據(jù)日本經(jīng)濟新聞報道，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省和荷蘭經(jīng)濟和氣候政策省于6月21日簽署了促進半導體領域等合作的合作備忘錄（MOC: Memorandum of Cooperation）。

根據(jù)備忘錄，日本晶圓代工商Rapidus和荷蘭***巨頭ASML將共同推進2納米工藝的量產(chǎn)，并聯(lián)手進行技術開發(fā)。Rapidus計劃利用經(jīng)產(chǎn)省提供的補貼，采購歐洲最先進的EUV光刻設備，該設備是ASML量產(chǎn)尖端半導體工藝所需的關鍵設備。

MOC的要點為以下5項：

1、在保持半導體及光子學等相關技術領域企業(yè)間的現(xiàn)有合作的同時，促進政府、產(chǎn)業(yè)界、研究機構的合作

2、共享關于政策和國際合作狀況的信息

3、探索其他相關領域雙邊計劃的可能性

4、分享Rapidus研發(fā)項目的重要性

5、促進日本LSTC（Leading-edge Semiconductor Technology Center）與荷蘭Competence Centres的合作

在5個要點中，Rapidus的公司名稱被列舉出來，這一點備受矚目。在簽約儀式上，日本經(jīng)產(chǎn)相西村康稔以Rapidus為例，向荷蘭政府說明Rapidus在日本的重要性，并表示期望能進一步獲得EUV***的合作。

Rapidus的目標是在2024年底也從ASML引進日本首款EUV***。然而，全球范圍內EUV***供應短缺，面臨著臺積電、三星、海力士、美光、英特爾等行業(yè)巨頭的競爭。這份合作備忘錄的簽署標志著日本和荷蘭在半導體領域的合作邁出了重要一步。

據(jù)悉，業(yè)內普遍認為，要實現(xiàn)2nm工藝，High NA EUV設備是必須的。與現(xiàn)有EUV設備相比，High NA EUV設備可以繪制出更細微的半導體電路。

對于High NA EUV設備的開發(fā)，ASML計劃2023年開始在公司進行seting作業(yè)并與客戶初步接洽，2025年量產(chǎn)機開始出貨。隨著全球半導體制造廠商全部向ASML下了 High NA EUV設備訂單，預計從大規(guī)模量產(chǎn)開始的2025年起，將展開激烈的競爭。

High NA EUV設備雖然比目前使用的EUV設備價格高，但因能夠一次性實現(xiàn)超細微工藝(單次平移)，從而可大幅提升生產(chǎn)效率。特別是三星電子在3nm工藝量產(chǎn)后，為了量產(chǎn)2nm工藝，也有必要主動確保High NA EUV設備。據(jù)推測，現(xiàn)有的EUV設備價格為2000億至3000億韓元（約10~15億人民幣），而High NA EUV設備價格高達5000億韓元（約25億人民幣）。

審核編輯：劉清