充電器是采用高頻電源技術，運用智能動態(tài)調(diào)整充電技術的充電設備。（充電器）充電機通過微機控制技術，實現(xiàn)優(yōu)化的Wsa+Pulse充電特性曲線，充電電流隨蓄電池的充電電壓的升高而自動下降；結合充電末期的脈沖充電方式，使充電效果更為理想。

MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管。mos管的工作原理是金屬氧化物半導體場效應晶體管（簡稱mos管），它是利用絕緣柵極下的p型區(qū)與源漏之間的擴散電流和電場在垂直方向上的不同導電特性來工作的。

MOS管的source（源極）和drain（漏極）是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。場效應管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管，屬于絕緣柵場效應管。

MOS管特點是：

1、柵極電壓很低，一般在幾伏到幾十伏之間；

2、源漏電阻很大，一般都在幾百千歐以上；

3、電流極小或為0，所以稱為"零電阻"，即對信號幾乎不產(chǎn)生任何影響；

4、工作溫度范圍很寬，從-55°C至+150°C左右。

5、放大倍數(shù)大、噪聲小、功耗低等優(yōu)良性能。

推薦由工采網(wǎng)代理的一款來自臺灣美祿的MOS管，中高壓MOS管 - MPD04N65，不同的封裝尺寸MOS管具有不同的熱阻和耗散功率，需要考慮系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度（如是否有風冷、散熱器的形狀和大小限制、環(huán)境是否封閉等因素），基本原則就是：在保證功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。

中高壓MOS管 -MPD04N65的特性：

650V, 4A, RDS (ON)(Max.)= 2.7Ω@VGS = 10V.

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審核編輯黃宇