英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:42
1943 
快恢復(fù)二極管HFD2020ED（可完全替換D94-02/FML4204S），電壓400V，電流20A，快恢復(fù)時間短（25ns），開關(guān)速度快，高浪涌特性，低開關(guān)損耗和電磁干擾，可靠性高?？蓱?yīng)用
2020-09-24 16:21:10
STTH30R04快恢復(fù)二極管，電壓400V，電流30A，TO-220封裝，反向恢復(fù)時間快，降低開關(guān)和導(dǎo)通損耗，快速開關(guān)，低反向漏電流，結(jié)溫高。主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等
2020-09-24 16:18:20
恢復(fù)二極管兩種：采用先進的擴鉑工藝生產(chǎn)的具有極低反向漏電、極短反向恢復(fù)時間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設(shè)計和生產(chǎn)的具有
2019-10-24 14:25:15
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
~150攝氏度。6N65的電性參數(shù)是：連續(xù)二極管正向電流(IS)為6A，漏源電壓為650V，二極管正向電壓(VSD)為1.4V，其中有3條引線。 6N65參數(shù)描述型號：6N65封裝：TO-220特性
2021-10-23 15:17:05
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準向漏極施加負電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應(yīng)用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結(jié)二極管通過Si二極管來應(yīng)對
2018-11-29 14:35:50
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復(fù)損耗的體二極管.驅(qū)動方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請關(guān)注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
我的兩個二極管的管子上絲印是V6 71，L4 69（插件），這是什么樣的二極管呢？我該怎么確定的，告急。
2013-09-03 14:00:20
大電流二極管貼片的封裝SMC或DO-214AB的,反向壓降1000V以上,電流6A以上,正向壓降小于0.5V.哪位大神知道請相告.
2015-06-18 17:41:40
快恢復(fù)二極管HFD3060H（可完全替換DSEC30-06A），電壓600V，電流30A，快恢復(fù)時間短（20ns），開關(guān)速度快，降低器件的開關(guān)損耗和提高電力電子電路的工作頻率，在高頻電力調(diào)節(jié)系統(tǒng)
2020-09-24 16:10:01
快恢復(fù)二極管HFD8060P（可完全替換MUR8060PT/STTH100W06C），電壓600V，電流80A，超快恢復(fù)時間，低漏電流，高浪涌特性，開關(guān)特性好，低功耗及射頻干擾?？蓱?yīng)用于低電壓
2020-09-24 16:04:45
承受很高的反向工作電壓。
快恢復(fù)
二極管的反向恢復(fù)時間一般
為幾百納秒，正向壓降約為0.6
V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。整流
二極管整流
二極管是一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟?/div>
2023-02-17 14:08:01
升壓等開關(guān)電源應(yīng)用1）如下圖是BOOST升壓電路，F(xiàn)R154為400V/1.5A快恢復(fù)二極管，起到防止電流倒灌作用2）在RCD等鉗位吸收回路應(yīng)用，如下圖D1/UF4007與R1、C2組成吸收回路二
2023-02-16 14:56:38
升壓等開關(guān)電源應(yīng)用1）如下圖是BOOST升壓電路，F(xiàn)R154為400V/1.5A快恢復(fù)二極管，起到防止電流倒灌作用2）在RCD等鉗位吸收回路應(yīng)用，如下圖D1/UF4007與R1、C2組成吸收回路二
2023-02-20 15:22:29
、6.2V穩(wěn)壓二極管代換。3.開關(guān)二極管的代換開關(guān)二極管損壞后，應(yīng)用同型號的開關(guān)二極管更換或用與其主要參數(shù)相同的其它型號的開關(guān)二極管來代換。高速開關(guān)二極管可以代換普通開關(guān)二極管，反向擊穿電壓高的開關(guān)二極管可以代換反向擊穿電壓低的開關(guān)二極管。快恢復(fù)二極管規(guī)格書下載：
2021-07-07 14:58:27
0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安。所以適合在低電壓、大電流的條件下工作，電腦主機電源的輸出整流二極管就采用了肖特基二極管。快恢復(fù)二極管規(guī)格書下載：
2022-03-31 10:04:12
正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進一步減小
2015-11-27 17:55:42
二極管的好壞。其實快恢復(fù)二極管的檢測方法與塑封硅整流二極管是相同的，即先用Rx1k擋檢測一下其單向?qū)щ娦?，一般正向電?b class="flag-6" style="color: red">為幾千歐左右，反向電阻為無窮大；再用Rx1擋復(fù)測一次，一般正向電阻為幾歐，反向電阻仍
2021-06-25 17:46:42
`編輯-Z不同類型的二極管有不同的特性參數(shù)。選用DH40-18A二極管必須了解以下幾個主要參數(shù)： DH40-18A參數(shù)描述型號：DH40-18A封裝：TO-247特性：大功率快恢復(fù)二極管電性參數(shù)
2021-07-24 13:48:34
：ITO-220AC特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：8A，600V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：8A芯片個數(shù)：1正向電壓(VF)：1.5V芯片尺寸：86 MIL浪涌電流Ifsm：125A漏電流(Ir
2021-09-01 15:56:11
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，減少對散熱器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，極低反向電流 ，無反向恢復(fù)電流 ，低電容電荷， 提高效率，降低解決方案
2021-10-27 15:00:42
MOS數(shù)字電路設(shè)計,并采用E極驅(qū)動方式驅(qū)動雙極型晶體芯片,以提高高壓開關(guān)管的安全耐壓值。內(nèi)建自供電電路，不需要外部給芯片提供電源，有效的降低外部元件的數(shù)量及成本。 DK112 5V2A快充移動電源芯片
2016-03-11 16:17:53
二極管中觀察到的電容恢復(fù)特性為獨立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實際外延規(guī)范將肖特基二極管降級為< 600 V的應(yīng)用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設(shè)計的，以盡量減少電容電荷，從而實現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變。
2023-06-16 11:42:39
故障。在這方面， TVS二極管就非常適用。例如，在擊穿電壓為6.2?V時， ESD5Z5.0T1.G能在幾納秒時間內(nèi)就對符合IEC61000-4-2標準的高達30?kV的輸入電壓進行鉗位，且鉗位電壓可
2021-11-02 14:51:31
編輯-ZSFF2004在ITO-220AB封裝里采用的2個芯片，其尺寸都是102MIL，是一款超快恢復(fù)二極管。SFF2004的浪涌電流Ifsm為200A，漏電流(Ir)為10uA，其工作時耐溫度范圍
2021-09-02 16:15:09
編輯-ZSFF806A在ITO-220AC封裝里采用的1個芯片，是一款超快恢復(fù)二極管。SFF806A的浪涌電流Ifsm為125A，漏電流(Ir)為10uA，其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度
2021-09-15 16:42:02
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復(fù)電流? 溫度無關(guān)開關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢：?基本上
2021-11-06 09:26:20
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場效應(yīng)管
2021-03-24 10:35:56
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等
2018-10-29 08:51:19
高速信號應(yīng)用，實現(xiàn)低電容性能。這些低電容ESD保護二極管的儲存溫度范圍為-55°C至+150°C。ESD二極管的工作結(jié)溫為150°C，峰值脈沖功率為100W，峰值脈沖電流為4A。典型應(yīng)用包括智能手機
2020-05-21 11:01:21
嗨我正在努力設(shè)計電路，我試圖使用Viper12電路運行3x 24V指標。我把電路設(shè)置如下：這個想法是前置電路在650V時引入齊納二極管，將Viper電路的輸入偏移400V，然而，當發(fā)生這種情況時，齊
2018-10-10 17:54:04
比如我想用光敏二極管接收650nm的光線，該采用什么類型的光敏二極管呢？最好有型號，封裝信息的，這個光敏二極管越小越好！??！
2015-04-29 14:59:32
電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。目前推出的650V耐壓產(chǎn)品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜內(nèi)置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
能動力碳化硅二極管ACD06PS065G已經(jīng)在倍思120W氮化鎵快充中商用，與納微GaNFast高頻優(yōu)勢組合，高頻開關(guān)減小磁性元件體積，提高適配器功率密度。創(chuàng)能動力是香港華智科技有限公司孵化出來的公司
2023-02-22 15:27:51
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設(shè)計各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
電場而具有高擊穿電壓。例如，商用硅肖特基二極管的電壓小于300V，而第一個商用SiC肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。3）碳化硅具有較高的導(dǎo)熱性。4）SiC器件可以在更高的溫度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
（16A400V）只能做一下幾種封裝：TO-220的鐵封和塑封、TO-252。Type封裝所屬分類MUR1640FCTITO-220AB快恢復(fù)二極管MUR1640CTTO-220AB快恢復(fù)二極管
2016-12-14 11:45:54
參數(shù)描述型號：D92-02封裝：TO-247/3P特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：20A，200V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：20A芯片個數(shù)：2正向電壓(VF)：0.85V芯片尺寸：110
2021-09-09 16:34:24
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應(yīng)用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統(tǒng)。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設(shè)計各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM2PXX3內(nèi)置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于實現(xiàn)低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場效應(yīng)管 ，原裝正品，優(yōu)勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個等級。前者反向恢復(fù)時間為
2019-06-12 02:34:10
用萬用表二極管檔量測，一個二極管，正向0.6V,反向1.9V,想問一下這是什么二極管？不用懷疑二極管二極管已經(jīng)壞掉，因為裝有該二極管的產(chǎn)品可以正常使用，拆掉或換其它的二極管，產(chǎn)品無法工作。
2016-04-28 10:47:54
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
`海飛樂技術(shù)快恢復(fù)二極管現(xiàn)貨替換DSEP8-12A海飛樂技術(shù)目前產(chǎn)品范圍包括有：快恢復(fù)二極管、FRD模塊、肖特基二極管、SBD模塊、MOS管、MOS模塊，各種以及寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體器件，涵蓋變頻
2019-04-26 10:02:54
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
的工作點，緩沖功率是二極管電容和Trr的函數(shù)。對于本文詳述的PSFB，對于500V/20A輸出的工作點，分析模型可用于預(yù)測二極管電容和Trr的緩沖損耗。這樣就可以比較三種二極管類型的行為，如圖6所示。圖6
2023-02-22 17:13:39
250V左右。對于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因為它能夠耐受較高的電壓。 除此以外的器件參數(shù)均相當于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見表2?！ ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
?！ ≌?qū)▔航礦F：衡量二極管正向?qū)ㄐ阅茏钪匾膮?shù)，對工程師而言，需要更關(guān)注VF與Tj的依賴性關(guān)系。這里以基本半導(dǎo)體650V 10A TO-220封裝碳化硅肖特基二極管為例進行說明。 圖（5
2023-02-28 16:55:45
基于基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管1D20065K（650V/20A），電流特性（5A、10A、15A）： 硅快速恢復(fù)二極管（環(huán)境溫度25℃） 碳化硅肖特基二極管（環(huán)境溫度25℃） 硅快恢復(fù)二極管在
2023-02-28 16:34:16
`肖特基二極管DFLS260-7, 最大連續(xù)正向電流2A, 峰值反向重復(fù)電壓60V, 表面貼裝安裝, PowerDI 123封裝, 2引腳產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)安裝類型表面貼裝封裝類型PowerDI 123
2020-11-02 10:14:46
僅0.4v（0.4--1.0V）左右，而整流電流卻可達到幾千安。而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。快恢復(fù)二極管是什么？快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管（5us以下
2016-04-19 14:29:35
NPN:VCE 大于等于7.5VPMOS：VDS大于等于7.5V，ID大于等于4A二極管2：VDZ2 = 10V,500mW二極管1：VDZ1 = 3.6V,500mW
2017-06-09 18:02:35
我發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在大家在選型這個二極管的時候，一般都是采用那種快恢復(fù)的二極管，有些場合明明不需要高速的快恢復(fù)二極管，但是大家也一樣的采用了，看來是不是快恢復(fù)二極管已經(jīng)可以通吃整個二極管應(yīng)用了？
2019-05-16 00:12:23
650V IGBT4的損耗增大引起的RMS模塊電流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的開關(guān)頻率范圍內(nèi)（通用應(yīng)用的典型范圍），其降幅為4%至 9%。圖4圖4 在600A EconoDUALTM 3 模塊中
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
SVF4N65F 場效應(yīng)管特點■ 4A,650V,RDs(on)(典型值)=2.3Ω @Vcs=10V■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 開關(guān)速度快■ 提升了dv/dt能力驪微電子供應(yīng)
2022-03-30 15:29:34
SVF10N65F 650v 10a大功率mos管特征■ 10A,650V,RDs(on)(典型值)=0.8Ω @Vcs=10V■ 開關(guān)速度快■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 提升
2022-03-30 15:52:04
*6 電壓：650V 電流：6A 碳化硅二極管MSL06065G1，碳化硅二極管，耐壓650V，150℃連續(xù)正向電流6A，工作
2023-07-05 15:50:06
電壓：650V 電流：6A 碳化硅二極管MSL06065G1，碳化硅二極管，耐壓650V，150℃連續(xù)正向電流6A，工作溫度范圍-
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1碳化硅二極管，耐壓650V 6A DFN5*6封裝，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量，可提升全負載條件下
2023-07-05 16:00:20
650V,8A,-263-2包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動汽車充電系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、太陽能(PV
2023-07-26 11:18:14
650V,8A,到220-2包,第六代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動汽車充電系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、太陽能(PV
2023-07-26 14:51:51
650V,10A,QFN包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動汽車充電系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、太陽能(PV
2023-07-26 14:59:31
650V,10A,到220-2包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動汽車充電系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 15:41:25
650V,20A,到220-2包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動汽車充電系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 16:16:20
Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動。
2014-06-09 10:33:26731 
?正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開關(guān)特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:14
7 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:454 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開關(guān)特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:190 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:021767 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計和開發(fā)更具價格優(yōu)勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268 前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:202349 
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場包括光伏和儲能、驅(qū)動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。
2022-08-02 15:06:55615 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29539 
Wolfspeed 新款車規(guī)級 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設(shè)計人員滿足 EV 車載充電機應(yīng)用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
2022-11-07 09:59:21917 SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:241680 
Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
功率晶體管與標準門極驅(qū)動器兼容，方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。 優(yōu)秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統(tǒng)效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統(tǒng)設(shè)計。 低開關(guān)損耗：采用先進的GaN技術(shù)，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34695 3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 
電子發(fā)燒友App
?
?
?
工商網(wǎng)監(jiān)
評論