一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-03-05 10:43 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果

8.2.10 反型層電子遷移率

8.2 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)

第8章單極型功率開(kāi)關(guān)器件

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

a11da80e-9bdd-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

a133f10e-9bdd-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

a15d3d02-9bdd-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

a171d26c-9bdd-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

a183a65e-9bdd-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3222

    瀏覽量

    65160
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過(guò)渡?

    ,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)(圖1),這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。 表1 硅器件(Si)與
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?642次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過(guò)渡?

    國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

    器件設(shè)計(jì)公司正在加速被市場(chǎng)拋棄:碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司出現(xiàn)倒閉潮,這是是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果。結(jié)合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務(wù)動(dòng)態(tài),可從以下維度分析這一趨勢(shì): 1.
    的頭像 發(fā)表于 02-24 14:04 ?548次閱讀
    國(guó)內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然<b class='flag-5'>結(jié)果</b>

    減少減薄碳化硅紋路的方法

    碳化硅SiC)作為一種高性能半導(dǎo)體材料,因其出色的熱穩(wěn)定性、高硬度和高電子遷移率,在電力電子、微電子、光電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在SiC器件
    的頭像 發(fā)表于 01-06 14:51 ?392次閱讀
    減少減薄<b class='flag-5'>碳化硅</b>紋路的方法

    什么是MOSFET柵極氧化?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化
    發(fā)表于 01-04 12:37

    8英寸單片高溫碳化硅外延生長(zhǎng)室結(jié)構(gòu)

    隨著碳化硅SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)變得尤為重要。8英寸
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?398次閱讀
    8英寸單片高溫<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生長(zhǎng)</b>室結(jié)構(gòu)

    碳化硅MOSFET柵極氧化缺陷的檢測(cè)技術(shù)

    在高效電能轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域具有不可替代的優(yōu)勢(shì),正逐漸成為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的主流選擇。碳化硅器件技術(shù)挑戰(zhàn)盡管SiC器件性能優(yōu)越,但其單晶和外延材料
    的頭像 發(fā)表于 12-06 17:25 ?1443次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET柵極氧化<b class='flag-5'>層</b>缺陷的檢測(cè)<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    磨料形貌及分散介質(zhì)對(duì)4H碳化硅晶片研磨質(zhì)量有哪些影響

    磨料形貌及分散介質(zhì)對(duì)4H碳化硅4H-SiC)晶片研磨質(zhì)量具有顯著影響。以下是對(duì)這一影響的詳細(xì)分析: 一、磨料形貌的影響 磨料形貌是研磨過(guò)程中影響4H-SiC晶片質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一。
    的頭像 發(fā)表于 12-05 14:14 ?492次閱讀
    磨料形貌及分散介質(zhì)對(duì)<b class='flag-5'>4H</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>晶片研磨質(zhì)量有哪些影響

    碳化硅SiC在光電器件中的使用

    。 高熱導(dǎo)率 :SiC的熱導(dǎo)率是Si的三倍以上,有助于器件的散熱。 高電子飽和速度 :SiC的電子飽和速度高于Si,適合于高速電子器件。 化學(xué)穩(wěn)定性 :
    的頭像 發(fā)表于 11-25 18:10 ?1763次閱讀

    碳化硅SiC在電子器件中的應(yīng)用

    隨著科技的不斷進(jìn)步,電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅(Si)材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限,尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅SiC)作為一種寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料,因其卓越的電學(xué)
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:30 ?1887次閱讀

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    碳化硅SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?590次閱讀

    SiC MOSFET溝道遷移率提升工藝介紹

    過(guò)去三十年,碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問(wèn)題是——碳化硅與柵氧化之間的界面處存在著大量的缺陷。在NMOS中,
    的頭像 發(fā)表于 10-16 11:29 ?1715次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET溝道<b class='flag-5'>遷移率</b>提升工藝介紹

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅SiC)功率器件近年來(lái)在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?1246次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?1143次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別是什么

    以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場(chǎng)。這使得
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?3057次閱讀

    詳解電力電子領(lǐng)域碳化硅(SiC)的熱行為

    碳化硅(SiC)在功率電子學(xué)中相比傳統(tǒng)的硅工藝技術(shù)具有眾多優(yōu)勢(shì)。它結(jié)合了更高的電子遷移率、更寬的帶隙和更好的熱導(dǎo)率。得益于這些特性,SiC
    的頭像 發(fā)表于 07-19 11:49 ?5.9w次閱讀
    詳解電力電子領(lǐng)域<b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)的熱行為