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Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2025-03-27 11:49 ? 次閱讀
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Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布推出其最新的電源半導體技術創(chuàng)新——第4.5代650V E系列電源MOSFET,型號為SiHK050N65E。該產品的推出旨在提升電信、工業(yè)和計算領域的功率轉換效率和功率密度,顯著改善了前代產品的性能。

SiHK050N65E采用了先進的n-channel設計,與之前的MOSFET相比,具備48.2%的導通電阻降低,且其電阻乘以柵極電荷的值降低了65.4%。這一關鍵性能指標(FOM)對于650V MOSFET在電源轉換應用中的表現至關重要。Vishay的MOSFET技術產品組合覆蓋電源轉換過程的每個階段,從高壓輸入到為現代設備供電所需的低壓輸出。

在電源系統架構的早期階段,尤其是在功率因數校正(PFC)電路和后續(xù)的DC/DC轉換模塊中,對更高的效率和功率密度的需求日益增加。SiHK050N65E及其同系列產品正是為滿足這一需求而設計的。其應用領域廣泛,包括服務器、邊緣計算系統、超級計算機、不間斷電源(UPS)、高強度放電(HID)燈、熒光燈鎮(zhèn)流器、通信開關模式電源(SMPS)、太陽能逆變器、焊接設備、感應加熱系統、電動驅動和電池充電器等。

SiHK050N65E基于Vishay的E系列超結技術,能夠在10V下實現典型的導通電阻為0.048Ω,適合超過6kW的高功率應用。同時,該器件的擊穿電壓達到額外的50V,使其可以在200VAC至277VAC的輸入電壓范圍內穩(wěn)定工作,并符合開放計算項目的開放機架V3(ORV3)標準。此外,SiHK050N65E的超低柵極電荷僅為78nC,提供了優(yōu)越的FOM值3.74Ω*nC,這對減少導通和開關損耗至關重要,從而進一步提升系統效率并節(jié)省能源。

為了在硬開關拓撲(如PFC電路和雙開關前饋設計)中優(yōu)化開關性能,SiHK050N65E具備非常低的有效輸出電容值,Co(er)為167pF,Co(tr)為1119pF。其在電阻乘以Co(er)的FOM上達到創(chuàng)紀錄的8.0Ω*pF,最大限度地減少了開關損耗,進一步提升了整體系統效率。該器件以PowerPAK? 10×12封裝形式提供,并配備Kelvin連接以降低柵極噪聲,同時提高dV/dt的抗擾性,確保在苛刻的工作條件下依然表現出色。

SiHK050N65E符合RoHS標準且無鹵素,經過特別設計以承受雪崩模式下的過壓瞬態(tài),100%的UIS測試確保了其耐用性和可靠性。作為Vishay第4.5代650V E系列的最新成員,SiHK050N65E標志著高性能MOSFET解決方案在下一代電源轉換應用中的重要進展,期待其在各類高效能應用中的廣泛部署。

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