半導體激光器面向VCSEL的干法工藝流程解析
作為自動駕駛所需的LiDAR等3D傳感技術(shù)的光源，半導體激光器的市場變得活躍起來。其中之一是具有小型化、節(jié)能等優(yōu)點的VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser），下面介紹面向VCSEL的干法工藝。
VCSEL制造工藝
1. 外延生長
在GaAs（砷化鎵）襯底上，通過分子束外延生長由
多個周期的AlGaAs（砷化鋁鎵）/GaAs層堆疊在一起的
AlGaAs/GaAs系DBR（分布反射型Distributed
Bragg Reflector）。
2. Patterning＆Mask形成
為了將外延層做成被稱為 Mesa 的圓柱形，制作一個掩模圖案。
3. Mesa加工
用干法蝕刻進行Mesa加工。
4. 氧化狹窄＆保護膜形成
活性層附近設計的特定AlGaAs層通過濕法氧化而氧化狹窄
（氧化狹窄層作為電流和光的封閉結(jié)構(gòu)，
成為影響VCSEL特性的非常重要的層）。另外，沉積Mesa側(cè)壁保護膜。
5. 電極形成
n型、p型電極形成。
編輯：黃飛
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原文標題：【半導光電】VCSEL制造工藝全流程
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