LM5109B 器件是一款高性價(jià)比的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) 同步降壓或半橋中的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET 配置。浮動(dòng)的 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 90 V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過(guò)經(jīng)濟(jì)高效的 TTL 和 CMOS 兼容 input thresholds。堅(jiān)固的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)高速運(yùn)行 同時(shí)功耗低，并提供從控制輸入邏輯到 高端柵極驅(qū)動(dòng)器。低側(cè)和高側(cè)均提供欠壓鎖定 電源軌。該器件采用 8 引腳 SOIC 和熱增強(qiáng)型 8 引腳 WSON 封裝 包。
*附件：lm5109b.pdf

特性

• 驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET
• 1A 峰值輸出電流（1.0A 灌電流和 1.0A 拉電流）
• 輸入兼容獨(dú)立的 TTL 和 CMOS
• 自舉電源電壓至 108V DC
• 快速傳播時(shí)間（典型值為 30 ns）
• 以 15ns 的上升和下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載
• 出色的傳播延遲匹配（典型值為 2 ns）
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 8 引腳 SOIC 和耐熱性能增強(qiáng)型 8 引腳 WSON 封裝

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LMB 是一款高壓、峰值 A 的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器具有高電壓兼容性、快速傳播時(shí)間和低功耗特性，適用于多種電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如電流饋電推挽轉(zhuǎn)換器、半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器、固態(tài)電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及兩開(kāi)關(guān)正向功率轉(zhuǎn)換器等。

二、主要特性

• ?高電壓兼容性?：支持高達(dá) V 的軌電壓，浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠處理高達(dá) V 的 DC 電壓。
• ?峰值 A 輸出電流?：高側(cè)和低側(cè)輸出均具備 A 的峰值源電流和沉電流能力。
• ?快速傳播時(shí)間?：典型值為 ns，確保高效開(kāi)關(guān)操作。
• ?輸入兼容性?：輸入與 TTL 和 CMOS 兼容，提供靈活的接口選項(xiàng)。
• ?低功耗?：內(nèi)置 UVLO（欠壓鎖定）功能，減少不必要的功耗。
• ?熱增強(qiáng)型封裝?：提供 引腳 SOIC 和熱增強(qiáng)型 引腳 WSON 封裝選項(xiàng)，提高熱散性能。

三、引腳配置與功能

• ?VDD?：正門(mén)極驅(qū)動(dòng)電源，需使用低 ESR 和 ESL 電容在 VSS 附近局部解耦。
• ?HI/LI?：高側(cè)/低側(cè)控制輸入，與 TTL 和 CMOS 輸入閾值兼容。
• ?VSS?：地，所有信號(hào)均以此為參考。
• ?LO?：低側(cè)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器輸出，連接到低側(cè) N-MOS 設(shè)備的門(mén)極。
• ?HS?：高側(cè)源連接，連接到自舉電容的負(fù)端和高側(cè) N-MOS 設(shè)備的源極。
• ?HO?：高側(cè)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器輸出，連接到高側(cè) N-MOS 設(shè)備的門(mén)極。
• ?HB?：高側(cè)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器正電源軌，連接到自舉電容的正端。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VDD 為 V 至 V，HB 為 VSS 至 VDD + V。
• ?輸入閾值?：低電平輸入電壓閾值（VIL）為 .V（典型值），高電平輸入電壓閾值（VIH）為 .V（典型值）。
• ?輸出特性?：低電平輸出電壓（VOL/VOLL）典型值為 .V，高電平輸出電壓（VOH/VOHH）典型值為 .V。
• ?傳播延遲?：上下側(cè)開(kāi)啟/關(guān)閉傳播延遲典型值為 ns 至 ns。

五、功能描述

• ?啟動(dòng)與 UVLO?：上下側(cè)驅(qū)動(dòng)器均包含 UVLO 保護(hù)電路，分別監(jiān)測(cè) VDD 和自舉電容電壓。UVLO 電路在供電電壓不足時(shí)禁止輸出，以防止外部 MOSFET 意外導(dǎo)通。
• ?電平移位?：高側(cè)輸入與高側(cè)驅(qū)動(dòng)器級(jí)之間的電平移位電路，允許控制 HO 輸出，該輸出以 HS 為參考，并與低側(cè)驅(qū)動(dòng)器提供出色的延遲匹配。
• ?輸出級(jí)?：輸出級(jí)與功率 MOSFET 的電源軌接口，具有高轉(zhuǎn)換速率、低電阻和高峰值電流能力，以實(shí)現(xiàn)高效的 MOSFET 開(kāi)關(guān)。

六、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：LMB 可用于驅(qū)動(dòng)半橋轉(zhuǎn)換器中的 MOSFET，實(shí)現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換。
• ?設(shè)計(jì)考慮?：包括選擇自舉電容和 VDD 電容、外部自舉二極管及其串聯(lián)電阻、外部門(mén)極驅(qū)動(dòng)器電阻，以及估算驅(qū)動(dòng)器功率損耗等。
• ?布局指南?：強(qiáng)調(diào)低 ESR 和 ESL 電容應(yīng)靠近 IC 放置，以支持高峰值電流，并減少寄生電感以提高電路性能。

七、封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝類型?：提供 引腳 SOIC 和熱增強(qiáng)型 引腳 WSON 封裝選項(xiàng)。
• ?訂購(gòu)信息?：詳細(xì)列出了不同封裝和狀態(tài)的訂購(gòu)代碼，以及相關(guān)的封裝尺寸和帶卷信息。