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      標(biāo)簽　>　MOS

      MOS

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      MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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      MOS簡(jiǎn)介

      　　MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

      　　一般是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

      　　場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

      MOS百科

      　　MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

      　　一般是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

      　　場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

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      mos知識(shí)

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      mos技術(shù)

      靜音省電新標(biāo)桿！仁懋MOS如何讓家用風(fēng)扇能效飆升?

      靜音省電新標(biāo)桿！仁懋MOS如何讓家用風(fēng)扇能效飆升?

      在智能家居普及的今天，消費(fèi)者對(duì)家用風(fēng)扇的要求早已超越基礎(chǔ)送風(fēng)功能，面臨的問(wèn)題如下能效焦慮：傳統(tǒng)MOS導(dǎo)通損耗高，三級(jí)能效產(chǎn)品年耗電超50度，電費(fèi)成本激增...

      2025-04-25 標(biāo)簽：風(fēng)扇MOS 110 0

      LM5026系列 具有 P 或 N 通道箝位FET和CS重啟定時(shí)器的100V有源箝位電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      LM5026系列 具有 P 或 N 通道箝位FET和CS重啟定時(shí)器的100V有源箝位電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      LM5026 PWM 控制器包含實(shí)現(xiàn)電源所需的所有 特性 轉(zhuǎn)換器采用具有電流模式控制的有源箝位和復(fù)位技術(shù)。使用 與有源鉗位技術(shù)相比，可以實(shí)現(xiàn)更高的效率和...

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      仁懋MOS產(chǎn)品在電動(dòng)叉車上的應(yīng)用

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      隨著電動(dòng)叉車向高效化、輕量化、長(zhǎng)續(xù)航方向發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件的選擇對(duì)系統(tǒng)性能影響顯著。仁懋TOLL封裝的MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）、...

      2025-04-02 標(biāo)簽：MOS電動(dòng)叉車仁懋電子 165 0

      MOS集成電路設(shè)計(jì)中的等比例縮小規(guī)則

      MOS集成電路設(shè)計(jì)中的等比例縮小規(guī)則

      本文介紹了MOS集成電路中的等比例縮小規(guī)則和超大規(guī)模集成電路的可靠性問(wèn)題。

      2025-04-02 標(biāo)簽：芯片集成電路工藝 343 0

      電氣符號(hào)傻傻分不清？一個(gè)N-MOS管和P-MOS管驅(qū)動(dòng)應(yīng)用實(shí)例

      電氣符號(hào)傻傻分不清？一個(gè)N-MOS管和P-MOS管驅(qū)動(dòng)應(yīng)用實(shí)例

      MOS管在電路設(shè)計(jì)中是比較常見的，按照驅(qū)動(dòng)方式來(lái)分的話，有兩種，即：N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三極管的驅(qū)動(dòng)方式有點(diǎn)類似，但又不完全相同，那么...

      2025-03-14 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS電氣符號(hào) 698 0

      三極管開關(guān)電路設(shè)計(jì)思路假設(shè)成真，還要保證啥條件？

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      本文只介紹作為開關(guān)管使用時(shí)的電路設(shè)計(jì)介紹電路之前，我們需要了解一下壓控和流控的概念壓控：是指電壓作為控制信號(hào)，理想狀態(tài)下，對(duì)于MOS只要VGS的電壓滿足...

      2025-03-08 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電路MOS 860 0

      LP38851 具有啟用功能的 800mA、低 VIN （0.915V）、可調(diào)超低壓差穩(wěn)壓器

      LP38851 具有啟用功能的 800mA、低 VIN （0.915V）、可調(diào)超低壓差穩(wěn)壓器

      LP38851-ADJ 是一款大電流、快速響應(yīng)穩(wěn)壓器，能夠以極低的輸入至輸出電壓降保持輸出電壓調(diào)節(jié)。該器件采用 CMOS 工藝制造，采用兩種輸入電壓工作...

      2025-03-07 標(biāo)簽：帶寬MOS輸入電壓 335 0

      從焊接虛焊到靜電擊穿：MDDMOS管安裝環(huán)節(jié)的問(wèn)題

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      在電子制造中，MDDMOS管的安裝環(huán)節(jié)暗藏諸多風(fēng)險(xiǎn)。某智能手表產(chǎn)線因焊接虛焊導(dǎo)致30%的MOS管失效，返工成本超百萬(wàn)。本文MDD通過(guò)典型故障案例，剖析安...

      2025-03-07 標(biāo)簽：焊接MOS虛焊 277 0

      驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)踩坑錄：MDDMOS管開關(guān)異常的診斷與修復(fù)

      驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)踩坑錄：MDDMOS管開關(guān)異常的診斷與修復(fù)

      在電力電子系統(tǒng)中，MDDMOS管的開關(guān)異常往往導(dǎo)致效率驟降、EMI超標(biāo)甚至器件損毀。某新能源汽車OBC模塊因驅(qū)動(dòng)波形振蕩引發(fā)MOS管過(guò)熱，導(dǎo)致整機(jī)返修率...

      2025-03-06 標(biāo)簽：MOS驅(qū)動(dòng)電路MDD 338 0

      MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MDD100N03D 先進(jìn)Trench工藝N溝道的大電流低內(nèi)阻MOS

      MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MDD100N03D 先進(jìn)Trench工藝N溝道的大電流低內(nèi)阻MOS

      ? 在智能家居和電動(dòng)工具領(lǐng)域，電機(jī)驅(qū)動(dòng)的效率與可靠性直接決定了用戶體驗(yàn)。無(wú)論是洗地機(jī)的強(qiáng)勁動(dòng)力、掃地機(jī)器人的持久續(xù)航，還是電動(dòng)工具的高效作業(yè)，都離不開一...

      2025-03-05 標(biāo)簽：MOSFET分立器件MOS 1662 0

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      mos資訊

      方正微電子推出第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品

      2025年4月16日，在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上，方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品，性...

      2025-04-17 標(biāo)簽：MOSSiC 409 0

      方正微電子亮相第十三屆儲(chǔ)能國(guó)際峰會(huì)暨展覽會(huì)

      方正微電子亮相第十三屆儲(chǔ)能國(guó)際峰會(huì)暨展覽會(huì)

      近日，在2025年第十三屆儲(chǔ)能國(guó)際峰會(huì)暨展覽會(huì)上，深圳方正微電子副總裁彭建華發(fā)表了主旨演講，發(fā)布了“750V/650V中壓SiC MOS產(chǎn)品系列 &am...

      2025-04-12 標(biāo)簽：MOSSiC儲(chǔ)能 569 0

      功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化先鋒：長(zhǎng)晶科技的創(chuàng)新與崛起

      近年來(lái)，在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局重塑與中國(guó)政策支持的背景下，國(guó)產(chǎn)化替代已成為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心方向。面對(duì)國(guó)際技術(shù)壁壘與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的雙重挑戰(zhàn)，中國(guó)企業(yè)正通...

      2025-04-09 標(biāo)簽：MOS功率半導(dǎo)體 259 0

      國(guó)產(chǎn)化人形機(jī)器人原地側(cè)空翻，其中涉及到哪些MOS？

      國(guó)產(chǎn)化人形機(jī)器人原地側(cè)空翻，其中涉及到哪些MOS？

      行業(yè)背景 前幾天宇樹G1機(jī)器人實(shí)現(xiàn)了側(cè)空翻動(dòng)作并保持了平衡，這種側(cè)空翻需要克服旋轉(zhuǎn)帶來(lái)的非對(duì)稱角動(dòng)量分布問(wèn)題，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示騰空階段角加速度峰值達(dá)180 ...

      2025-03-28 標(biāo)簽：MOS智能機(jī)器人MOSFET管 76 0

      從 2.4V 輸入到 12V 輸出，F(xiàn)P6276B、FP6277、FP6296 各憑啥性能優(yōu)勢(shì) “圈粉”？

      從 2.4V 輸入到 12V 輸出，F(xiàn)P6276B、FP6277、FP6296 各憑啥性能優(yōu)勢(shì) “圈粉”？

      在電子設(shè)備設(shè)計(jì)領(lǐng)域，電源管理芯片的性能直接影響著系統(tǒng)的效率、可靠性及用戶體驗(yàn)。隨著便攜式設(shè)備、消費(fèi)電子及工業(yè)應(yīng)用對(duì)功率密度和能效要求的不斷提升，升壓（B...

      2025-03-28 標(biāo)簽：芯片MOS 296 0

      MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)

      MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)

      MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)是確保其穩(wěn)定工作和延長(zhǎng)使用壽命的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對(duì)MOS管功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)的詳細(xì)分析： 一、MOS管的功耗計(jì)算 MOS...

      2025-03-27 標(biāo)簽：MOS管MOS 275 0

      吸塵器“心臟”革命！仁懋TOLL技術(shù)重塑吸塵器動(dòng)力

      吸塵器“心臟”革命！仁懋TOLL技術(shù)重塑吸塵器動(dòng)力

      吸塵器動(dòng)力系統(tǒng)的“高溫圍城”在無(wú)線吸塵器滲透率超60%的今天，電機(jī)驅(qū)動(dòng)MOS過(guò)熱降速卻成為用戶體驗(yàn)的致命傷——行業(yè)測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，80%的高端吸塵器在連續(xù)...

      2025-03-14 標(biāo)簽：MOS吸塵器仁懋電子 263 0

      MOS管的ESD防護(hù)措施與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

      MOS管的ESD防護(hù)措施與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

      MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的ESD(靜電放電)防護(hù)措施與設(shè)計(jì)要點(diǎn)對(duì)于確保其穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。以下是一些關(guān)鍵的防護(hù)措施與設(shè)計(jì)要點(diǎn)：...

      2025-03-10 標(biāo)簽：ESDMOS 354 0

      MOS高溫挑戰(zhàn)終結(jié)者？仁懋三款MOS器件引爆主機(jī)能效革命

      MOS高溫挑戰(zhàn)終結(jié)者？仁懋三款MOS器件引爆主機(jī)能效革命

      高性能主機(jī)的“供電生死局”隨著RTX40系顯卡、13代酷睿處理器功耗突破600W，傳統(tǒng)MOS器件正面臨前所未有的極限挑戰(zhàn)。某硬件論壇調(diào)研顯示，27%的藍(lán)...

      2025-03-06 標(biāo)簽：MOSMOS器件仁懋電子 275 0

      揚(yáng)杰科技揭秘手機(jī)快充對(duì)同步整流MOS的參數(shù)要求

      揚(yáng)杰科技揭秘手機(jī)快充對(duì)同步整流MOS的參數(shù)要求

      在智能手機(jī)續(xù)航焦慮的時(shí)代，快充技術(shù)已成為用戶的核心需求。從“充電5分鐘，通話2小時(shí)”到百瓦級(jí)超快充，手機(jī)充電速度的躍升，離不開一個(gè)關(guān)鍵元件的進(jìn)化--同步...

      2025-02-25 標(biāo)簽：MOS同步整流手機(jī)快充 594 0

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      mos數(shù)據(jù)手冊(cè)

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        LM2596
        +關(guān)注
        LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
      • 光立方
        光立方
        +關(guān)注
        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
      • K60
        K60
        +關(guān)注
      • 光模塊
        光模塊
        +關(guān)注
        光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說(shuō)，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，通過(guò)光纖傳送后，接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
      • STM32單片機(jī)
        STM32單片機(jī)
        +關(guān)注
        STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
      • Nexperia
        Nexperia
        +關(guān)注
        Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
      • 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器
        步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器
        +關(guān)注
        步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的?？梢酝ㄟ^(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
      • CD4046
        CD4046
        +關(guān)注
        cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無(wú)線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
      • COMSOL
        COMSOL
        +關(guān)注
        COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
      • 加速度傳感器
        加速度傳感器
        +關(guān)注
        加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
      • 聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
        聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
        +關(guān)注
      • 服務(wù)機(jī)器人
        服務(wù)機(jī)器人
        +關(guān)注
        服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒(méi)有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
      • 四軸飛行器
        四軸飛行器
        +關(guān)注
        四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
      • 基站測(cè)試
        基站測(cè)試
        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • OBD
        OBD
        +關(guān)注
        OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
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