一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      新品 | 符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的車載充電用CoolMOS? CFD7A 650V EasyPACK?模塊

      英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2024-11-08 01:03 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      新品

      符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的車載充電用

      CoolMOS CFD7A 650V

      EasyPACK模塊

      371b59aa-9d2a-11ef-8084-92fbcf53809c.png

      符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的EasyPACK采用了最新的CoolMOS CFD7A 650V芯片和一個集成的直流緩沖器Snubber電路。完美的性價比組合，適用于車載充電器和電動汽車輔助系統(tǒng)應(yīng)用。

      產(chǎn)品型號：

      ■F4-35MR07W1D7S8_B11/A

      產(chǎn)品特點

      高度可靠的壓接式針腳

      預(yù)涂熱界面材料（可選）

      可實現(xiàn)緊湊系統(tǒng)設(shè)計

      可集成SMD

      應(yīng)用價值

      引腳-PCB連接非常良好

      更好的熱性能

      減少裝配工作量

      設(shè)計自由度更高

      減少器件并聯(lián)

      競爭優(yōu)勢

      可進行靈活的引腳設(shè)計

      降低系統(tǒng)成本

      可實現(xiàn)緊湊系統(tǒng)設(shè)計

      應(yīng)用領(lǐng)域

      電動汽車車載充電OBC

      框圖

      37617d0e-9d2a-11ef-8084-92fbcf53809c.png

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • 充電
        +關(guān)注

        關(guān)注

        23

        文章

        1392

        瀏覽量

        96411
      • 車載
        +關(guān)注

        關(guān)注

        18

        文章

        640

        瀏覽量

        83959
      • CoolMOS
        +關(guān)注

        關(guān)注

        0

        文章

        27

        瀏覽量

        17301
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評論

        相關(guān)推薦
        熱點推薦

        新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET

        新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性價比樹立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供
        的頭像 發(fā)表于 07-04 17:09 ?363次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>CoolMOS</b>? 8超結(jié) (SJ) MOSFET

        新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET

        新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7
        的頭像 發(fā)表于 07-01 17:03 ?699次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | 采用D2PAK-<b class='flag-5'>7</b>封裝的CoolSiC? <b class='flag-5'>650V</b> G2 SiC MOSFET

        新品 | EiceDRIVER? 650 V +/- 4 A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器 1ED21x7 系列

        新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/
        的頭像 發(fā)表于 05-21 17:07 ?269次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | EiceDRIVER? <b class='flag-5'>650</b> <b class='flag-5'>V</b> +/- 4 <b class='flag-5'>A</b>高壓側(cè)柵極驅(qū)動器 1ED21x<b class='flag-5'>7</b> 系列

        新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊

        新品儲能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊，采用
        的頭像 發(fā)表于 05-16 17:08 ?348次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | 儲能用1200<b class='flag-5'>V</b> 500<b class='flag-5'>A</b> NPC2 三電平IGBT <b class='flag-5'>EasyPACK</b>? 3B<b class='flag-5'>模塊</b>

        SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性

        P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
        的頭像 發(fā)表于 02-25 14:18 ?476次閱讀
        SiC SBD-P3D06002E2 <b class='flag-5'>650V</b> SiC 肖特基二極管特性

        ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT

        全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進展
        的頭像 發(fā)表于 02-18 10:03 ?615次閱讀

        為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

        650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
        的頭像 發(fā)表于 01-23 16:27 ?798次閱讀
        為什么<b class='flag-5'>650V</b> SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

        高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

        JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選
        的頭像 發(fā)表于 01-16 14:16 ?670次閱讀

        芯達茂國產(chǎn)IGBT模塊，國產(chǎn)IBGT單管 全系列型號

        ) XD040Y120AB1S3(1200V 40A應(yīng)用：快充/OBC/PCS/BMS/充電樁,電機控制) XD006Y065AB1L2 (650V 6
        發(fā)表于 12-19 15:03

        新品 | 電動汽車充電直流-直流變換器次級用Easy模塊

        新品電動汽車充電直流——直流變換器次級用Easy模塊DDB2U60N07W1RF_B58和DDB2U60N12W3RF_C39EasyPACK
        的頭像 發(fā)表于 12-07 01:05 ?373次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | 電動汽車<b class='flag-5'>充電</b>直流-直流變換器次級<b class='flag-5'>用</b>Easy<b class='flag-5'>模塊</b>

        森國科650V/6A IGBT的性能特點

        森國科推出的650V/6A IGBT（型號：KG006N065SD-B）在風(fēng)扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應(yīng)用上做到了高效電機驅(qū)動和精準(zhǔn)控制。
        的頭像 發(fā)表于 11-13 16:36 ?818次閱讀
        森國科<b class='flag-5'>650V</b>/6<b class='flag-5'>A</b> IGBT的性能特點

        森國科推出650V/60A IGBT

        森國科近期推出的650V/60A IGBT（型號：KG060N065LD-R），憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能，在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
        的頭像 發(fā)表于 10-17 15:41 ?643次閱讀

        新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列

        新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領(lǐng)著全球高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的發(fā)展，在全球范圍內(nèi)樹立了技術(shù)和性價比標(biāo)準(zhǔn)。CoolMOS8是英飛凌新一代
        的頭像 發(fā)表于 09-03 08:02 ?586次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | 600<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>CoolMOS</b>? 8 SJ MOSFET系列

        新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹

        新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品，基于微溝槽場截止技術(shù)，可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲設(shè)計、多梯度緩沖層設(shè)計、超薄漂移區(qū)設(shè)計，大幅度提升器件的電流密度。同時優(yōu)化了器件的開關(guān)特性，為系統(tǒng)設(shè)計提供更大的余量。
        的頭像 發(fā)表于 08-15 16:34 ?1199次閱讀
        新潔能<b class='flag-5'>650V</b> Gen.<b class='flag-5'>7</b> IGBT系列產(chǎn)品介紹

        新品 | 650V高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F

        新品650V高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封
        的頭像 發(fā)表于 07-27 08:14 ?597次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>650V</b>高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F