美國(guó)SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開(kāi)型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時(shí)（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:281650 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM新開(kāi)發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級(jí)低傳導(dǎo)損耗※1和高速開(kāi)關(guān)特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保持版）”和“RGW系列（高速開(kāi)關(guān)版）”，共21種機(jī)型。這些產(chǎn)品
2018-04-17 12:38:467742 
與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術(shù)和場(chǎng)截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN）市場(chǎng)。
2019-11-22 15:16:321787 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421943 
ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
我想控制20Hz到20KHz脈沖波的幅值，步進(jìn)100mv輸出最大達(dá)到3v，我嘗試過(guò)用ad603、vca810等壓控放大器，但效果不理想，請(qǐng)問(wèn)大神們有什么方法可以把輸入為300mv20Hz到20KHz脈沖波達(dá)到這要求嗎？
2014-08-16 22:59:38
在《電子學(xué)》這個(gè)大布頭里面看見(jiàn)過(guò)喇叭在20到20kHz的頻響曲線，這個(gè)文章還詳細(xì)的介紹了分貝和響度
2019-05-31 08:15:57
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率
2018-10-23 16:21:49
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
求解 用DSP28335采樣高頻電流（頻率20KHz左右），要跟蹤其頻率及過(guò)零點(diǎn)，用ADC采樣能做嗎，求大神賜教?。。?！
2014-01-23 21:15:29
你好！我有一個(gè) SPC58EC-DISP；我設(shè)置PWM頻率20KHz，占空比1%，然后不輸出，設(shè)置8%時(shí)輸出2us時(shí)間；我發(fā)現(xiàn)最小的PWM輸出時(shí)間好像是2us?，F(xiàn)在我想要 PWM 頻率 20KHz(50us) 和 1%(0.5us) 輸出，我該怎么辦？
2023-01-10 07:25:53
@STM32f103產(chǎn)生50Hz—20kHz正弦波頻率幅值可調(diào)正弦波很多時(shí)候我們需要生成一些特定頻率和幅值的正弦波波形，近期個(gè)人研究這部分的原理和代碼，將成果做一下分享，如有不對(duì)之處，歡迎大佬補(bǔ)刀
2021-12-03 07:53:32
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開(kāi)關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性?b class="flag-6" style="color: red">功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
中國(guó)上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
最近在做使用DAC產(chǎn)生20kHz頻率的任意波形，單周期內(nèi)64點(diǎn)以上，也就是說(shuō)控制頻率為1.28MHz，為控制DAC波形的頻率，使用1.28MHz的定時(shí)器中斷，在中斷里控制DAC輸出，最終達(dá)到任意波形
2021-08-13 08:07:55
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
其授權(quán)代理商。廣大客戶現(xiàn)可通過(guò)華秋商城購(gòu)買(mǎi)MDD品牌產(chǎn)品！產(chǎn)品簡(jiǎn)介MDD7N65F應(yīng)用場(chǎng)景 ：LED驅(qū)動(dòng)，適配器功能特點(diǎn) ：低導(dǎo)電阻、優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和高雪崩能量產(chǎn)品參數(shù) ：VDSS：650V，ID
2022-11-11 11:50:23
SBD）* ? Hybrid型的IGBT* ? 顯著降低損耗* ? RGWxx65C系列* ? 650V耐壓* ? 與使用Si快速恢復(fù)二極管（Si FRD）的IGBT相比，開(kāi)通損耗顯著降低
2022-07-27 10:27:04
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
我想在1KHz或更低的帶寬下制作18KHz和20KHz帶通濾波器。 TI會(huì)推薦嗎？ 謝謝]
2018-11-06 09:34:12
電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)特別是家電市場(chǎng)對(duì)系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來(lái)越高?！ 闈M足市場(chǎng)需求，意法半導(dǎo)體針對(duì)不同的工況提供多種功率開(kāi)關(guān)技術(shù)，例如， IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET。 本文在實(shí)際
2018-11-20 10:52:44
。此外本文所述大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是指應(yīng)用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、輸出電流的交流有效值在100a～600a范圍的場(chǎng)合。詳情見(jiàn)附件。。。。。。
2021-04-06 14:38:18
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 16:57 編輯
針對(duì)10V以下 20kHz正弦信號(hào)的隔離變壓器 信號(hào)失真程度不能太高 請(qǐng)幫忙推薦一款芯片 謝謝了！
2014-04-22 10:09:19
概述：FSQ100是飛兆半導(dǎo)體出品的一款開(kāi)關(guān)電源電路，F(xiàn)SQ100采用8-DIP封裝，輸入電壓8V~20V．輸出電壓650V，功率13W，開(kāi)關(guān)振蕩頻率范圍在61kHz~73kHz，工作溫度為250C~850C。
2021-04-09 06:34:00
大家好，我想對(duì)頻率在0~20kHz變化，幅值為±0.5+3.5V的正弦信號(hào)進(jìn)行采樣，如何選擇合適的采樣頻率？能否推薦一款合適的ADC芯片？謝謝！
2023-12-08 08:07:40
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應(yīng)用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統(tǒng)。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM2PXX3內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可承受650V電壓，有助于實(shí)現(xiàn)低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管 ，原裝正品，優(yōu)勢(shì)價(jià)格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
各位專家好，得麻煩各位幫助我解決3個(gè)問(wèn)題哈：1：采集放大Vpp=10mv/20kHz的交流信號(hào)（可能包含檢波、低通濾波），先整成全波再放大至Vpp=3V；2：檢測(cè)640kHz的信號(hào)源（用工字電感識(shí)別
2018-07-30 11:03:21
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
現(xiàn)在想用adau1452輸出20khz以上的正弦波，比如40khz或者60khz。目前調(diào)節(jié)了sampling rate之后，仍然無(wú)法達(dá)到想要的正弦頻率，而且本身的正弦波控件頻率也改變了，比如我設(shè)置
2023-11-28 06:18:03
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
設(shè)計(jì)更具靈活性。BM2P189TF和BM2P209TF的最大差別在于VCC控制電壓，典型值分別為18V和20V，轉(zhuǎn)換輸出電壓（DRAIN）最大均可達(dá)650V。另外，VCC引腳具有欠壓保護(hù)和過(guò)壓保護(hù)
2019-04-08 09:33:54
設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓最高可達(dá)650V。
特性
?650V無(wú)芯變壓器隔離驅(qū)動(dòng)器IC
?軌到軌輸出
?保護(hù)功能
?浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
我想請(qǐng)教一下，AD8302這款幅值比相位差檢測(cè)芯片的如下問(wèn)題。1，它能檢測(cè)100HZ~20KHZ這個(gè)頻率范圍內(nèi)的信號(hào)的幅值比和相位差嗎？我看芯片資料上面寫(xiě)的是大于0，小于3GHZ。2，如果能檢測(cè)
2018-11-22 09:26:05
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關(guān)斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強(qiáng)。而600V IGBT3主要適用于低功率應(yīng)用或雜散電感很低的高功率應(yīng)用。650V IGBT4的設(shè)計(jì)與技術(shù)
2018-12-07 10:16:11
能夠貼近負(fù)載點(diǎn)，且仍然可提供95％以上的能效。高水平的集成和功率轉(zhuǎn)換的結(jié)合并非傳統(tǒng)上好的搭配，因?yàn)橥ǔ?lái)說(shuō)，兩者所采用的流程并不完全兼容。在某些情況下，不可避免的妥協(xié)是可以容忍的，例如在相對(duì)較窄的輸入
2020-10-28 09:10:17
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹(shù)立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過(guò)程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
雙極晶體管(High Speed IGBT)已針對(duì)高頻率硬切換應(yīng)用優(yōu)化，因此，該零件為太陽(yáng)能應(yīng)用中功率模塊的理想選擇。 本文將說(shuō)明650伏特(V)IGBT3、650V IGBT4及650V高速
2018-10-10 16:55:17
20KHz非穩(wěn)態(tài)電路:
在溫度、電壓和晶體管增益變化范圍很寬的情況下，單電容器電路是可靠的。電源電壓在6～12V之間變化時(shí)，頻率變化僅為0.05%。用R1、R2和C可改變時(shí)間周期，
2007-06-15 12:16:53
22 SVF10N65F 650v 10a大功率mos管特征■ 10A,650V,RDs(on)(典型值)=0.8Ω @Vcs=10V■ 開(kāi)關(guān)速度快■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 提升
2022-03-30 15:52:04
供應(yīng)igbt雙極性晶體管650V、75A 大功率igbt開(kāi)關(guān)電源SGTP75V65SDS1P7 ，具有較低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，SGTP75V65SDS1P7可應(yīng)用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 17:11:03
AFSK偏移到20KHz的電路
2009-03-21 18:57:26871 
20kHz帶通有源濾波器電路圖
2009-03-30 09:05:312766 
20kHz方波發(fā)生器
2009-06-10 10:06:116947 
用于紅外線接收器的高增益20kHz音頻放大器電路圖
2009-06-10 10:15:323859 
韓國(guó)成功改良NOR芯片 可大幅提升手機(jī)性能
首爾大學(xué)指出，1組韓國(guó)工程師已改良手機(jī)用芯片技術(shù)，可大幅提升手機(jī)性能。
2010-01-28 09:23:52899 
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗）與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261674 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計(jì)，尤其適用于太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)和開(kāi)關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:18863 2014年10月21日，北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出多款堅(jiān)固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴(kuò)充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:421975 2015年3月2日，德國(guó)慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓?xiě)?yīng)用于汽車(chē)中的高速開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)最高效率的高堅(jiān)固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 ?正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:454 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:190 為了得到高達(dá) 20kHz 的開(kāi)關(guān)頻率，賽米控在 SKiM功率模塊中集成了三電平逆變器結(jié)構(gòu)。SKiM IGBT 產(chǎn)品組合為光伏和 UPS 市場(chǎng)上提供了最優(yōu)的效率。相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)兩電平解決方案減少的損耗
2017-11-14 13:03:0211 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP?5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與
2018-06-04 08:31:002054 / 650V IGBT和一個(gè)NTC熱敏電阻。Q2PACK模塊采用一個(gè)分立式NPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，使用160A / 1200V IGBT、100A / 650V IGBT和一個(gè)NTC熱敏電阻。這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)適用于更高的功率電平。
2019-03-14 06:12:004628 
意法半導(dǎo)體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場(chǎng)截止（TFS）技術(shù)，可提高PFC轉(zhuǎn)換器、電焊機(jī)、不間斷電源（UPS）、太陽(yáng)能逆變器等中高速應(yīng)用設(shè)計(jì)的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標(biāo)準(zhǔn)的汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品。
2019-05-14 11:38:533363 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是MSP430F5529輸出占空比為0.35頻率為20KHZ的PWM的程序免費(fèi)下載。
2019-07-02 08:00:0023 在220V單相家用便攜式焊機(jī)應(yīng)用中，大部分設(shè)計(jì)是使用650V IGBT單管制作逆變電源，開(kāi)關(guān)頻率最高可以到50kHz，如果采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，開(kāi)關(guān)頻率還能更高，也有使用650V硅基MOSFET為功率器件
2020-03-31 15:32:383409 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268 TRENCHSTOP IGBT7現(xiàn)在提供TO-247封裝，電流等級(jí)為20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7帶來(lái)更高的擊穿電壓（650V）、一流的性價(jià)比和效率，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的即插即用解決方案
2020-10-22 09:33:303193 650 V 場(chǎng)截止 IGBT 如何幫助將廚房烹飪提升到一個(gè)全新的水平。 電磁爐制造商正在努力增加最大功率并減少烹飪時(shí)間，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率以滿足嚴(yán)格的能源之星標(biāo)準(zhǔn)。 這些趨勢(shì)對(duì)選擇合適的 IGBT 提出了新的要求，這些 IGBT 是感應(yīng)加熱系統(tǒng)中的關(guān)鍵
2021-06-01 14:56:251831 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無(wú)引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
ADP1614：650 kHz /1.3 MHz、4 A、升壓PWM DC-DC開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器
2021-03-18 20:27:453 ，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續(xù)流二極管，在硬換流的場(chǎng)合，至少有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)： 沒(méi)有Si二極管的反向恢復(fù)
2021-03-26 16:40:202349 
。本文將介紹大功率IGBT模塊ST20在風(fēng)電應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。 1.背景 1.1 風(fēng)電大功率趨勢(shì) 風(fēng)電大兆瓦時(shí)代已經(jīng)來(lái)臨，尤其是海上風(fēng)電。眾所周知，海上風(fēng)電機(jī)組不論是施工難度還是投資額度均遠(yuǎn)高于陸上，若規(guī)劃相同規(guī)模風(fēng)場(chǎng)，機(jī)組單機(jī)容量的增
2021-10-19 18:09:033728 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29540 
現(xiàn)在主流400V架構(gòu)中，電驅(qū)動(dòng)的功率管主要采用IGBT器件，但IGBT耐壓值通常不高于650V，基本不能用于800V架構(gòu)。即便采用超級(jí)結(jié)工藝的高耐壓IGBT，工作電壓也不超過(guò)900V，而且成本高不說(shuō)，其體積也要比普通IGBT大很多，這無(wú)疑為車(chē)內(nèi)空間布置及散熱設(shè)計(jì)帶來(lái)困難。
2022-08-17 11:12:303878 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用藍(lán)牙制作20khz信號(hào)發(fā)生器.zip》資料免費(fèi)下載
2023-02-06 14:42:350 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開(kāi)關(guān)型）”共21種機(jī)型，該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開(kāi)關(guān)特性，并大大減少了開(kāi)關(guān)時(shí)的過(guò)沖。
2023-02-09 10:19:25724 
20khz 超聲波電源發(fā)生器該控制電路包括信號(hào)發(fā)生器、功率放大器、電源、功率匹配電路、控制面板、繼電器以及超聲波換能器，其中，超聲波信號(hào)發(fā)生器分別連接所述電源和功率放大器，所述信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生超聲波
2023-03-03 10:33:46319 
20khz 60W超聲波清洗換能器振子是能量傳遞件，將輸入220V電壓和電功率轉(zhuǎn)換成機(jī)械功率傳遞到不銹鋼板，在水里面產(chǎn)生無(wú)數(shù)的水波，水波對(duì)工件進(jìn)行無(wú)數(shù)次的沖刷達(dá)到清潔的效果。超聲波清洗換能器振子主要
2023-03-06 17:10:05310 
RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:590 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250 Nexperia | 用于汽車(chē)和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300 潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34698 新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評(píng)估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動(dòng)器，產(chǎn)品針對(duì)100kHz的諧振開(kāi)關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
2022-03-01 09:32:40559 
RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510 圳市森國(guó)科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27522 
一：方案名稱PWM調(diào)光頻率20KHz以內(nèi)，共陽(yáng)極控制高輝無(wú)頻閃調(diào)光方案FP7125/FP7122/FP7123二：方案品牌遠(yuǎn)翔FEELING（雅欣）三：方案特點(diǎn)①工作電壓范圍：8V-100V②調(diào)光
2021-10-18 13:57:251124 
SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271010 
供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7，提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-01 16:18:473 供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源，提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 17:12:195 IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車(chē)和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì)，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07189 
近日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19565
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