新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品，基于微溝槽場截止技術(shù)，可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲(chǔ)設(shè)計(jì)、多梯度緩沖層設(shè)計(jì)、超薄漂移區(qū)設(shè)計(jì)，大幅度提升器件的電流密度。同時(shí)優(yōu)化了器件的開關(guān)特性，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更大的余量。

新潔能Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品為匹配不同應(yīng)用需求，開發(fā)了不同參數(shù)特點(diǎn)的產(chǎn)品系列，今天要介紹的“V”系列產(chǎn)品具有較大的飽和電流和良好的導(dǎo)通損耗/開關(guān)損耗折中特性，非常適合光伏逆變、儲(chǔ)能、UPS等應(yīng)用。

以650V 40A(NCE40ED65VT)規(guī)格為例，該產(chǎn)品是一款650V、TO-247封裝、100℃下額定電流40A的產(chǎn)品。與常見的相近規(guī)格產(chǎn)品進(jìn)行實(shí)測對比，詳細(xì)數(shù)據(jù)如下：

從測試數(shù)據(jù)來看，NCE40ED65VT的正向?qū)▔航岛?a target="_blank">二極管續(xù)流壓降都具有優(yōu)勢，無論是在正向?qū)ㄟ€是續(xù)流時(shí)都具備更小的器件損耗，并且具備與同規(guī)格競品相近的開關(guān)損耗。關(guān)斷過程中NCE40ED65VT 尖峰電壓VCEpeak較低，為實(shí)際應(yīng)用提供更充分的有效電壓余量。

新潔能Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品不但可以通過JEDEC標(biāo)準(zhǔn)中的常規(guī)可靠性項(xiàng)目，也可以通過HV-H3TRB 等更高要求的可靠性項(xiàng)目，滿足實(shí)際應(yīng)用中同時(shí)具備高溫、高濕、高壓的嚴(yán)苛應(yīng)用要求。

新潔能Gen.7 IGBT “V”系列650V產(chǎn)品目前已量產(chǎn)40A~200A等多個(gè)電流規(guī)格產(chǎn)品，由于Gen.7 IGBT芯片具備更高的電流密度，可以完成相同體積內(nèi)更大電流的產(chǎn)品以及相同電流更小的封裝體積。例如，650V 50A產(chǎn)品可以封裝進(jìn) TO-263封裝，650V 200A的TO-247Plus封裝。同時(shí)大電流產(chǎn)品開發(fā)了具有開爾文引腳的4L封裝。

新潔能650V Gen.7 IGBTV系列產(chǎn)品列表(*代表封裝位)

新潔能Gen.7IGBT 分立器件命名規(guī)則