LM5109 是一款低成本高電壓柵極驅動器，旨在以同步降壓或半橋配置驅動高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET。浮動高壓側驅動器能夠在高達 100V 的電源軌電壓下工作。輸出由 TTL 兼容輸入閾值獨立控制。穩(wěn)健的電平轉換器技術以高速運行，同時功耗低，并提供從控制輸入邏輯到高端柵極驅動器的干凈電平轉換。低壓側和高側電源軌均提供欠壓鎖定功能。該器件采用 SOIC-8 和熱增強型 LLP-8 封裝。
*附件：lm5109.pdf

特性

• 驅動高側和低側 N 溝道 MOSFET
• 1A 峰值輸出電流 （1.0A 灌電流 / 1.0A 拉電流）
• 獨立的 TTL 兼容輸入
• 自舉電源電壓至 118V DC
• 快速傳播時間（典型值為 27 ns）
• 以 15ns 的上升和下降時間驅動 1000 pF 負載
• 出色的傳播延遲匹配（典型值為 2 ns）
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 引腳與 ISL6700 兼容

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LM是一款低成本、高壓柵極驅動器，設計用于驅動同步降壓或半橋配置中的高端和低端N溝道MOSFET。它具備獨立的TTL兼容輸入，可提供高達A的峰值輸出電流。

二、主要特性

• ?高壓驅動能力?：支持高達V（LMA為V）的電源電壓。
• ?高輸出電流?：A峰值輸出電流（.A源/.A漏）。
• ?快速傳播時間?：典型值為ns（LMA為ns）。
• ?獨立TTL輸入?：高端和低端控制輸入均與TTL輸入閾值兼容。
• ?低功耗?：具有欠壓鎖定功能，降低功耗。
• ?熱增強封裝?：提供SOIC-和WSON-（mm x mm）封裝選項。

三、引腳配置與功能

• ?VDD?：正柵極驅動電源，需使用低ESR/ESL電容本地解耦至VSS。
• ?HI?：高端控制輸入，與TTL輸入閾值兼容。
• ?LI?：低端控制輸入，與TTL輸入閾值兼容。
• ?VSS?：地參考，所有信號均以此為參考。
• ?LO?：低端柵極驅動器輸出，連接至低端N-MOS設備的柵極。
• ?HS?：高端源連接，連接至自舉電容的負端和高端N-MOS設備的源極。
• ?HO?：高端柵極驅動器輸出，連接至高端N-MOS設備的柵極。
• ?HB?：高端柵極驅動器正電源軌，連接自舉電容的正端。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VDD為V至V，HB為VHS+V至VHS+V（LMA為VHS+V）。
• ?輸入閾值?：低電平輸入電壓閾值為.V至.V，高電平輸入電壓閾值為.V至.V。
• ?輸出特性?：LO和HO輸出在高電平和低電平時分別具有不同的電壓范圍，峰值拉電流和灌電流均為.A。
• ?傳播延遲?：上下端關斷和開通傳播延遲典型值為ns至ns（LMA為ns至ns）。

五、功能描述

• ?欠壓鎖定?：在VDD和HB電源軌上均提供欠壓鎖定功能，確保在電壓過低時不會損壞設備。
• ?電平移位?：采用穩(wěn)健的電平移位技術，實現(xiàn)高速、低功耗的清潔電平轉換。
• ?獨立控制?：高端和低端輸出獨立控制，允許靈活控制MOSFET的開關時間。

六、應用信息

• ?典型應用?：包括電流饋電推挽轉換器、半橋和全橋功率轉換器、固態(tài)電機驅動器、雙開關正向功率轉換器等。
• ?布局考慮?：強調低ESR/ESL電容的放置、高電流路徑的最小化、接地連接的優(yōu)化等，以實現(xiàn)最佳性能。

七、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：提供SOIC-和WSON-封裝選項。
• ?訂購代碼?：提供了不同封裝和狀態(tài)的訂購代碼選項。