Navitas半導體公司日前宣布擴展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET，新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對高功率和高可靠性應(yīng)用，展現(xiàn)出卓越的熱性能和快速響應(yīng)能力。

新發(fā)布的650V SiC MOSFET具備出色的功率處理能力和低至20至55毫歐的導通電阻，旨在實現(xiàn)快速的開關(guān)速度和高效能，適應(yīng)人工智能數(shù)據(jù)中心電源、電動汽車充電、能源存儲及太陽能解決方案等多種應(yīng)用場景。

Navitas的GeneSiC產(chǎn)品采用創(chuàng)新的“溝槽輔助平面”技術(shù)，能夠在寬溫度范圍內(nèi)提供卓越的效率和性能。G3F系列的MOSFET在低溫運行時，其殼體溫度比其他SiC產(chǎn)品低25°C，使用壽命更是達到其三倍。

在最新的電源系統(tǒng)參考設(shè)計中，Navitas采用了G3F45MT60L(650V 40毫歐，TOLL)G3F SiC MOSFET，搭配交錯的CCM-TP PFC拓撲，實現(xiàn)了4.5 kW的功率輸出。此外，該4.5 kW解決方案在LLC階段還集成了NV6515(650V，35毫歐，TOLL)GaNSafe?電源集成電路，達成了高達97%的峰值效率，并擁有137 W/inch3的功率密度，成為全球功率密度最高的人工智能電源單元。TOLL封裝中的G3F技術(shù)同樣適用于車載充電器(OBC)、DC-DC轉(zhuǎn)換器，以及功率輸出范圍在6.6至22 kW的電動汽車牽引驅(qū)動系統(tǒng)，特別為400V額定電壓的電池系統(tǒng)設(shè)計。

相比標準的D2PAK-7L封裝，表面貼裝的TOLL封裝在結(jié)到殼體的熱阻(RTH,J-C)方面減少了9%，PCB占用面積縮小30%，高度降低50%，體積減少60%。這一系列優(yōu)化使得高功率密度系統(tǒng)的開發(fā)成為可能，適用于如4.5 kW人工智能解決方案這樣的高端應(yīng)用。

此外，采用約2 nH的最小封裝電感設(shè)計，TOLL封裝在實現(xiàn)卓越快速開關(guān)性能的同時，最小化了動態(tài)損耗。這些創(chuàng)新都標志著Navitas在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的重要進步。