DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導體缺陷和雜質性質的第一性原理計算模擬軟件包，該軟件包能針對輸入的半導體晶體結構，基于材料基因組數(shù)據(jù)庫和第一性原理軟件包，自動計算并輸出半導體的熱力學穩(wěn)定性，缺陷和雜質形成能及離化能級，半導體樣品中缺陷、雜質和載流子濃度及費米能級，關鍵缺陷和雜質誘導的光致發(fā)光譜、載流子輻射和非輻射俘獲截面及少子壽命。

針對任一半導體，DASP軟件可以計算給出如下性質：熱力學穩(wěn)定性、元素化學勢空間的穩(wěn)定范圍、缺陷（含雜質，下同）形成能、缺陷轉變能級、各生長條件下的費米能級、載流子和缺陷濃度、缺陷的光致發(fā)光譜、缺陷對載流子的俘獲截面、輻射和非輻射復合速率等。

本期將給大家介紹DASP 雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預測 5.5-5.5.1.1 的內容。

5.5. 雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預測

在以上的案例中，我們展示了TSC模塊可以計算元素化學勢，用于DEC模塊的缺陷形成能計算。此外，TSC也可以獨立運行來分析目標化合物的穩(wěn)定性，而無需先行做PREPARE模塊的計算。

在dasp.in中設置tsc_only = T，可以直接運行TSC模塊，待TSC結束第一階段分析后，將自行做level = 1的第二階段分析。

以下示例為 Cs2AgBiCl6 與 Rb2LiInI、 K2LiYF6 三種雙鈣鈦礦材料的分析過程。

5.5.1. Cs2AgBiCl6 （預測結果：穩(wěn)定）

5.5.1.1. 準備文件

利用 TSC 模塊快速分析材料穩(wěn)定性的第一步仍然是準備好POSCAR與dasp.in文件。

材料 Cs2AgBiCl6 的POSCAR文件可參考 Materials Project 數(shù)據(jù)庫獲得，需用戶自行優(yōu)化或設置晶體結構。本案例采取的POSCAR文件如下：

在dasp.in文件中，用戶需根據(jù)自身情況設置任務腳本相關參數(shù)，并設置tsc_only = T以及database_api。

其中，對于 TSC 模塊的參數(shù)：

tsc_only = T # 僅進行 level = 1 的穩(wěn)定性快速分析。

plot_3d = T # 對四元化合物，本模塊可輸出三維相圖（僅供用戶參考），該參數(shù)默認為F，設置為T即可輸出三維相圖。

審核編輯 ：李倩