一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

ROHM具有業(yè)界高性能的650V耐壓GaN HEMT

皇華ameya ? 來源:年輕是一場旅行 ? 作者:年輕是一場旅行 ? 2023-05-18 16:34 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn),這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。

據(jù)悉,電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半,為實現(xiàn)無碳社會,如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵,SiC(Silicon Carbide:碳化硅)和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年,ROHM將柵極耐壓高達(dá)8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產(chǎn);2023年3月,又確立了能夠更大程度地發(fā)揮出GaN性能的控制IC技術(shù)。此次,為了助力各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化,ROHM又推出器件性能達(dá)到業(yè)界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。

新產(chǎn)品是ROHM與Delta Electronics, Inc.(以下簡稱“臺達(dá)電子”)的子公司——專注于GaN元器件開發(fā)的Ancora Semiconductors Inc.(以下簡稱“碇基半導(dǎo)體”)聯(lián)合開發(fā)而成的,在650V GaN HEMT的器件性能指數(shù)(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss*2)方面,達(dá)到了業(yè)界超高水平。因此,新產(chǎn)品可以大大降低開關(guān)損耗,從而能夠進(jìn)一步提高電源系統(tǒng)的效率。另外,新產(chǎn)品還內(nèi)置ESD*3保護(hù)器件,將抗靜電能力提高至3.5kV,這將有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的可靠性。不僅如此,新產(chǎn)品還具有GaN HEMT器件的優(yōu)勢——高速開關(guān)工作,從而有助于外圍元器件的小型化。

新產(chǎn)品已于2023年4月起投入量產(chǎn)(樣品價格 5,000日元/個,不含稅),并已開始網(wǎng)售,通過Ameya360等電商平臺可購買。

ROHM將有助于應(yīng)用產(chǎn)品的節(jié)能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN?系列”,并不斷致力于進(jìn)一步提高器件的性能。另外,除了元器件的開發(fā),ROHM還積極與業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系并推動聯(lián)合開發(fā),通過助力應(yīng)用產(chǎn)品的效率提升和小型化,持續(xù)為解決社會問題貢獻(xiàn)力量。

<什么是EcoGaN?>

EcoGaN?是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能,助力應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件,該系列產(chǎn)品有助于應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗、實現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設(shè)計工時和元器件數(shù)量等。

<應(yīng)用示例>包括服務(wù)器和AC適配器在內(nèi)的各種工業(yè)設(shè)備和消費電子領(lǐng)域的電源系統(tǒng)

審核編輯黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    2190

    瀏覽量

    76449
  • HEMT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    74

    瀏覽量

    13446
  • Rohm
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    382

    瀏覽量

    66793
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊

    該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場長期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaN HEMT和Si驅(qū)動器集成于ROHM自有封裝,
    的頭像 發(fā)表于 03-09 17:37 ?398次閱讀
    BM3G015MUV-LB <b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> 功率級IC數(shù)據(jù)手冊

    BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊

    該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將650V增強型GaN HEMT和硅驅(qū)動器集成
    的頭像 發(fā)表于 03-09 16:38 ?367次閱讀
    BM3G115MUV-LB <b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> 功率級IC數(shù)據(jù)手冊

    GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

    GaN元器件開發(fā)的Ancora Semiconductors Inc.聯(lián)合開發(fā)而成的,在650V GaNHEMT的器件性能指數(shù)方面,達(dá)到了業(yè)界超高水平
    的頭像 發(fā)表于 03-07 16:45 ?397次閱讀
    GNP1150TCA-Z <b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> 數(shù)據(jù)手冊

    GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

    GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
    的頭像 發(fā)表于 03-07 15:46 ?454次閱讀
    GNP1070TC-Z <b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> 數(shù)據(jù)手冊

    羅姆EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT被村田AI服務(wù)器電源采用

    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT,被先進(jìn)的
    的頭像 發(fā)表于 02-26 15:41 ?483次閱讀

    技術(shù)文檔:LMG3616 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 650V 270mΩ GaN FET

    LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
    的頭像 發(fā)表于 02-24 10:43 ?644次閱讀
    技術(shù)文檔:LMG3616 <b class='flag-5'>具有</b>集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 <b class='flag-5'>650V</b> 270mΩ <b class='flag-5'>GaN</b> FET

    技術(shù)資料#LMG3612 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 650V 120mΩ GaN FET

    LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
    的頭像 發(fā)表于 02-24 10:21 ?669次閱讀
    技術(shù)資料#LMG3612 <b class='flag-5'>具有</b>集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 <b class='flag-5'>650V</b> 120mΩ <b class='flag-5'>GaN</b> FET

    LMG3614 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

    LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
    的頭像 發(fā)表于 02-21 14:37 ?366次閱讀
    LMG3614 <b class='flag-5'>具有</b>集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 <b class='flag-5'>650V</b> 170mΩ <b class='flag-5'>GaN</b> FET概述

    ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT

    具有廣泛的應(yīng)用前景。ROHM此次量產(chǎn)的“GNP2070TD-Z”正是基于TOLL封裝的650V耐壓GaN
    的頭像 發(fā)表于 02-18 10:03 ?545次閱讀

    AMEYA360代理:羅姆650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT *1 “GNP2
    的頭像 發(fā)表于 02-17 15:42 ?279次閱讀
    AMEYA360代理:羅姆<b class='flag-5'>650V</b><b class='flag-5'>耐壓</b><b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>新增小型、高散熱TOLL封裝

    650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

    ~同時加快車載GaN器件的開發(fā)速度,以盡快投入量產(chǎn)~ ? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓
    的頭像 發(fā)表于 02-13 14:29 ?397次閱讀
    <b class='flag-5'>650V</b><b class='flag-5'>耐壓</b><b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>新增小型、高散熱TOLL封裝

    為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

    650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
    的頭像 發(fā)表于 01-23 16:27 ?721次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>650V</b> SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓<b class='flag-5'>GaN</b>氮化鎵器件?

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
    發(fā)表于 01-22 10:43

    汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設(shè)計和性能

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設(shè)計和性能.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 09-24 11:27 ?0次下載
    汽車<b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>GaN</b>功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設(shè)計和<b class='flag-5'>性能</b>