近期，公司控股子公司振華永光傳來了好消息：第6代IGBT功率模塊迎來窗口期，而第7代IGBT功率模塊也成功研制出來。

根據(jù)振華永光的數(shù)據(jù)顯示，截至2023年5月31日，第6代IGBT功率模塊的用戶數(shù)量同比增長42.9%，訂貨金額同比增長超過100%。這是由于第6代IGBT功率模塊具有優(yōu)良的開關(guān)損耗和可靠性表現(xiàn)，未來在伺服電機(jī)、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域預(yù)計會有良好的表現(xiàn)。

在2023年6月，振華永光成功研制出了1200V/900A功率模塊的第7代IGBT芯片。該產(chǎn)品的參數(shù)性能完全與世界一流企業(yè)的第7代同類產(chǎn)品相當(dāng)。

IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導(dǎo)型器件，被譽(yù)為電力電子行業(yè)的 “CPU”。IGBT代表絕緣柵雙極型晶體管，是國際公認(rèn)的電力電子技術(shù)的第三次革命最具代表性的產(chǎn)品。作為工業(yè)控制及自動化領(lǐng)域的核心元器件，IGBT能夠根據(jù)信號指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率和相位等，以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的。IGBT廣泛應(yīng)用于電機(jī)節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等眾多領(lǐng)域。

第7代IGBT芯片基于全新的微溝槽技術(shù)開發(fā)，相比第6代IGBT芯片，靜態(tài)損耗降低了30%。該芯片可應(yīng)用于功率模塊中，帶來更高的電流密度，使相同封裝體積下的輸出電流能力增加50%以上。此外，第7代IGBT功率模塊的最高結(jié)溫從第6代的150℃提升到175℃，具有廣闊的市場前景。