TPS28225-Q1 是一款高速驅(qū)動(dòng)器，適用于具有自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制的 N 溝道互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適用于各種大電流、單相和多相 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。TPS28225-Q1 效率高，解決方案尺寸小，EMI 輻射低。

TPS28225-Q1 器件提供高性能特性，例如 8.8V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓、14ns 自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制、14ns 傳播延遲以及大電流 2A 拉電流和 4A 灌電流驅(qū)動(dòng)功能。較低柵極驅(qū)動(dòng)器的 0.4-Ω 阻抗將功率 MOSFET 的柵極保持在其閾值以下，并確保在高 dV/dt 相節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換時(shí)沒(méi)有擊穿電流。自舉電容器由內(nèi)部二極管充電，允許在半橋配置中使用 N 溝道 MOSFET。
*附件：tps28225-q1.pdf

TPS28225-Q1 采用經(jīng)濟(jì)型 SOIC-8 封裝和熱增強(qiáng)型小尺寸 VSON 封裝。該驅(qū)動(dòng)器的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C，絕對(duì)最高結(jié)溫為 150°C。

特性

• 適用于汽車應(yīng)用
• 驅(qū)動(dòng)兩個(gè)具有 14ns 自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間的 N 溝道 MOSFET
• 寬柵極驅(qū)動(dòng)電壓：4.5 V 至 8.8 V，7 V 至 8 V 時(shí)效率最佳
• 寬電源系統(tǒng)輸入電壓：3 V 至 27 V
• 寬輸入 PWM 信號(hào)：2V 至 13.2V 幅度
• 能夠以每相 ≥40A 的電流驅(qū)動(dòng) MOSFET
• 高頻作：14ns 傳播延遲和 10ns 上升或下降時(shí)間允許 F西 南部高達(dá) 2 MHz
• 能夠傳播 <30ns 輸入 PWM 脈沖
• 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器灌電流導(dǎo)通電阻 （0.4 Ω） 可防止與 dV/dT 相關(guān)的擊穿電流
• 用于功率級(jí)關(guān)斷的三態(tài) PWM 輸入
• 節(jié)省空間的使能（輸入）和電源良好（輸出）信號(hào)位于同一引腳上
• 熱關(guān)斷
• UVLO 保護(hù)
• 內(nèi)部自舉二極管
• 經(jīng)濟(jì)型 SOIC-8 和熱增強(qiáng)型 3mm × 3mm VSON-8 封裝
• 高性能替代流行的三態(tài)輸入驅(qū)動(dòng)器

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?型號(hào)?：TPS5-Q
• ?類型?：汽車級(jí)高頻4-A沉電流同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器
• ?特點(diǎn)?：
  • 專為汽車電子應(yīng)用設(shè)計(jì)
  • 驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N通道MOSFET，具有4-ns自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間
  • 寬柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍：. V至8.8 V，最佳效率在7 V至 V
  • 寬輸入PWM信號(hào)范圍：2 V至3.2 V
  • 高頻操作：傳播延遲 ns，上升/下降時(shí)間 ns，支持高達(dá)2 MHz的開關(guān)頻率
  • 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器沉電阻（0.4 Ω）防止dV/dT相關(guān)的穿透電流
  • 三態(tài)PWM輸入，用于功率級(jí)關(guān)斷
  • 節(jié)省空間的使能（輸入）和電源良好（輸出）信號(hào)共用引腳
  • 熱關(guān)斷和欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)
  • 內(nèi)部自舉二極管
  • 經(jīng)濟(jì)型SOIC-和熱增強(qiáng)型-mm × 3-mm VSON-8封裝

二、應(yīng)用領(lǐng)域

• 多相DC-DC轉(zhuǎn)換器（模擬或數(shù)字控制）
• 隔離點(diǎn)負(fù)載的同步整流
• 無(wú)線充電發(fā)射器

三、引腳配置與功能

• ?UGATE?：高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)源和沉輸出
• ?BOOT?：自舉供電引腳，連接自舉電容
• ?EN/PG?：使能/電源良好輸入-輸出引腳
• ?PWM?：PWM控制輸入
• ?VDD?：電源輸入
• ?GND?：地
• ?LGATE?：低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)源和沉輸出
• ?PHASE?：相位引腳，連接高側(cè)MOSFET的源極和低側(cè)MOSFET的漏極

四、電氣特性

• ?VDD工作范圍?：. V至8.8 V
• ?輸出電流?：
  • UGATE源電流： A
  • UGATE沉電流： A
  • LGATE源電流： A
  • LGATE沉電流： A
• ?傳播延遲?： ns
• ?上升/下降時(shí)間?： ns
• ?死區(qū)時(shí)間?：4 ns

五、保護(hù)功能

• ?UVLO?：欠壓鎖定，當(dāng)VDD電壓低于閾值時(shí)禁用輸出
• ?熱關(guān)斷?：當(dāng)結(jié)溫超過(guò)°C時(shí)關(guān)斷輸出

六、典型應(yīng)用

• 提供了在多相DC-DC轉(zhuǎn)換器、同步整流和無(wú)線充電發(fā)射器中的典型應(yīng)用電路
• 詳細(xì)描述了設(shè)計(jì)要求和設(shè)計(jì)過(guò)程，包括布局指南、寄生電感影響等

七、布局指南

• 推薦將驅(qū)動(dòng)器盡可能靠近MOSFET放置，以最小化寄生電感
• 推薦在VDD和GND之間放置低ESR陶瓷電容器
• 提供了布局示例，展示了如何優(yōu)化PCB布局以提高性能

八、文檔與支持

• 提供了相關(guān)技術(shù)文檔、工具、軟件和社區(qū)資源的鏈接
• 提供了靜電放電警示和術(shù)語(yǔ)表

九、封裝與可訂購(gòu)信息

• 提供SOIC-和VSON-8封裝選項(xiàng)
• 提供了詳細(xì)的封裝尺寸、材料、引腳分配和可訂購(gòu)代碼信息