǎn)足需求。為解決現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)直接用于SiC模塊封裝存在的問(wèn)題，新的封裝結(jié)構(gòu)被提出，如直接導(dǎo)線(xiàn)鍵合( Direct-Lead-Bonding，DLB)、柔性封裝( Flexible Printed Circuit，FPC)和疊層封裝。

1、直接導(dǎo)線(xiàn)鍵合結(jié)構(gòu)（DLB）：直接導(dǎo)線(xiàn)鍵合結(jié)構(gòu)最大的特點(diǎn)就是利用焊料，將銅導(dǎo)線(xiàn)與芯片表面直接連接在一起，相對(duì)引線(xiàn)鍵合技術(shù)，該技術(shù)使用的銅導(dǎo)線(xiàn)可有效降低寄生電感，同時(shí)由于銅導(dǎo)線(xiàn)與芯片表面互連面積大，還可以提高互連可靠性。其測(cè)試表明，使用DLB封裝不僅使得鍵合電阻和電感的減小量超一半以上，而且使得IGBT功率模塊芯片溫度分布更加均勻。其生產(chǎn)成本較低，是目前應(yīng)用最廣泛的IGBT器件。

2、柔性封裝( Flexible Printed Circuit，F(xiàn)PC)：利用FPC代替引線(xiàn)鍵合。該封裝方式將雜散電感降低到1.4nH，實(shí)現(xiàn)了對(duì)雜散參數(shù)的有效控制。

3、疊層封裝：通過(guò)壓接型封裝工藝，采用直接接觸的方式而不是引線(xiàn)鍵合或者焊接方式實(shí)現(xiàn)金屬和芯片間的互連，該結(jié)構(gòu)包含三層導(dǎo)電導(dǎo)熱的平板，平板間放置功率芯片，平板的尺寸由互連的芯片尺寸以及芯片表面需要互連的版圖結(jié)構(gòu)確定。相比焊接型IGBT器件，壓接型IGBT器件易于規(guī)?；酒⒙?lián)封裝、串聯(lián)使用，且具有低熱阻、雙面散熱、失效短路等優(yōu)點(diǎn)。

功率半導(dǎo)體模塊封裝是其加工過(guò)程中一個(gè)非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，它關(guān)系到功率半導(dǎo)體器件是否能形成更高的功率密度，能否適用于更高的溫度、擁有更高的可用性、可靠性，更好地適應(yīng)惡劣環(huán)境。功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)特點(diǎn)為：設(shè)計(jì)緊湊可靠、輸出功率大。其中的關(guān)鍵是使硅片與散熱器之間的熱阻達(dá)到最小，同樣使模塊輸人輸出接線(xiàn)端子之間的接觸阻抗最低。

封裝完成后的大功率IGBT，需要對(duì)各方面性能進(jìn)行試驗(yàn)。比如

1.平整度測(cè)試：平整度在IGBT安裝以后，所有熱量散發(fā)都是底板傳輸?shù)缴崞?。平面度越好，散熱器接觸性能越好，導(dǎo)熱性能越好。

2.推拉測(cè)試： IGBT模塊有三個(gè)連接部分:芯片上的引線(xiàn)鍵合點(diǎn)、芯片與陶瓷絕緣基板的焊接面、陶瓷絕緣基板與銅底板的焊接面，對(duì)所有鍵合點(diǎn)的力度進(jìn)行測(cè)試。

3.硬度測(cè)試：對(duì)主電極的硬度不能太硬、也不能太軟。

4.超聲波掃描：主要對(duì)焊接過(guò)程，焊接以后的產(chǎn)品質(zhì)量的空洞率做一個(gè)掃描，這點(diǎn)對(duì)于導(dǎo)熱性也是很好的控制。所以陶瓷襯板的導(dǎo)熱性能和熱膨脹系數(shù)直接影響IGBT的質(zhì)量和性能。

斯利通陶瓷采用DPC直接鍍銅工藝：通過(guò)高溫、高真空條件下利用蒸發(fā)、磁控濺射等工藝進(jìn)行陶瓷基板金屬化，先是在基板表面濺射一層薄膜過(guò)渡金屬，然后通過(guò)電鍍?cè)龊胥~層，最后通過(guò)一系列線(xiàn)路板工藝流程完成圖形制作。公司擁有多項(xiàng)自主研發(fā)生產(chǎn)專(zhuān)利，能夠?qū)崿F(xiàn)板面互聯(lián)（孔導(dǎo)通），孔內(nèi)填實(shí)率等業(yè)內(nèi)難點(diǎn)，線(xiàn)寬線(xiàn)距做到精細(xì)化（最小可完成50um），銅厚范圍可按客戶(hù)要求控制在1-1000um內(nèi)?；呐c銅層結(jié)合力優(yōu)良，熱膨脹系數(shù)與硅片匹配度高，銅面平整粗糙度小，表面處理工藝多樣化（沉銀、沉金、沉鎳金、OSP等），適應(yīng)于各種IGBT模組封裝方法。

IGBT具有輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小、速度快及工作頻率高等特點(diǎn)，成為目前最有應(yīng)用前景的電力半導(dǎo)體器件之一。在軌道交通、航空航天、新能源、智能電網(wǎng)、智能家電這些朝陽(yáng)產(chǎn)業(yè)中，IGBT作為自動(dòng)控制和功率變換的關(guān)鍵核心部件，是必不可少的功率“核芯”。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率，提升用電質(zhì)量，實(shí)現(xiàn)節(jié)能效果，在綠色經(jīng)濟(jì)中發(fā)揮著無(wú)可替代的作用。

審核編輯：湯梓紅