鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)和西部數據公司(Western Digital Corp., NASDAQ: WDC)今天公布了雙方合作開發(fā)的新3D閃存技術的細節(jié)，展示了兩家公司的持續(xù)性創(chuàng)新。通過應用先進的擴展和晶圓鍵合技術，3D閃存以極具吸引力的成本提供了出色的容量、性能和可靠性，非常適合滿足廣泛的細分市場中數據呈指數式增長所帶來的需求。

西部數據技術與戰(zhàn)略高級副總裁Alper Ilkbahar表示：“新推出的3D閃存彰顯出我們與鎧俠強有力的合作關系，以及雙方聯(lián)合創(chuàng)新的領先優(yōu)勢。通過制定單一的通用研發(fā)路線圖及持續(xù)的研發(fā)投資，我們能夠提前實現這項基本技術的產品化，并打造經濟實惠的高性能解決方案?！?/p>

鎧俠和西部數據引入多種獨特的工藝和架構來降低成本，并實現了橫向擴展方面的持續(xù)進步。垂直和橫向擴展之間的良好平衡能夠在更小的芯片中實現更大的容量，且層數更少，成本也得到了優(yōu)化。雙方還開發(fā)了開創(chuàng)性的互補金屬氧化物半導體(CMOS)直接鍵合到陣列(CBA)技術，其中每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓均在優(yōu)化狀態(tài)下單獨制造，隨后鍵合在一起，以提高位密度和NAND I/O接口速度。

鎧俠首席技術官Masaki Momodomi表示：“通過雙方獨特的工程合作，我們成功推出了具有業(yè)界領先1位密度的第八代BiCS FLASHTM。很高興鎧俠已經開始向部分客戶送樣。通過應用CBA技術和擴展相關創(chuàng)新，我們推進了3D閃存技術組合的進步，未來將用于智能手機、物聯(lián)網設備和數據中心等一系列以數據為中心的應用?！?/p>

218層3D閃存利用了1Tb三層單元(TLC)和四層單元(QLC)的四個平面，通過創(chuàng)新的橫向收縮技術，將位密度提高了50%以上。其高速NAND I/O接口的速度超過3.2Gb/s，比上一代產品提高60%，再加上寫入性能和讀取延遲方面20%的提升幅度，將加速用戶設備的整體性能和可用性。

審核編輯黃宇