杰華特推出JW1565氮化鎵合封芯片，滿足65W快充應(yīng)用

伴隨著65W氮化鎵快充的發(fā)展，電源技術(shù)在不斷迭代。從傳統(tǒng)控制器+驅(qū)動(dòng)器+氮化鎵開(kāi)關(guān)管，多顆芯片的原邊方案，再到控制器直驅(qū)氮化鎵兩顆芯片的電源方案，已經(jīng)大幅簡(jiǎn)化了氮化鎵快充的電路。但隨著電源工程師們對(duì)集成度以及效率等參數(shù)的不斷追求，氮化鎵快充早已進(jìn)入到合封時(shí)代。

杰華特推出了一款外圍極簡(jiǎn)的高集成氮化鎵合封芯片JW1565，這款合封芯片采用WDFN6*8封裝，體積小巧，內(nèi)部集成反激控制器，氮化鎵驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵功率管，采用準(zhǔn)諧振反激模式運(yùn)行，能夠降低開(kāi)關(guān)損耗，改善EMI并提高電源能效。JW1565適配65-100W應(yīng)用，滿足手機(jī)和筆記本供電需求。

圖為杰華特 JW1565氮化鎵合封芯片，這款合封芯片將高頻氮化鎵直驅(qū)控制器，氮化鎵功率管合封在一個(gè)封裝內(nèi)部，能夠減小傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中走線寄生參數(shù)對(duì)高頻開(kāi)關(guān)的影響，同時(shí)采用負(fù)壓采樣，消除取樣電阻壓降對(duì)于氮化鎵驅(qū)動(dòng)電壓精度的影響。JW1565支持260KHz開(kāi)關(guān)頻率，支持90V供電電壓，無(wú)需外置LDO即可滿足3.3-21V寬電壓輸出。

杰華特JW1565是一顆采用反激拓?fù)洌瑑?nèi)部集成氮化鎵的原邊合封芯片。JW1565支持高壓啟動(dòng)和X電容放電，能夠有效減小充電器的待機(jī)功耗，內(nèi)置650V耐壓，導(dǎo)阻260mΩ的氮化鎵開(kāi)關(guān)管，通過(guò)反激降低開(kāi)關(guān)損耗，內(nèi)置抖頻提升EMI性能。JW1565支持65W快充應(yīng)用，搭配PFC可用于100W快充應(yīng)用。

杰華特JW1565內(nèi)置頻率限制以提高轉(zhuǎn)換效率，采用負(fù)壓電流采樣來(lái)減小氮化鎵的驅(qū)動(dòng)環(huán)路，驅(qū)動(dòng)電壓不受電流采樣電阻壓降影響，充分發(fā)揮氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)并提高可靠性。同時(shí)芯片將功率走線和信號(hào)走線區(qū)分開(kāi)，便于走線，進(jìn)一步簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。內(nèi)置可選的過(guò)流保護(hù)和過(guò)功率保護(hù)功能，用于不同的PD快充輸出保護(hù)。

JW1565內(nèi)置了豐富完善的保護(hù)功能，包括逐周期電流限制，供電過(guò)壓保護(hù)，電壓采樣過(guò)壓、欠壓保護(hù)，電流取樣電阻開(kāi)路保護(hù)，過(guò)流保護(hù)和過(guò)功率保護(hù)，芯片內(nèi)置過(guò)熱保護(hù)等。

杰華特JW1565采用WDFN6*8-8封裝，芯片底部為大面積散熱焊盤(pán)，有助于降低大功率輸出的溫升。適用于PD快充適配器以及寬范圍輸出的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

杰華特JW1565是一顆高集成度的氮化鎵合封芯片，內(nèi)部集成高壓?jiǎn)?dòng)，支持高達(dá)90V的寬范圍供電電壓，無(wú)需額外使用其他芯片實(shí)現(xiàn)功能，簡(jiǎn)化電源原邊設(shè)計(jì)。同時(shí)負(fù)壓采樣的應(yīng)用，在合封降低寄生參數(shù)的前提下，進(jìn)一步提高了氮化鎵驅(qū)動(dòng)電壓精度，充分發(fā)揮了氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)。

JW1565滿足65-100W氮化鎵快充應(yīng)用需求，支持單口寬電壓輸出和固定電壓多口輸出，全方位滿足快充設(shè)計(jì)要求。WDFN封裝易于散熱，有效降低器件溫升，降低散熱需求。