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倒裝芯片球柵陣列工藝流程與技術(shù)

Semi Connect ? 來源:Semi Connect ? 2023-04-28 15:09 ? 次閱讀
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Flip-Chip BGA (FC-BGA)是指將芯片利用倒裝(FC)技術(shù)焊接在線路基板上,并制成倒裝芯片 BGA 封裝形式。

目前,F(xiàn)C-BGA 都是在C4 的設(shè)計基礎(chǔ)上,再進行封裝與工藝技術(shù)的設(shè)計與研發(fā)的。

FC-BGA 的結(jié)構(gòu)與外形如圖所示

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FC-BGA 是將芯片倒裝在有機基板 上,在芯片輸出端的電極上制作金屬凸塊,再將金屬凸塊焊接在有機基板上的。依據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用的不同,目前金屬凸塊分別有金屬釘頭、金凸塊、錫凸塊及銅桂凸塊等。依據(jù)不同凸塊的種類與應(yīng)用:芯片輸出端的凸塊間距也會有所不同。

倒裝(FC)工藝所需的金屬凸塊有很多種。目前比較流行的錫凸塊 FC-BGA 封裝關(guān)鍵工藝流程如圖所示。

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在FC-BGA 封裝關(guān)鍵工藝流程中,圓片減薄、倒裝芯片和底部填充是3個關(guān)鍵工序。

1.圓片減薄

凸塊圓片減薄 ( Wafer Grinding with Bump) 就是根據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用及封裝結(jié)構(gòu)的要求,將圓片的厚度研磨到需要的厚度,如圖所示。在倒裝芯片的工藝中,圓片來料上已經(jīng)完成了凸塊的制作,因此圓片正面并不平整。由于圓片設(shè)有凸塊的區(qū)域是空心結(jié)構(gòu),所以在研磨過程中,圓片會產(chǎn)生振動,容易造成圓片龜裂甚至破片,尤其是超薄園片的研磨更有風(fēng)險。為了解決有凸塊不平整的研磨問題,大部分的研磨會采用底部填充工藝技術(shù),使圓片正面能夠保持平整,從而保證研磨過程的穩(wěn)定。目 前采用這種填充技術(shù)可將圓片厚度研磨至小于 200μm。

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2. 倒裝芯片 ( Flip Chip)

這是一種高精度的表面貼裝技術(shù)(SMT),是將芯片翻轉(zhuǎn) 180°形成芯片與錫凸塊面朝下,并采用高精度坐標對準技術(shù),將芯片錫凸塊焊接在高密度線路基板上,如圖所示。??

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在芯片倒裝工藝中,比較常用的焊接方法是高溫?zé)釅喊搴附臃ㄅc高溫回流焊接法。

高溫?zé)釅喊搴附臃ň褪窃谛酒戏讲捎脽岚逯苯觽鲗?dǎo)熱量到錫球,使錫球與錫膏軟化,再與基板進行焊接,待冷卻后形成年固的倒裝焊接,如圖所示。

高溫回流焊接法是將芯片放置在基板上,再將基板放置于高溫回流爐中,利用封閉式高溫回流爐進行問接加熱,將熱量傳導(dǎo)到錫球上,使錫球與錫齊同時軟化,待冷卻后形成牢固的倒裝焊接,如圖所示。

在倒裝芯片作業(yè)過程中,在各方應(yīng)力相互拉扯下,基板很容易產(chǎn)生翹曲現(xiàn)象,這會造成焊接出;現(xiàn)偏移、冷焊、橋接短路等質(zhì)量問題。

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3.底部填充 ( Under Fill )

底部填充就是在芯片、錫凸塊及基板了種材料之間填充底部填充料,以避免3種材料因膨賬系數(shù)(CTE)不同而產(chǎn)生剪應(yīng)力破壞。底部填充涉及流體力學(xué)、化學(xué)、熱力學(xué)及應(yīng)力學(xué)等知識,其關(guān)鍵因素是黏度、溫度、流動長度與時間。常見的底部填充方法有毛細滲膠法 與異方性焊按法。目前比較常用的是毛細滲膠法,如圖所示。依據(jù)芯片面積與填充空間的不同,毛細滲膠法又分為單針單側(cè)滲膠法與雙針雙側(cè)滲膠法。

wKgZomRLcb-AWGGpAACszoAPsZ0379.jpg






審核編輯:劉清

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原文標題:倒裝芯片球柵陣列工藝流程與技術(shù),覆晶球柵陣列封裝製程與技術(shù)

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