12.3.3 光探測(cè)器∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
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發(fā)表于 01-04 12:37
8英寸單片高溫碳化硅外延生長(zhǎng)室結(jié)構(gòu)
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碳化硅SiC在光電器件中的使用
。 高熱導(dǎo)率 ：SiC的熱導(dǎo)率是Si的三倍以上，有助于器件的散熱。 高電子飽和速度 ：SiC的電子飽和速度高于Si，適合于高速電子器件。 化學(xué)穩(wěn)定性 ：SiC在高溫下具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，適合于惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。 碳化硅在光電
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