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通用分立功率半導(dǎo)體

測試評估平臺

型號為EVAL_PS_DP_MAIN，適用產(chǎn)品為600-1200V的TO-247-3/4封裝的IGBT，MOSFET，SiC MOSFET。

該評估平臺的開發(fā)是為了讓工程師研究MOSFET、IGBT及其驅(qū)動器的開關(guān)行為，適用產(chǎn)品為600-1200V的TO-247-3/4封裝的IGBT，MOSFET， SiC MOSFET，它是現(xiàn)有雙脈沖平臺的改進版，該主板的最大電壓為800V，最大脈沖電流為130A。

評估平臺包括主板和目前的兩個驅(qū)動子板。模塊化設(shè)計是為了使該平臺能夠在將來用新的驅(qū)動子板進行擴展。

第一塊驅(qū)動卡

REF-1EDC20I12MHDPV2

包含EiceDRIVER 1EDC Compact 1EDC20I12MH，它集成了一個有源米勒鉗，防止寄生開啟。

第二塊驅(qū)動卡

REF-1EDC60H12AHDPV2

包括EiceDRIVER 1EDC Compact 1EDC60H12AH，允許正負電源供電，其中VCC2為+15V，GND2為負極。

產(chǎn)品特點

VCC2柵極驅(qū)動電壓供應(yīng)，從-5V到+20V

VCC1電源固定在+5V

通過SMA-BNC連接器進行柵極測試點連接

通過可選的同軸分流器測量電流

優(yōu)化的換流回路

外部負載電感器連接

散熱器設(shè)計允許在各種溫度下進行測試

應(yīng)用價值

可以作為客戶系統(tǒng)中驅(qū)動設(shè)計的參考

可以對TO-247-3/4封裝的IGBT，MOSFET, SiC MOSFET進行對比測試

模塊化平臺允許未來進行擴展

平臺框圖