一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新品 | 光伏用1200V CoolSiC? Boost EasyPACK?模塊

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2023-03-31 10:47 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新品

光伏用1200V CoolSiC Boost

EasyPACK模塊

3a6514aa-cd44-11ed-ad0d-dac502259ad0.jpg

光伏用1200V CoolSiC Boost EasyPACK模塊,采用M1H芯片,導(dǎo)通電阻8-17毫歐五個(gè)規(guī)格,PressFIT壓接針和NTC。

產(chǎn)品型號(hào):

DF17MR12W1M1H

DF16MR12W1M1H

DF14MR12W1M1H

DF11MR12W1M1H

DF8MR12W1M1H

產(chǎn)品特點(diǎn)

Best-in-Class封裝,高度為12毫米

領(lǐng)先的WBG材料和Easy模塊封裝

非常低的模塊雜散電感

大的反向工作安全區(qū)RBSOA

1200V CoolSiC MOSFET,M1H芯片

增大了推薦柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍,從+15...+18V & 0...-5V

擴(kuò)展的最大柵極-源極電壓為-10V到+23V

過(guò)載條件下的Tvjop最高可達(dá)175°C

集成NTC溫度傳感器

應(yīng)用價(jià)值

突出的模塊效率,系統(tǒng)成本低

系統(tǒng)效率提高,減少冷卻需求

可以提高開關(guān)頻率以提高功率密度

最佳的性價(jià)比可降低系統(tǒng)成本

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

廣泛應(yīng)用的Easy封裝

在相同的芯片尺寸下,RDS降低12%。

更寬的柵源電壓

最高結(jié)溫Tvjop為175°C

新的芯片尺寸,增加了產(chǎn)品組合

應(yīng)用領(lǐng)域

光伏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    2788

    瀏覽量

    50357
  • 光伏
    +關(guān)注

    關(guān)注

    49

    文章

    3780

    瀏覽量

    71107
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊

    新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋
    的頭像 發(fā)表于 06-10 17:06 ?631次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 英飛凌EconoDUAL? 3 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? SiC MOSFET <b class='flag-5'>1200V</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊

    新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平
    的頭像 發(fā)表于 06-03 17:34 ?443次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用高性能DCB的Easy B系列<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 2kV SiC MOSFET<b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET

    新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOSFET單管,專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 05-29 17:04 ?522次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>1200V</b> G2 SiC MOSFET

    新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品

    新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品,專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā),包括工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 05-27 17:03 ?370次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用頂部散熱QDPAK的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>1200V</b> G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品

    新品 | 儲(chǔ)能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊

    新品儲(chǔ)能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊,采用
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:08 ?322次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 儲(chǔ)能用<b class='flag-5'>1200V</b> 500A NPC2 三電平IGBT <b class='flag-5'>EasyPACK</b>? 3B<b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊

    新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOP
    的頭像 發(fā)表于 05-13 17:04 ?584次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | EasyDUAL? 1B和2B,<b class='flag-5'>1200V</b>共發(fā)射極IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊

    新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為Si
    的頭像 發(fā)表于 04-17 17:05 ?378次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 半橋<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? MOSFET EconoDUAL? 3<b class='flag-5'>模塊</b>

    芯達(dá)茂國(guó)產(chǎn)IGBT模塊,國(guó)產(chǎn)IBGT單管 全系列型號(hào)

    40A 1200V TO-247-3L XD040H120BM1S3應(yīng)用:電機(jī)控制40A 1200V TO-247-3L XD040Q120AM1S3應(yīng)用:電源(UPS/移動(dòng)儲(chǔ)能/
    發(fā)表于 12-19 15:03

    新品 | 電動(dòng)汽車充電直流-直流變換器次級(jí)Easy模塊

    DDB2U60N12W3RF_C39EasyBRIDGE為1200V、60A整流模塊,采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)IGBT7和CoolSiC肖特基二極管G51200V芯片,帶NTC和Press
    的頭像 發(fā)表于 12-07 01:05 ?362次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 電動(dòng)汽車充電直流-直流變換器次級(jí)<b class='flag-5'>用</b>Easy<b class='flag-5'>模塊</b>

    深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

    本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,該模塊
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:59 ?1839次閱讀
    深度了解第8代1800A/<b class='flag-5'>1200V</b> IGBT功率<b class='flag-5'>模塊</b>

    深度分析IGBT晶圓在1200V逆變器領(lǐng)域中的應(yīng)用

    ?1200V逆變器的工作原理?是通過(guò)將電池板產(chǎn)生的可變直流電壓轉(zhuǎn)換為市電頻率的交流電(AC),以供電網(wǎng)使用或反饋回商用輸電系統(tǒng)。逆變
    的頭像 發(fā)表于 11-14 09:41 ?725次閱讀
    深度分析IGBT晶圓在<b class='flag-5'>1200V</b><b class='flag-5'>光</b><b class='flag-5'>伏</b>逆變器領(lǐng)域中的應(yīng)用

    新品 | 符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的車載充電CoolMOS? CFD7A 650V EasyPACK?模塊

    新品符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的車載充電CoolMOSCFD7A650VEasyPACK模塊符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的EasyPACK采用了最新的CoolMOSCFD7A650
    的頭像 發(fā)表于 11-08 01:03 ?622次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的車載充電<b class='flag-5'>用</b>CoolMOS? CFD7A 650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>EasyPACK</b>?<b class='flag-5'>模塊</b>

    2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊

    1200V三相全橋碳化硅功率模塊,雜散電感低至2.5nH,工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達(dá)900V-1000V,工作頻率可達(dá)30kHz,輸出功率可達(dá)300kW。LPD模塊具有耐久、安全的
    的頭像 發(fā)表于 09-18 17:18 ?940次閱讀
    2.5nH超低電感的<b class='flag-5'>1200V</b> SiC MOSFET三相全橋<b class='flag-5'>模塊</b>

    1200V GaN又有新玩家入場(chǎng),已進(jìn)入量產(chǎn)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近,又有國(guó)內(nèi)GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術(shù)。7月26日,宇騰科技在社交平臺(tái)上宣布公司自主研發(fā)生產(chǎn)的藍(lán)寶石基GaN功率器件工作電壓達(dá)到1200V,已進(jìn)入
    的頭像 發(fā)表于 07-31 01:06 ?4440次閱讀

    新品 | 混合逆變器用Easy模塊

    新品混合逆變器用Easy模塊采用CoolSiCMOSFET和高性能AlNDCB的Easy模塊,用于功率高達(dá)12千瓦的
    的頭像 發(fā)表于 07-16 08:14 ?1920次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>光</b><b class='flag-5'>伏</b>混合逆變器用Easy<b class='flag-5'>模塊</b>