6.1.6 離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.1.6 離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成
6.1 離子注入
第６章碳化硅器件工藝
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
2968瀏覽量
49910
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
芯片離子注入后退火會(huì)引入的工藝問題
本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會(huì)引入的工藝問題：射程末端（EOR）缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子注入
碳化硅功率器件的特性和應(yīng)用
隨著全球能源需求的快速增長和對(duì)可再生能源的重視，電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過程中，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其優(yōu)越的性能，正在逐步取代
碳化硅在半導(dǎo)體中的作用
碳化硅（SiC）在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色，其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作
離子注入工藝中的重要參數(shù)和監(jiān)控手段
本文簡單介紹了離子注入工藝中的重要參數(shù)和離子注入工藝的監(jiān)控手段。 在硅晶圓制造過程中，離子的分布狀況對(duì)器
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件
發(fā)表于 01-04 12:37
離子注入的目的及退火過程
離子注入后退火是半導(dǎo)體器件制造中的一個(gè)關(guān)鍵步驟，它影響著器件的性能和可靠性。 離子注入是將摻雜劑
溝槽結(jié)構(gòu)碳化硅的外延填充方法
一、引言
溝槽結(jié)構(gòu)碳化硅的外延填充方法是指通過在碳化硅襯底上形成的溝槽內(nèi)填充高質(zhì)量的外延層，以實(shí)現(xiàn)器件的電學(xué)和熱學(xué)性能要求。這一過程中，不僅要保證外延層的填充率，還要避免空洞和
激光退火后，碳化硅襯底TTV變化管控
一、激光退火在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn)
激光退火是一種先進(jìn)的熱處理技術(shù)，通過局部高溫作用，能夠修復(fù)碳
碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測(cè)技術(shù)
碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢(shì)碳化硅（SiC）作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，相較于傳統(tǒng)硅基器件，展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導(dǎo)
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應(yīng)用
能源轉(zhuǎn)換、電力傳輸和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理和特點(diǎn)，并探討其在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應(yīng)用，引領(lǐng)高效能源轉(zhuǎn)換的未來之光。
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用
碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)，因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用
碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用
碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率
住友重工2025年擬推碳化硅離子注入機(jī)
盡管SiC制造過程中的多數(shù)設(shè)備與常規(guī)硅類通用，但因其具備高硬度特性，需要專屬設(shè)備支持，包括高級(jí)別的高溫離子注入機(jī)、強(qiáng)效的碳膜濺射儀以及大規(guī)模的高溫退火爐等。其中，能否擁有高溫離子注入機(jī)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論