功率半導(dǎo)體器件是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，主要用途包括逆變、變頻等，在家用電器、新能源汽車、工業(yè)制造、通訊等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。小型化、集成化、大功率、低功耗是功率半導(dǎo)體的主要發(fā)展方向，這些趨勢(shì)也對(duì)自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備提出了更高的要求。SPEA長(zhǎng)期深耕半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)，持續(xù)探索并突破核心檢測(cè)技術(shù)，公司出品的DOT800T功率半導(dǎo)體測(cè)試儀在檢測(cè)速度、精度、動(dòng)態(tài)雜散電感等關(guān)鍵性能指標(biāo)處于全球領(lǐng)先地位。

DOT800T將一整套的功率測(cè)試解決方案整合到了單臺(tái)設(shè)備之中，提供了在全范圍功率應(yīng)用中進(jìn)行 ISO、AC、DC 測(cè)試所需的所有資源，從晶圓級(jí)到最終產(chǎn)品，均可輕松完成。

DOT800T 不但解決了傳統(tǒng)硅電子器件的測(cè)試要求，也解決了氮化鎵和氮化硅等新技術(shù)帶來(lái)的測(cè)試要求，覆蓋了這些產(chǎn)品的性能范圍，包括最高電壓和電流源，高頻低電流測(cè)量等需求。

我們已經(jīng)利用完整且精確的動(dòng)態(tài)測(cè)試和靜態(tài)測(cè)試以及隔離測(cè)試序列驗(yàn)證了該型產(chǎn)品在實(shí)際工作條件下的測(cè)試能力，能夠充分檢測(cè)確保各種器件的質(zhì)量和可靠性。

所有這些，都集成在了一套高處理量、模塊化且可配置的測(cè)試儀之中，這款測(cè)試儀專門針對(duì)批量生產(chǎn)環(huán)境中的測(cè)試需求而設(shè)計(jì)。

DOT800T

單套測(cè)試平臺(tái)即可覆蓋全范圍功率應(yīng)用

晶圓

能夠?qū)A級(jí)的功率器件進(jìn)行完整測(cè)試，改善良品率，降低成本，為下一步的制造工序做好準(zhǔn)備

KGD

能夠?qū)δz片框架中的單個(gè)芯片進(jìn)行完整測(cè)試，驗(yàn)證已知合格芯片的性能

分立器件

能夠?qū)?Si / SiC / GaN 技術(shù)生產(chǎn)的各種分立器件進(jìn)行完整測(cè)試

IPM

能夠?qū)?a target="_blank">智能功率模塊的 IGBT 和驅(qū)動(dòng)器組件進(jìn)行完整測(cè)試

DBC

能夠在模塊裝配之前對(duì)直接粘合的銅質(zhì)基板進(jìn)行完整的測(cè)試

IGBT

能夠?qū)σ逊庋b的 IGBT 模塊進(jìn)行實(shí)際工作條件下的完整測(cè)試

DOT800T

一套測(cè)試儀最多可匹配6個(gè)測(cè)試站

DOT800T 基于多核心架構(gòu)：測(cè)試儀可配備一個(gè)到六個(gè)獨(dú)立且可配置的測(cè)試核心，來(lái)在不同的專門測(cè)試站上執(zhí)行 ISO 測(cè)試、AC 測(cè)試和 DC 測(cè)試，每一個(gè)測(cè)試站都配備有專用獨(dú)立控制器。有了這一套系統(tǒng)，您獲得的將是六臺(tái)強(qiáng)大測(cè)試儀的測(cè)試能力和出色性能?？筛鶕?jù)具體的要求和操作流程，將測(cè)試儀不同的核心指定用作 AC、DC 或 ISO 測(cè)試站?？稍诂F(xiàn)場(chǎng)對(duì)測(cè)試儀的配置進(jìn)行擴(kuò)展和升級(jí)，滿足不同器件測(cè)試對(duì)測(cè)試儀的要求。不同的測(cè)試程序可在真正的并行異步模式下進(jìn)行，每個(gè)測(cè)試核心的控制器都能夠管理相應(yīng)的測(cè)試資源、儀器連接和測(cè)試程序執(zhí)行。

DOT800T

功率測(cè)試的最佳資源

DOT800T 配備了一整套最先進(jìn)的專用儀器來(lái)執(zhí)行各種功率半導(dǎo)體測(cè)試，設(shè)計(jì)同于檢測(cè)確保新一代寬帶隙技術(shù)的性能和可靠性，支持高電壓、高電流、高功率和高切換頻率等各種嚴(yán)苛測(cè)試條件。該測(cè)試儀能夠同時(shí)在測(cè)試中供應(yīng)高電壓和高電流，同時(shí)仍可保證極為出色的電流靈敏度，其內(nèi)置的數(shù)字化儀可確保在漏電和擊穿測(cè)量中實(shí)現(xiàn)最佳的分辨率和精度?？衫帽镜卦O(shè)置存儲(chǔ)來(lái)實(shí)現(xiàn)模塊設(shè)置的更改，也可利用內(nèi)嵌宏來(lái)生成各種斜坡和觸發(fā)，這帶來(lái)了測(cè)試時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)?？稍谀K之間實(shí)現(xiàn)整系統(tǒng)內(nèi)的硬件同步，可在高電壓和高電流模塊上實(shí)現(xiàn)嵌入警報(bào)（例如過(guò)溫、過(guò)流、波動(dòng)、開(kāi)式溫度等），這些都是實(shí)現(xiàn)測(cè)深儀在混合模式下的可靠和安全運(yùn)行的基礎(chǔ)。

DOT800T

測(cè)試資源

ISO測(cè)試資源

• 高達(dá) 12kV/10mA DC
• 高達(dá) 10kV/20mA AC
• 高電壓安全開(kāi)關(guān)（帶輸出矩陣）用于限制放電電流，確保測(cè)試儀在任何情況下都保證安全

AC測(cè)試資源

高達(dá)6kV，高達(dá)3kA

電流短路測(cè)試，高達(dá)10kA

最多 8 個(gè)可獨(dú)立編程的門驅(qū)動(dòng)

2 – 8 個(gè)多脈沖

數(shù)字化儀的取樣率可達(dá)10GS/s 取樣率

DC測(cè)試資源

中等功率V/I 資源（±100V、±2A，最高可達(dá)16A），配備 8 臺(tái)驅(qū)動(dòng)和 8 個(gè)數(shù)字化儀，各自完全浮動(dòng)和互相獨(dú)立

高電壓發(fā)生器發(fā)生能力高達(dá)20kV

高電流發(fā)生器可發(fā)生高達(dá)4kA 脈沖電流，配有自動(dòng)斜坡發(fā)生器，可縮短測(cè)試時(shí)間

DOT800T

低雜散電感設(shè)計(jì)

對(duì)高功率、高頻率期間的動(dòng)態(tài)測(cè)試不僅要求測(cè)試儀器的良好性能，還要求測(cè)試儀的連接布局、插口和接觸器等的設(shè)計(jì)必須謹(jǐn)慎且優(yōu)秀，才能確保在整個(gè)信號(hào)路徑中充分降低雜散電感, 從而最大程度上減小整流期間的電壓超調(diào)問(wèn)題。SPEA 能夠提供完整的測(cè)試解決方案，一步式資源即可覆蓋您測(cè)試功率器件的所有需求。
各接觸單元均由 SPEA 研發(fā)制造，充分保證了易用性、高性能和低雜散電感等優(yōu)點(diǎn)，適用于對(duì)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和自動(dòng)封裝的各種器件進(jìn)行環(huán)境溫度下，以及雙溫度或三溫度條件下的測(cè)試。針對(duì)晶圓 KGD 和 IGBT 模塊，SPEA 也提供有完整的測(cè)試設(shè)備，整合了機(jī)器人自動(dòng)搬運(yùn)處理，適用于直接集成到您的生產(chǎn)線之中。

DOT800T

便捷的操作系統(tǒng)

ATOS C2操作軟件可提供編程、調(diào)試和測(cè)試執(zhí)行所需的所有資源，并具有可用于生產(chǎn)模式的一整套工具，為用戶帶來(lái)了最佳可用性。

測(cè)試程序生成和調(diào)試僅需不到 1 天

• 無(wú)代碼開(kāi)發(fā)，利用軟件自帶庫(kù)即可完成編程開(kāi)發(fā)
• 提供繪圖功能，用于視覺(jué)對(duì)比所測(cè)器件不同部分的波形結(jié)果（例如單相、3 相、多級(jí) MOSFET 和 IGBT 等）
• 自帶數(shù)據(jù)獲取記憶內(nèi)存，用于對(duì)所有模塊進(jìn)行 V/I 監(jiān)控
• 可編輯測(cè)試模型中的每一項(xiàng)參數(shù)
• 測(cè)試流程可‘隨時(shí)按需’更改，無(wú)需重新編輯測(cè)試程序
• 使用方便，控制簡(jiǎn)單

DOT800T

執(zhí)行測(cè)試類型