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Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

安世半導(dǎo)體 ? 來源:安世半導(dǎo)體 ? 2025-03-21 10:11 ? 次閱讀

Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色,采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊,尺寸僅為14 mm ×18.5 mm,巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術(shù)的高效散熱能力,確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準(zhǔn)滿足了眾多高功率(工業(yè))應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長的需求,該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢,得以實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能表現(xiàn)。這些器件在電池儲(chǔ)能系統(tǒng)(BESS)、光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及不間斷電源(UPS)等工業(yè)應(yīng)用場景中表現(xiàn)卓越。此外,在包括充電樁在內(nèi)的電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域同樣能發(fā)揮出眾效能。

X.PAK封裝允許將散熱器直接連接至引線框架,進(jìn)一步提升了Nexperia SiC MOSFET的散熱性能,實(shí)現(xiàn)從外殼頂部高效散熱。這一設(shè)計(jì)有效降低了通過PCB散熱所帶來的負(fù)面影響。同時(shí),Nexperia的X.PAK封裝使表面貼裝組件具備低電感特性,并支持自動(dòng)化電路板封裝流程。

新款X.PAK封裝器件具備Nexperia SiC MOSFET一貫的優(yōu)異品質(zhì)因數(shù)(FoM)。其中,RDS(on)作為關(guān)鍵參數(shù),對導(dǎo)通損耗影響顯著。然而,許多制造商往往僅關(guān)注該參數(shù)(常溫)的標(biāo)稱值,卻忽略了一個(gè)事實(shí),即隨著器件工作溫度的升高,標(biāo)稱值可能會(huì)增加100%以上,從而造成相當(dāng)大的導(dǎo)通損耗。與之不同,Nexperia SiC MOSFET展現(xiàn)出出色的溫度穩(wěn)定性,在25℃至175℃的工作溫度區(qū)間內(nèi),RDS(on)的標(biāo)稱值僅增加38%。

Nexperia SiC分立器件和模塊資深總監(jiān)兼負(fù)責(zé)人Katrin Feurle表示:我們推出采用X.PAK封裝的SiC MOSFET,標(biāo)志著在高功率應(yīng)用散熱管理與功率密度方面取得重要突破?;诖饲俺晒ν瞥龅腡O-247和SMD D2PAK-7封裝分立式SiC MOSFET器件,我們研發(fā)了這款新型頂部散熱的產(chǎn)品方案。這充分彰顯了Nexperia致力于為客戶提供先進(jìn)、靈活的產(chǎn)品組合,以滿足其不斷進(jìn)化的設(shè)計(jì)需求的堅(jiān)定承諾。

首批產(chǎn)品組合涵蓋RDS(on)值為30、40、60 mΩ的型號(hào)(NSF030120T2A0、NSF040120T2A1、NSF060120T2A0),并計(jì)劃于2025年4月推出一款17 mΩ產(chǎn)品。2025年后續(xù)還將推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的X.PAK封裝SiC MOSFET產(chǎn)品系列,以及80 mΩ等更多RDS(on)等級(jí)的產(chǎn)品。

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

Nexperia(安世半導(dǎo)體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司,目前在歐洲、亞洲和美國共有12,500多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動(dòng)和消費(fèi)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,幾乎為世界上所有電子設(shè)計(jì)的基本功能提供支持。

Nexperia(安世半導(dǎo)體)為全球客戶提供服務(wù),每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業(yè)基準(zhǔn),獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia(安世半導(dǎo)體)擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴(kuò)充的產(chǎn)品范圍,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅(jiān)定承諾。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:新品快訊 | Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET

文章出處:【微信號(hào):Nexperia_China,微信公眾號(hào):安世半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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