在塵土飛揚(yáng)的沙漠道路上的某個(gè)地方,巡邏以維持和平或向日益虛幻的敵人前進(jìn)的部隊(duì)正在密切關(guān)注無線電控制的簡(jiǎn)易爆炸裝置(RCIED)。這些隱藏在路上、插在路燈上或被其他誘餌隱藏的威脅,奪去了許多士兵和無數(shù)平民的生命。
像這樣的威脅已經(jīng)離家更近,執(zhí)法部門的任務(wù)是保護(hù)重要的政府大樓、住所和重要官員的車輛。
卡住扳機(jī)
軍方和執(zhí)法部門使用的反RCIED設(shè)備依賴于干擾無線觸發(fā)信號(hào)。它們可以安裝在車上,可運(yùn)輸或人工攜帶,但它們都使用三種常見的干擾技術(shù)之一 - 掃頻連續(xù)波(CW),點(diǎn)和彈幕。
在掃描CW中,載波頻率被“掃描”到各種可疑頻率范圍內(nèi)。掃描頻率必須足夠高,以拒絕觸發(fā)信號(hào)引爆的時(shí)間,同時(shí)又足夠慢,以使RCIED接收器有時(shí)間響應(yīng)干擾信號(hào)。在這些挑戰(zhàn)之間做出可接受的權(quán)衡需要強(qiáng)大的力量。
點(diǎn)干擾通過針對(duì)已知頻率來工作,這就是挑戰(zhàn)所在,因?yàn)樵擃l率通常是未知的。因此,干擾器不僅必須能夠檢測(cè)和確定觸發(fā)頻率(通常在存在合法信號(hào)干擾的情況下),而且還必須將干擾器調(diào)諧到該頻率,并且非??焖俚赝瓿伤胁僮?。
彈幕技術(shù)克服了不知道頻率的問題,對(duì)噪聲調(diào)制干擾信號(hào)使用寬帶寬,使其覆蓋整個(gè)通信頻段,而不僅僅是一個(gè)通道。由于噪聲分布在大帶寬上,因此需要高RF功率才能有效。
無論干擾技術(shù)和其他功能(如網(wǎng)絡(luò)和現(xiàn)場(chǎng)可編程性)如何,所有反RCIED干擾器都必須滿足以下要求:
寬帶寬上的高射頻發(fā)射功率,可實(shí)現(xiàn)有效干擾
在寬帶寬范圍內(nèi)始終如一的高增益和高效率,支持使用電池供電運(yùn)行
體積小,重量輕,便于運(yùn)輸
使能技術(shù):碳化硅上的氮化鎵(SiC)
氮化鎵(GaN)是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器(PA)的主要技術(shù)。GaN 具有獨(dú)特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場(chǎng)比其他射頻半導(dǎo)體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因,也是功率密度能力的原因。因此,GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。
最好的技術(shù)中的最好
然而,并非所有氮化鎵器件都是平等的。在另一種寬帶隙半導(dǎo)體碳化硅 (SiC) 的襯底上,Wolfspeed 的 GaN on SiC 器件是自創(chuàng)建業(yè)界首款 GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 以來二十多年經(jīng)驗(yàn)的成果。
Wolfspeed使用SiC而不是Si作為基底,因?yàn)榕cGaN的晶格結(jié)構(gòu)匹配更好,并且SiC的導(dǎo)熱系數(shù)比Si高近三倍。這建立在GaN的優(yōu)勢(shì)之上,以實(shí)現(xiàn)卓越的功率密度。
CG2H30070F是一款具有輸入匹配功能的器件,可在500 MHz至3 GHz的寬范圍內(nèi)提供盡可能高的瞬時(shí)寬帶性能。該器件采用 2 引腳金屬/陶瓷法蘭封裝,可實(shí)現(xiàn)最佳的電氣和熱性能。
在連續(xù)波模式下,VDD 28 V、IDQ 1 A 和 PIN = 38 dBm 時(shí),該器件的典型功率增益為 12 dB,輸出功率為 50 W,漏極效率為 71%。HEMT 足夠堅(jiān)固,可以承受 5:1 的輸出失配應(yīng)力 (VSWR),這是一個(gè)重要的參數(shù),因?yàn)楦蓴_器設(shè)備必須對(duì)信號(hào)干擾具有魯棒性。
圖 1:CG2H30070F-AMP2 通過組合兩個(gè) HEMT 實(shí)現(xiàn) 100 W 連續(xù)波。
CG2H30070F-AMP2參考板(圖1)結(jié)合了其中兩個(gè)HEMT,可在整個(gè)帶寬內(nèi)瞬間實(shí)現(xiàn)100 W CW。它在整個(gè)指定頻率范圍內(nèi)提供高效率和幾乎平坦的增益(圖 2)。
圖 2:帶耦合器的 CG2H30070F-AMP2 放大器的輸出功率、功率增益和漏極效率與頻率的關(guān)系。VDD = 28 V,IDQ = 2 A,PIN = 42.5 dBm,溫度 = 25°C。
對(duì)于其參考設(shè)計(jì),Wolfspeed 使用其高精度大信號(hào)晶體管模型(可根據(jù)要求提供),并通過對(duì)無源元件進(jìn)行建模來考慮焊盤寄生效應(yīng)。這樣可以更輕松地實(shí)現(xiàn)首次通過成功。
審核編輯:郭婷
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