這是一款高速驅(qū)動(dòng)器，適用于具有自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制功能的 N 溝道互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適用于各種大電流單相和多相 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。這是一種提供高效率、小尺寸和低 EMI 輻射的解決方案。

通過(guò)高達(dá) 8.8V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓、14ns 自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制、14ns 傳播延遲以及大電流 2A 拉電流和 4A 灌電流驅(qū)動(dòng)能力，實(shí)現(xiàn)了這一效率。較低柵極驅(qū)動(dòng)器的 0.4-Ω 阻抗將功率 MOSFET 的柵極保持在其閾值以下，并確保在高 dV/dt 相節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換時(shí)沒(méi)有擊穿電流。由內(nèi)部二極管充電的自舉電容器允許在半橋配置中使用 N 溝道 MOSFET。
*附件：tps28226.pdf

特性

• 以 14ns 自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
• 寬柵極驅(qū)動(dòng)電壓：4.5 V 至 8.8 V，在 7 V 至 8 V 時(shí)效率最佳
• 寬電源系統(tǒng)組輸入電壓：3 V 至 27 V
• 寬輸入 PWM 信號(hào)：2.0V 至 13.2V 幅度
• 能夠以每相 ≥40A 的電流驅(qū)動(dòng) MOSFET
• 高頻作：14ns 傳播延遲和 10ns 上升/下降時(shí)間允許 F 西 南部 – 2兆赫
• 能夠傳播 <30ns 的輸入 PWM 脈沖
• 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器吸收導(dǎo)通電阻 （0.4 Ω） 可防止與 dV/dT 相關(guān)的擊穿電流
• 用于功率級(jí)關(guān)斷的 3 態(tài) PWM 輸入
• 節(jié)省空間的使能（輸入）和電源良好（輸出）信號(hào)位于同一引腳上
• 熱關(guān)斷
• UVLO 保護(hù)
• 內(nèi)部自舉二極管
• 經(jīng)濟(jì)型 SOIC-8 和耐熱性能增強(qiáng)型 3mm x 3mm DFN-8 封裝
• 高性能替代流行的 3 態(tài)輸入驅(qū)動(dòng)器

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

?TPS6?是一款高性能的A同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器，專為高速、高效率的DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。它支持多相位控制，具有寬輸入電壓范圍和自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制功能，適用于桌面和服務(wù)器VRM、筆記本電源適配器、同步整流隔離電源供應(yīng)等多種應(yīng)用。

二、主要特性

• ?雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)?：可同時(shí)驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)兩個(gè)N溝道MOSFET。
• ?高速性能?：ns傳播延遲和ns上升/下降時(shí)間，支持高達(dá)2MHz的開(kāi)關(guān)頻率。
• ?寬輸入范圍?：PWM信號(hào)輸入范圍.V至.V，驅(qū)動(dòng)電壓范圍.V至8.8V，最佳效率點(diǎn)在7V至V。
• ?自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制?：防止dV/dt引起的穿透電流，提升系統(tǒng)效率。
• ?3態(tài)PWM輸入?：支持功率級(jí)關(guān)斷，提高系統(tǒng)可靠性。
• ?熱關(guān)斷和欠壓鎖定保護(hù)?：增強(qiáng)系統(tǒng)安全性和穩(wěn)定性。
• ?經(jīng)濟(jì)封裝?：提供SOIC-8和DFN-兩種封裝選項(xiàng)。

三、引腳配置與功能

• ?BOOT?：自舉電源引腳，為高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)提供電荷。
• ?EN/PG?：使能/電源良好輸入/輸出引腳，控制驅(qū)動(dòng)器的工作狀態(tài)。
• ?GND?：地引腳，所有信號(hào)的參考地。
• ?LGATE?：低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)輸出，連接至低側(cè)功率MOSFET的柵極。
• ?PHASE?：相位引腳，連接至高側(cè)MOSFET的源極和低側(cè)MOSFET的漏極。
• ?PWM?：PWM信號(hào)輸入引腳，控制驅(qū)動(dòng)器的輸出。
• ?UGATE?：高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)輸出，連接至高側(cè)功率MOSFET的柵極。
• ?VDD?：驅(qū)動(dòng)器供電電壓輸入引腳。

四、電氣特性

• ?輸入電壓范圍?：PWM信號(hào)輸入范圍.V至.V，VDD供電電壓范圍4.5V至.V。
• ?輸出電流?：UGATE輸出可達(dá)2A源電流和A沉電流，LGATE輸出可達(dá)4A沉電流。
• ?死區(qū)時(shí)間?：典型值為4ns，確保高側(cè)和低側(cè)MOSFET不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通。
• ?熱關(guān)斷閾值?：結(jié)溫超過(guò)°C時(shí)自動(dòng)關(guān)斷，低于0°C時(shí)恢復(fù)工作。

五、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：多相位DC-DC轉(zhuǎn)換器、VRM、同步整流電路等。
• ?設(shè)計(jì)考慮?：布局時(shí)應(yīng)盡量減小寄生電感，驅(qū)動(dòng)器應(yīng)靠近MOSFET放置，旁路電容應(yīng)靠近VDD引腳。
• ?系統(tǒng)實(shí)例?：提供了單相位POL調(diào)節(jié)器、同步整流驅(qū)動(dòng)電路、多相位同步降壓轉(zhuǎn)換器等系統(tǒng)實(shí)例。

六、封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝選項(xiàng)?：SOIC-和DFN-8兩種封裝。
• ?訂購(gòu)信息?：提供了詳細(xì)的訂購(gòu)代碼和封裝信息。