LM25101 高壓柵極驅(qū)動器設計用于驅(qū)動高壓側(cè)和 采用同步降壓或半橋配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。A 版本 提供完整的 3A 柵極驅(qū)動，而 B 和 C 版本分別提供 2A 和 1A。這 輸出由 TTL 輸入閾值獨立控制。集成的高壓二極管是 用于為高側(cè)柵極驅(qū)動自舉電容器充電。堅固的電平轉(zhuǎn)換器在 高速，低功耗，并提供來自控制邏輯的干凈電平轉(zhuǎn)換 到高端柵極驅(qū)動器。低側(cè)和 高側(cè)電源軌。
*附件：lm25101.pdf

這些器件采用標準 8 引腳 SOIC、8 引腳 SO-PowerPAD、8 引腳 WSON 封裝。 10 引腳 WSON 和 8 引腳 MSOP PowerPAD 封裝。

特性

• 獨立的高低驅(qū)動器邏輯輸入
• 自舉電源電壓高達 100V DC
• 驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET
• 快速傳播時間（典型值為 25 ns）
• 以 8ns 的上升和下降時間驅(qū)動 1000pF 負載
• 出色的傳播延遲匹配（典型值為 3 ns）
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 引腳與 HIP2100 和 HIP2101 兼容

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?型號?：LM1
• ?類型?：0V半橋柵極驅(qū)動器
• ?特點?：
  • 獨立的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動邏輯輸入
  • 自舉電源電壓高達0V DC
  • 驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET
  • 快速傳播時間（典型值ns）
  • 負載pF時，上升和下降時間均為8ns
  • 優(yōu)異的傳播延遲匹配（典型值3ns）
  • 供電軌欠壓鎖定（UVLO）
  • 低功耗
  • 與HIP和HIP引腳兼容

二、應用領域

• 電機控制驅(qū)動器
• 半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器
• 同步降壓轉(zhuǎn)換器
• 兩開關正向功率轉(zhuǎn)換器
• 帶有源鉗位的正向轉(zhuǎn)換器
• V服務器電源
• 太陽能DC-DC和DC-AC轉(zhuǎn)換器

三、引腳配置與功能

• ?VDD?：正柵極驅(qū)動電源
• ?VSS?：地返回
• ?HI?：高側(cè)驅(qū)動控制輸入
• ?HO?：高側(cè)柵極驅(qū)動輸出
• ?HS?：高側(cè)MOSFET源極連接
• ?LI?：低側(cè)驅(qū)動控制輸入
• ?LO?：低側(cè)柵極驅(qū)動輸出
• ?HB?：高側(cè)柵極驅(qū)動自舉軌
• ?NC?：無連接
• ?Thermal Pad?：熱墊（用于散熱）

四、電氣特性

• ?供電電壓范圍?：V至V
• ?輸入閾值?：TTL類型閾值
• ?輸出電流?：
  • A版本：A峰值
  • B版本：A峰值
  • C版本：A峰值
• ? 低電平輸出電壓（VOL） ?：
  • A版本：.2V至.5V
  • B版本：.6V至.V
  • C版本：.8V至.5V
• ? 高電平輸出電壓（VOH） ?：接近VDD
• ?傳播延遲?：典型值ns至ns
• ?上升/下降時間?：pF負載時，典型值8ns

五、保護功能

• ?UVLO?：監(jiān)控VDD和HB-HS電壓，確保在電壓足夠時輸出才被激活。

六、典型應用

• 提供了典型應用圖，包括外部元件選擇和布局建議。

七、布局指南

• 推薦使用低ESR和ESL電容器，并盡可能靠近IC放置。
• 為防止高側(cè)MOSFET漏極出現(xiàn)大電壓瞬變，應在MOSFET漏極和地之間連接低ESR電解電容器。
• 最小化高側(cè)MOSFET源極和低側(cè)MOSFET漏極（同步整流器）的寄生電感。

八、文檔與支持

• 提供了接收文檔更新通知、社區(qū)資源、商標、靜電放電警示和術語表的鏈接。