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半導(dǎo)體所在硅上In線的光致相變機理研究中獲進展

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2023-05-09 15:23 ? 次閱讀
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來源:半導(dǎo)體研究所

自20世紀(jì)初期,量子理論對技術(shù)發(fā)展做出了重大貢獻。盡管量子理論取得了成功,但由于缺乏非平衡量子系統(tǒng)的框架,其應(yīng)用主要限于平衡系統(tǒng)。超短激光脈沖和自由電子加速器X射線的產(chǎn)生,推動了整個非平衡超快動力學(xué)領(lǐng)域的發(fā)展。超快現(xiàn)象在物理、化學(xué)和生物等領(lǐng)域備受關(guān)注,例如光致相變、光誘導(dǎo)退磁、高能離子碰撞和分子化學(xué)反應(yīng)等。非平衡超快領(lǐng)域的實驗研究成果頗豐,已成為熱點。然而,實驗不能給出原子尺度的原子/分子位移,故關(guān)于激發(fā)態(tài)動力學(xué)的認(rèn)知存在爭議。為了探討超快動力學(xué)現(xiàn)象,理論模擬至關(guān)重要。為推動超快領(lǐng)域的發(fā)展以及揭開超快動力學(xué)過程中的諸多謎團,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所駱軍委團隊和汪林望團隊合作發(fā)展了一系列含時演化的算法,并將這些算法應(yīng)用于不同領(lǐng)域。

近期,科研人員將此算法應(yīng)用到Si的(111)表面In線相變中,解決了實驗上的較多爭議。Si的(111)表面上吸附單個銦原子層,在室溫下形成Si(111)-(4×1)-In兩個平行鋸齒形In鏈組成的量子線結(jié)構(gòu)(圖1b),具有金屬性質(zhì)。當(dāng)溫度降低到125 K以下,In原子重新排列成具有(8×2)重構(gòu)的四重晶胞扭曲六邊形(圖1a),伴隨周期性晶格畸變產(chǎn)生一維電荷密度波(CDW),并打開帶隙成為凝聚態(tài)物理中的絕緣體相(窄禁帶半導(dǎo)體)(圖1c)。激光脈沖輻照可以實現(xiàn)硅上In線在半導(dǎo)體相與金屬相間的超快轉(zhuǎn)變。然而,激光脈沖輻照下的硅上In線在轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽?dǎo)體相變后其相干聲子振蕩快速衰減,未出現(xiàn)其他量子相變材料中普遍存在的兩個相間來回振蕩的現(xiàn)象。

為了研究硅上In線在光致相變后相干聲子振蕩快速衰減的微觀機理。該工作利用含時密度泛函理論(rt-TDDFT)方法模擬了硅上In線(In/Si(111))在激光脈沖輻照下的動力學(xué)過程,在理論上重現(xiàn)了實驗中(圖1g)觀察的半導(dǎo)體相轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘傧嗟某爝^程(圖1、2)。研究發(fā)現(xiàn),激光脈沖把硅中的價電子激發(fā)到In線的表面態(tài)S1和S2導(dǎo)帶,且由于S1和S2能帶來自單個In鋸齒鏈上In dimer的成鍵態(tài),光激發(fā)形成使該In dimer變長的原子力,驅(qū)動In原子朝著半導(dǎo)體相運動,在晶格周期下In原子的集成運動形成CDW相干聲子模式,導(dǎo)致結(jié)構(gòu)相變(圖3、4)。研究表明,在轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽?dǎo)體相后,S1和S2能帶切換為跨越兩個鋸齒In鏈上的原子,這種能帶成分的轉(zhuǎn)換導(dǎo)致原子驅(qū)動力的方向旋轉(zhuǎn)約π/6,阻止In原子在CDW聲子模式中的集體運動。該研究從局域原子驅(qū)動力進行解釋,為光致相變過程提供了更簡單的物理圖像,為實驗調(diào)控結(jié)構(gòu)相變提供了直觀的理論指導(dǎo)。上述模擬均可在PWmat軟件中實現(xiàn)。

相關(guān)研究成果以O(shè)rigin of Immediate Damping of Coherent Oscillations in Photoinduced Charge-Density-Wave Transition為題,發(fā)表在《物理評論快報》(Physical Review Letters)上。研究工作得到國家自然科學(xué)基金國家杰出青年科學(xué)基金項目、中科院前沿科學(xué)重點研究計劃和中科院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項等的支持。

「鏈接」

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圖1.光誘導(dǎo)半導(dǎo)體相(CDW)到金屬相相變的動力學(xué)模擬及實驗對比

wKgaomRZ9OyAMkV0AAHsnjeIetY714.jpg

圖2.原子結(jié)構(gòu)、原子受力和光激發(fā)電子分布隨時間的演化

蘇州會議

雅時國際(ACT International)將于2023年5月,在蘇州組織舉辦主題為“2023-半導(dǎo)體先進技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展和機遇大會”。會議包括兩個專題:半導(dǎo)體制造與封裝、化合物半導(dǎo)體先進技術(shù)及應(yīng)用。分別以“CHIP China晶芯研討會”和“化合物半導(dǎo)體先進技術(shù)及應(yīng)用大會”兩場論壇的形式同時進行。詳情點擊鏈接查看:https://w.lwc.cn/s/7jmaMn


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審核編輯黃宇

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