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LM5112 器件 MOSFET 柵極驅(qū)動器采用微型 6 引腳 WSON 封裝（相當于 SOT-23 封裝）或 8 引腳裸露焊盤 MSOP 封裝，可提供高峰值柵極驅(qū)動電流，并改善高頻運行所需的功率耗散。復(fù)合輸出驅(qū)動器級包括并聯(lián)工作的 MOS 和雙極晶體管，它們共同從容性負載吸收超過 7 A 的峰值電流。結(jié)合 MOS 和雙極器件的獨特特性，減少了驅(qū)動電流隨電壓和溫度的變化。提供欠壓鎖定保護，以防止因柵極導(dǎo)通電壓不足而損壞 MOSFET。LM5112 器件提供反相和非反相輸入，以使用單一器件類型滿足反相和非反相柵極驅(qū)動的要求。
*附件：lm5112-q1.pdf

特性

LM5112-Q1 符合汽車應(yīng)用要求
符合 AEC-Q100 1 級標準
采用汽車級流程制造
復(fù)合 CMOS 和雙極輸出可減小輸出電流變化
7A 灌電流和 3A 拉電流
快速傳播時間：25 ns（典型值）
快速上升和下降時間：14 ns 或 12 ns
上升或下降（2nF 負載）
反相和非反相輸入通過單個器件提供任一配置
電源軌欠壓鎖定保護
專用輸入接地（IN_REF）用于
雙電源或單電源作
功率增強型 6 引腳 WSON 封裝
（3 mm × 3 mm）或熱增強型
MSOP-PowerPAD 封裝
V 級輸出擺幅抄送到 V~~EE 系列~~相對于輸入接地為負數(shù)

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

?型號?：LM-Q1
?類型?：A MOSFET柵極驅(qū)動器
?特點?：
- AEC-Q0 Grade 認證，適用于汽車應(yīng)用
- 復(fù)合CMOS和雙極輸出，減少輸出電流變化
- A峰值漏極電流，3A峰值源極電流
- 快速傳播時間：ns（典型值）
- 快速上升和下降時間：ns或ns（帶nF負載）
- 反相和非反相輸入配置
- 供電軌欠壓鎖定保護
- 專用輸入地（IN_REF）支持單電源或分裂電源操作
- 引腳WSON或8引腳MSOP-PowerPAD封裝

二、應(yīng)用領(lǐng)域

DC/DC開關(guān)模式電源
AC/DC開關(guān)模式電源
太陽能微型逆變器
電磁閥和電機驅(qū)動器

三、引腳配置與功能

?IN?：非反相輸入引腳，TTL兼容閾值
?INB?：反相輸入引腳，TTL兼容閾值
?IN_REF?：控制輸入的接地參考，連接至電源地或系統(tǒng)邏輯地
?OUT?：柵極驅(qū)動輸出，能夠源出A和漏極7A
?VEE?：驅(qū)動輸出的功率地，連接至電源地或負柵極驅(qū)動電源
?VCC?：正供電電壓輸入，需局部解耦至VEE
?NC?：未連接引腳

四、電氣特性

?工作電壓范圍?：VCC為.V至V
? 欠壓鎖定（UVLO） ?：上升閾值.V至3.5V，遲滯mV
?控制輸入?：
- 高電平閾值：1.3V至.V
- 低電平閾值：0.8V至.5V
- 輸入遲滯：0mV
?輸出特性?：
- 高電平輸出電阻：0Ω至0Ω
- 低電平輸出電阻：.Ω至2.5Ω
- 峰值源極電流：3A（ns脈沖）
- 峰值漏極電流：7A（ns脈沖）

五、開關(guān)特性

?傳播延遲時間?：低至高5ns至0ns，高至低ns至ns
?上升時間?：ns（2nF負載）
?下降時間?：ns（2nF負載）

六、功能描述

?輸入緩沖器?：高阻抗CMOS緩沖器，具有TTL兼容閾值電壓
?電平移位電路?：連接邏輯輸入緩沖器和圖騰柱輸出驅(qū)動器
? 欠壓鎖定（UVLO） ?：監(jiān)測VCC與IN_REF之間的電壓差，防止因柵極開啟電壓不足而損壞MOSFET

七、設(shè)備功能模式

?反相模式?：使用INB作為控制輸入，OUT的極性與INB相反
?非反相模式?：使用IN作為控制輸入，OUT的極性與IN相同

八、應(yīng)用與實現(xiàn)

?典型應(yīng)用?：提供PWM控制器和主功率開關(guān)器件柵極之間的高功率緩沖級
?設(shè)計考慮?：包括輸入至輸出配置、輸入閾值類型、偏置電源電壓水平、峰值源極和漏極電流、電容性負載和開關(guān)頻率

九、電源推薦與布局指南

?電源推薦?：VCC推薦電壓范圍為3.5V至4V，需使用低ESR/ESL電容器在VCC和VEE之間解耦
?布局指南?：
- 適當?shù)慕拥卦O(shè)計，避免感性環(huán)路
- 最小化電流承載導(dǎo)體的長度，以減少電感和EMI
- 注意熱管理，估算最壞情況下的結(jié)溫

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