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半導體器件可靠性測試環(huán)境試驗

jf_68417261 ? 來源:jf_68417261 ? 作者:jf_68417261 ? 2023-06-14 11:40 ? 次閱讀
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在器件使用的自然環(huán)境中,溫度和濕度是不可分割的兩個因素。不同地區(qū),器件應用于不同的地理位置,所處工作環(huán)境的溫度、濕度也各不相同。溫濕度循環(huán)試驗可以用來確認產(chǎn)品在溫濕度氣候環(huán)境條件下儲存、運輸以及使用適應性。

環(huán)境試驗的試驗范圍很廣,包括高溫,低溫,溫度沖擊(氣態(tài)及液態(tài)),浸漬,溫度循環(huán),低壓,高壓,高壓蒸煮,砂塵,鹽霧腐蝕,霉菌,太陽輻射等。


下面舉幾個常見的溫濕度試驗:

1.偏壓濕熱(thb)。測試條件:85℃,85%濕度,一般試驗時間為1000h。參考測試標準jesd22-a101

2.高加速應力試驗(hast)。測試條件:133℃,85%濕度,偏壓250kpa,一般試驗時間為96h。參考測試標準:jesd22-a110

3.無偏壓高加速應力試驗(uhst)。測試條件:110℃,85%濕度。一般試驗時間為264h。參考測試標準:jedsd22-a118

thb/hast可造成的器件影響:191-0751-6775
(1)加速水分的侵入和雜質(zhì)移動
(2)影響電化學敏感的區(qū)域,例如地表面粘結(jié)墊發(fā)生腐蝕。
(3)器件周邊結(jié)果發(fā)生腐蝕
(4)水分通過縫隙、裂紋進入器件影響內(nèi)部

4.高壓蒸煮(ac)。測試條件:121℃,百%濕度,一般試驗時間為96h。參考測試標準:jeds22-a102。

5.無偏壓濕熱(th)。測試條件:85℃,85%濕度,一般試驗時間為1000h。參考測試標準:jeds22-a101。


設備能力:
溫度0~200(℃);濕度0~100(%rh)


常規(guī)條件:
ppot:121℃,100%rh,205kpa(2atm),nobias

uhst:130℃,85%rh,250kpa,nobias

試驗常見的器件失效情況:鍵合處腐蝕,形成樹突。

審核編輯黃宇

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