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本文主要對電源的軟開關(guān)功能進(jìn)行測試。
當(dāng)MOSFET管所在回路的原邊繞組在過零點(diǎn)處工作時,由于感應(yīng)作用在原邊副繞組上的電流也處于過零點(diǎn)。檢測通過此處的電流即可判斷判斷MOS管的導(dǎo)通時機(jī)。而BD7682FJ正是完成這樣的工作,通過電路優(yōu)化精準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)技術(shù)。這個芯片的主要特點(diǎn)在于支持軟啟動和提供高頻的開關(guān)頻率,BD7682FJ設(shè)計了超時開關(guān)動作功能,這對于理解電路最終控制電路的工作原理也是非常重要的。
觀察過零檢測信號ZT,這個信號用于判決柵極信號輸出,判決條件在這個地方設(shè)計了兩個標(biāo)準(zhǔn):
1 當(dāng)檢測電壓不超過Vzt2時超過15μS,判斷為啟動或者低電壓輸出,此時MOSFET管輸出;
2 當(dāng)檢測電壓低于Vzt1時輸出底部檢測信號,在檢測信號后延時5μS的情況下不出現(xiàn)新的檢測脈沖情況下使能并對MOSFET管輸出信號。
搭建測試環(huán)境如下:
下圖是對BD7682FJ進(jìn)行測試,分別測試了其在輕載情況下的過零檢測輸入腳和mos管輸出腳的工況,以及MOSFET管源漏兩端的電壓情況??梢钥闯鐾ㄟ^使用BD7682FJ可以實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)技術(shù),提高了開關(guān)頻率,圖中測試頻率達(dá)到了32KHz。
過零檢測輸入腳(下)和MOS管輸出腳(上)的工況
MOSFET管源漏兩端的電壓
審核編輯:湯梓紅
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