近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200V SOT-227 MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封裝設(shè)計(jì)，具備更快的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于太陽能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電以及高效服務(wù)器電源等高性能電力電子應(yīng)用。

SemiQ此次發(fā)布的SiC MOSFET模塊采用優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì)，相比前代產(chǎn)品，芯片尺寸更小，但性能顯著提升。新模塊的導(dǎo)通電阻(RDS(on))覆蓋8.4mΩ至80mΩ，其中GCMX040C120S1-E1模塊的開關(guān)時(shí)間僅為67納秒，大幅降低了開關(guān)損耗，提升了系統(tǒng)整體效率。

目前，該系列包含六款核心產(chǎn)品：GCMS008C120S1-E1、GCMX008C120S1-E1、GCMS016C120S1-E1、GCMX016C120S1-E1、GCMS040C120S1-E1和GCMX040C120S1-E1。此外，SemiQ還推出了兩款80mΩ導(dǎo)通電阻的模塊(GCMS080C120S1-E1和GCMX080C120S1-E1)，進(jìn)一步擴(kuò)展了產(chǎn)品組合，以滿足不同功率等級(jí)的應(yīng)用需求。

該系列模塊集成了肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)，即使在高溫環(huán)境下也能保持優(yōu)異的開關(guān)損耗性能。通過優(yōu)化設(shè)計(jì)，模塊的導(dǎo)通能量損耗極低，適用于高功率密度應(yīng)用。

為確保產(chǎn)品在嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠性，SemiQ對(duì)所有模塊進(jìn)行了嚴(yán)格的晶圓級(jí)柵極氧化物老化篩選，并進(jìn)行了超過1400V的電壓測(cè)試。此外，模塊的雪崩魯棒性表現(xiàn)優(yōu)異，部分型號(hào)的雪崩能量耐受能力高達(dá)800mJ(RDS(on)=8.4mΩ或16.5mΩ時(shí))。

新模塊采用高熱性能封裝設(shè)計(jì)，結(jié)殼熱阻低至0.23°C/W(RDS(on)=8.4mΩ)，并配備隔離背板，可直接安裝散熱器，確保高效散熱。模塊還通過了4kVAC電氣隔離測(cè)試，滿足工業(yè)級(jí)應(yīng)用的安全要求。

QSiC 1200V MOSFET系列支持-55°C至175°C的寬溫度范圍，柵源工作電壓為-4.5V至+18V(最大±22V)，功耗能力根據(jù)型號(hào)不同可達(dá)183W至536W。在電氣性能方面，模塊的零柵壓漏電流僅100nA，柵源漏電流低至10nA，開關(guān)速度最快的型號(hào)可實(shí)現(xiàn)13ns的開啟延遲和7ns的上升時(shí)間，非常適合高頻高效應(yīng)用。

憑借超快開關(guān)速度、低損耗和高熱管理能力，SemiQ的新一代SiC MOSFET模塊有望在新能源、電動(dòng)汽車充電、數(shù)據(jù)中心電源等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，助力電力電子系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高能效和更緊湊的設(shè)計(jì)。