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使用碳化硅MOSFET實現(xiàn)快速直流充電器

云中云 ? 來源:云中云 ? 作者:云中云 ? 2022-12-30 09:40 ? 次閱讀
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世界各國政府都在推動私家車和商用車車主轉(zhuǎn)向更環(huán)保的替代品,例如電動汽車 (EV)。但是,進(jìn)行此更改的最大障礙之一是車輛續(xù)航里程問題。大多數(shù)中低檔 EV 可以在需要充電之前完成數(shù)次行程。但是,如果您計劃長途旅行,在途中為 EV 充電仍然需要比為內(nèi)燃機車輛加油更多的時間。

該行業(yè)正在努力通過開發(fā)可與為內(nèi)燃機車輛加油相媲美的快速直流充電解決方案來縮短充電時間。與使用家用交流電的 EV 車載充電器 (OBC) 不同,快速直流充電器繞過 OBC,直接向 EV 的電池充電電路提供能量。而且,與交流充電器不同,此類充電器可以在短短 10 分鐘內(nèi)將電動汽車充電至 80% 的電量。

電動汽車快速直流充電器

當(dāng)前的快速直流充電器提供 35kW 至 50kW 的功率,工作電壓高達(dá) 800V。最高功率的充電器通常安裝在高速公路服務(wù)站。您的 EV 能否吸收這樣的能量取決于它的設(shè)計和電池。當(dāng)今大多數(shù)電動汽車的充電功率都限制在 300kW 以下。

對于如此高功率和電壓的應(yīng)用,存在許多工程挑戰(zhàn)。這些范圍從安全性和可靠性到可維護性、效率、尺寸和成本——包括運營和采購。迄今為止,設(shè)計方法一直依賴于硅 IGBTMOSFET。然而,由于引入了寬帶隙半導(dǎo)體,例如 Wolfspeed 的碳化硅,碳化硅 MOSFET 正迅速成為功率開關(guān)的首選。

EV 充電器轉(zhuǎn)向碳化硅 MOSFET

快速直流充電器的核心可以分為兩個關(guān)鍵塊:

AC/DC 級,將輸入交流電轉(zhuǎn)換為直流鏈路電壓

為 EV 電池提供直流電的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

此外,還有支付機制、人機界面和連接元素。此類充電器的功率傳輸部分由多個模塊構(gòu)成,每個模塊通常為總功率提供 15kW 至 50kW 的功率。

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圖 1:用于 EV 快速直流充電器的電源轉(zhuǎn)換器的簡化框圖。(來源:Wolfspeed)

盡可能高的效率和功率密度是關(guān)鍵的設(shè)計目標(biāo),使工程師能夠交付更小、更輕的模塊,同時散熱挑戰(zhàn)更少。

采用 Wolfspeed 碳化硅 MOSFET 的有源前端

對于 AC/DC 級,有源前端 (AFE) 是使用六個開關(guān)頻率為 20kHz 的硅 IGBT 實現(xiàn)的常見拓?fù)?。這樣一個 22kW AFE 級有望實現(xiàn) 97.2% 的可觀峰值效率。然而,功率密度約為 3.5kW/L,熱設(shè)計元件占系統(tǒng)成本的 20%。

這就是設(shè)計師轉(zhuǎn)向基于碳化硅的設(shè)計的原因。與硅基替代品相比,碳化硅 MOSFET的 R DS(ON)隨溫度升高而增加的幅度較小。在應(yīng)用的工作溫度下,由于 R DS(ON)低于硅,因此散熱較低。Wolfspeed WolfPACK ?電源模塊中的 Wolfspeed 1200V CCB021M12FM3 等設(shè)備帶有 21mΩ 碳化硅 MOSFET,是 AFE 拓?fù)涞慕^佳選擇。

這種碳化硅 MOSFET 還可以在高達(dá) 45kHz 的更高開關(guān)速度下運行,與基于 IGBT 的 AFE 相比,可以使用更小的扼流圈。此外,由于由此產(chǎn)生的散熱量減少,散熱成本僅占系統(tǒng)總成本的 10%。

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圖 2:具有 Wolfspeed WolfPACK?電源模塊的 25kW 雙向 AC/DC AFE適用于快速直流充電器設(shè)計。(來源:Wolfspeed)

還提供適用于快速直流充電器應(yīng)用的 25kW AFE 參考設(shè)計 CRD25AD12N-FMC。由于使用了 Wolfspeed WolfPACK ?三相配置模塊,這種雙向設(shè)計實現(xiàn)了 98.5% 的峰值效率和 >4.6kW/L 的功率密度。

從硅 MOSFET 到 DC/DC 級碳化硅

碳化硅也在 DC/DC 階段取代硅。在 DC/DC 諧振 LLC 轉(zhuǎn)換器中工作頻率約為 100kHz 的硅基開關(guān)可達(dá)到 97.5% 的峰值效率和 3.5kW/L 的功率密度。然而,功率要求通常需要交錯設(shè)計,這會增加組件數(shù)量和復(fù)雜性。

通過采用分立器件(例如Wolfspeed C3M0032120K)的碳化硅 MOSFET 設(shè)計,開關(guān)速度可以提高到高達(dá) 250kHz。這些四引腳 TO-247-4 封裝的碳化硅 MOSFET 還提供開爾文引腳。在硬開關(guān)、大電流和高頻拓?fù)渲?,這有助于減少串?dāng)_和開關(guān)損耗。因此,與使用三引線碳化硅器件相比,這些損耗最多可降低四倍。諧振 CLLC 參考設(shè)計 CRD-22DD12N 在 22kW 雙向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計中僅使用八個分立式碳化硅 MOSFET。作為快速 EV 充電器設(shè)計的一部分,它可以在 8kW/L 的功率密度下實現(xiàn)超過 98.5% 的峰值效率。

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圖 3:這種雙向 DC-DC 參考設(shè)計利用了 Wolfspeed 的 C3M0032120K 分立式碳化硅 MOSFET 的性能。(來源:Wolfspeed)

用于快速直流充電器應(yīng)用的碳化硅

隨著未來十年電動汽車用戶群的增長,對更快“加油”速度的需求也會增加。Wolfspeed 碳化硅 MOSFET 等寬帶隙材料是解決方案,與依賴硅功率器件技術(shù)的等效設(shè)計相比,它具有更低的損耗、更少的散熱并實現(xiàn)更高的功率密度。

審核編輯:湯梓紅

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