關(guān)鍵要點(diǎn)

?SiC MOSFET因其在降低功率轉(zhuǎn)換損耗方面的出色表現(xiàn)而備受關(guān)注。

?以DC-DC轉(zhuǎn)換器和EV應(yīng)用為例，介紹使用新一代（第4代）SiC MOSFET所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)–降低損耗。

在電動(dòng)汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心、基站、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域，由于更高電壓、更大容量的電源可以提高便利性，因此電源的電壓和容量呈現(xiàn)出顯著提高的趨勢(shì)，而從保護(hù)全球環(huán)境的角度來(lái)看，如何降低能耗已成為非常重要的課題。在這些應(yīng)用中，是需要通過(guò)功率轉(zhuǎn)換將電力轉(zhuǎn)換為適當(dāng)值來(lái)使用電源的，而在功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生能量損耗。在高電壓、大容量的應(yīng)用中，這種損耗是不容忽視的大問(wèn)題，近年來(lái)市場(chǎng)上強(qiáng)烈要求降低功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能耗，也就是要求提高功率轉(zhuǎn)換效率。

SiC功率半導(dǎo)體的特點(diǎn)是支持高頻工作，而且在高電壓、大容量條件下的能量損耗非常低，因此這種產(chǎn)品作為提高功率轉(zhuǎn)換效率的有效方法而備受關(guān)注。ROHM能夠?yàn)楸姸鄳?yīng)用提供SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。目前，ROHM已經(jīng)推出了第4代SiC MOSFET，正在為降低功率轉(zhuǎn)換損耗貢獻(xiàn)著重要力量。

在本系列文章中，我們通過(guò)降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器和EV應(yīng)用，來(lái)介紹第4代SiC MOSFET新產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中在降低損耗方面的出色表現(xiàn)。本系列預(yù)計(jì)發(fā)布以下文章：

●第4代SiC MOSFET的特點(diǎn)

●在降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器中使用第4代SiC MOSFET的效果

> 電路工作原理和損耗分析
> DC-DC轉(zhuǎn)換器實(shí)機(jī)驗(yàn)證

●在EV應(yīng)用中使用第4代SiC MOSFET的效果

> EV應(yīng)用
> 裝入牽引逆變器實(shí)施模擬行駛試驗(yàn)
> 圖騰柱PFC實(shí)機(jī)評(píng)估

在降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用部分，將為大家講解開關(guān)損耗、傳導(dǎo)損耗、體二極管損耗、反向恢復(fù)損耗等損耗發(fā)生機(jī)制，并介紹使用具有出色高速開關(guān)性能的第4代SiC MOSFET時(shí)的損耗降低效果。

在EV應(yīng)用部分，將為您介紹針對(duì)EV的電源解決方案。在牽引逆變器應(yīng)用部分，將通過(guò)接入電機(jī)試驗(yàn)臺(tái)實(shí)施的模擬行駛試驗(yàn)的結(jié)果，來(lái)介紹第4代SiC MOSFET的特性和效果之間的關(guān)系。另外，在車載充電器（OBC）的組件之一——圖騰柱PFC部分，將通過(guò)在實(shí)際電路板上安裝第4代SiC MOSFET來(lái)介紹轉(zhuǎn)換器的特性提升效果。

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了解碳化硅功率元器件及其應(yīng)用案例

介紹了在電源產(chǎn)品的小型化、降低功耗和提高效率方面具有巨大潛力的碳化硅（SiC）的基本物理特性，以及SiC二極管和晶體管的使用方法及其應(yīng)用案例。

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使用新一代SiC MOSFET降低損耗實(shí)證 —前言—

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