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新品 | 650V CoolMOS? 8超結 (SJ) MOSFET

英飛凌工業(yè)半導體 ? 2025-07-04 17:09 ? 次閱讀
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新品

650V CoolMOS 8超結 (SJ)

MOSFET

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英飛凌推出全新650V CoolMOS 8引領全球高壓超結SJ MOSFET技術,為行業(yè)技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V電壓裕量,有助于滿足數(shù)據(jù)中心和電信應用中交流輸入電壓提升至277V的要求。此外,它還能為電動汽車充電和固態(tài)斷路器(SSCB)應用提供額外的浪涌保護。我們的650V CoolMOS 8 SJ MOSFET集成了快速體二極管,使其適用于各種高功率應用場景,是CoolMOS 7 MOSFET(包括C7和CFD7系列)的升級換代的最佳選擇。


產品型號:

IPDQ65R008CM8

IPDQ65R018CM8

IPT65R018CM8

IPT65R025CM8

IPT65R040CM8

IPW65R018CM8


IPW65R025CM8

IPW65R040CM8

IPW65R060CM8

IPZA65R018CM8

IPZA65R025CM8

IPZA65R040CM


產品特點


業(yè)界領先的RDS(on)*A

集成快速體二極管

出色的換向耐用性

先進的互連技術

完整產品組合含8mΩ BiC

頂部散熱封裝設計


競爭優(yōu)勢


業(yè)界領先的RDS(on)*A

Qrr反向恢復電荷性能顯著提升

trr反向恢復時間較同類產品縮短35%

采用QDPAK等頂部散熱封裝技術

卓越的品質

增強型寬禁帶(WBG)半導體解決方案

QDPAK封裝8mΩ系列產品


應用價值


低振鈴特性

簡化設計、縮短開發(fā)周期

產品線清晰完善

系統(tǒng)級創(chuàng)新


應用領域


數(shù)據(jù)中心

電信設備

超固態(tài)解決方案(繼電器/斷路器)

電動汽車充電

不間斷電源UPS

工業(yè)SMPS

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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