BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
該產(chǎn)品是工業(yè)設備市場的一流產(chǎn)品。這是在這些應用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將650V增強型GaN HEMT和硅驅(qū)動器集成到ROHM的原始封裝中，與傳統(tǒng)的分立解決方案相比，由PCB和引線鍵合引起的寄生電感顯著降低。因此，可以實現(xiàn)高達150V/ns的高開關壓擺率。另一方面，可調(diào)柵極驅(qū)動強度有助于降低EMI，各種保護和其它附加功能可優(yōu)化成本和PCB尺寸。該IC旨在適應現(xiàn)有的主要控制器，因此它也可以用來取代傳統(tǒng)的分立功率開關，如超級結MOSFET。
*附件：BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊.pdf
主要規(guī)格
型號| BM3G115MUV-LBE2
封裝| VQFN046V8080
包裝形態(tài)| 磁帶錄音
包裝數(shù)量| 1000
最小獨立包裝數(shù)量| 1000
特點：
- Nano Cap集成5 V LDO
- VDD引腳電壓的寬工作范圍
- IN引腳電壓的寬工作范圍
- 低VDD靜態(tài)和工作電流
- 低傳播延遲
- 高dv/dt免疫
- 可調(diào)柵極驅(qū)動強度
- 電源良好信號輸出
- VDD UVLO保護
- 熱關斷保護
應用
典型應用電路
引腳配置
引腳描述
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