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6月30日云上創(chuàng)新論壇|寬禁帶半導(dǎo)體的測試及應(yīng)用(雙脈沖測試、可靠性測試...)

泰克科技 ? 來源:未知 ? 2023-06-30 08:35 ? 次閱讀
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技術(shù)迭代,驅(qū)動挑戰(zhàn)

用芯智測,啟智未來

立足根本,測試為先

TIF 2023是一個融合性、持續(xù)性的全方位共創(chuàng)交流平臺。

我們邀請半導(dǎo)體,汽車行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者與泰克公司的測試專家匯聚一堂,共同見證新形態(tài)和新生態(tài)下,如何從測試維度及大數(shù)據(jù)來加速新技術(shù)的迭代!

論壇時間:2023年6月29-30日

+

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2023泰克創(chuàng)新論壇

今日分論壇日程安排

會議日程

9:00

-

9:20

開幕致辭

Chris Bohn

Tektronix全球總裁

9:20

-

9:50

主題演講:經(jīng)歷分享|火星與未知生命領(lǐng)域的探索

Jordan P. Evans

NASA航天工程師

9:50

-

10:20

主題演講:探究AI終身學(xué)習(xí)、超圖靈計算和設(shè)備端計算

Hava Siegelmann

馬薩諸塞大學(xué)計算機科學(xué)系教授

10:20

-

10:50

主題演講:自動駕駛未來誰將掌舵?

Chris Gerdes

斯坦福大學(xué)機械工程學(xué) 名譽教授 & 斯坦福汽車研究中心(CARS)聯(lián)合主任

10:50

-

11:20

功率電子市場概況及主要趨勢

Ana Villamor

Yole Group能源電子團隊首席分析師

11:20

-

11:50

雙脈沖測試:智能探測免受連線困擾

Masashi Nogawa

Qorvo高級系統(tǒng)工程師

11:50

-

13:30

午間休閑時刻:參觀泰克古董博物館

13:30

-

14:00

三代半導(dǎo)體可靠性測試方案

孫川

Tektronix資深業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理

14:00

-

14:30

接地環(huán)路的問題成因、影響及對策

Steve Sandler

Picotest創(chuàng)始人兼董事總經(jīng)理

14:45

-

15:45

SiC如何推動電動汽車革命

Dr. Peter Gammond

華威大學(xué)電力電子器件教授

15:45

-

15:50

反饋與抽獎

2023泰克創(chuàng)新論壇

論壇內(nèi)容摘要

寬禁帶半導(dǎo)體的測試和應(yīng)用

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功率電子市場概況及主要趨勢

電動化車輛是過去幾年中促使功率電子領(lǐng)域大量投資的重要推動因素。本次演講將重點關(guān)注系統(tǒng)和器件要求、技術(shù)趨勢、供應(yīng)鏈和預(yù)測,以及直流充電基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用的影響。參與演講,了解功率電子市場的概況和主要趨勢。

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雙脈沖測試:智能探測免受連線困擾

參加本次演講,了解正確測試碳化硅(SiC)器件的技術(shù)。我們將討論創(chuàng)建雙脈沖測試裝置的考慮因素。我們將概述基本設(shè)備、設(shè)置、連接和探針。隨后,我們將探討探針策略的技術(shù)考慮因素。

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三代半導(dǎo)體可靠性測試方案

新型半導(dǎo)體功率器件因為出現(xiàn)時間較短,在可靠性上仍然有諸多問題尚未清晰解決。在工業(yè)領(lǐng)域,電動汽車,航空航天等領(lǐng)域,由于對產(chǎn)品極高的可靠性要求,生產(chǎn)廠商將面臨嚴格的可靠性測試標準。

新型功率器件由于材料和器件結(jié)構(gòu)的改變,傳統(tǒng)硅基器件的可靠性測試方法已經(jīng)不再適用,新的可靠性測試方法,如動態(tài)老化測試,高溫工況測試等芯的標準呼之欲出。泰克與方案合作伙伴合作推出的面向三代半導(dǎo)體的新型可靠性測試測試系統(tǒng),將為客戶解決可靠性測試問題提供新的工具和手段。

(注:本議題為6月29日線下峰會課程回顧)

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接地環(huán)路的問題成因、影響及對策

電源軌噪聲是高速系統(tǒng)中抖動、射頻系統(tǒng)中相位噪聲以及A/D和D/A轉(zhuǎn)換器中噪聲的最主要來源之一。半導(dǎo)體制造商通過不斷改進電源抑制比(PSRR)來應(yīng)對這一問題。

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SiC如何推動電動汽車革命

SiC MOSFET正在取代電動汽車主驅(qū)逆變器中的硅IGBT。盡管目前SiC僅占市場的約5%,但絕大多數(shù)汽車制造商都有SiC逆變器的開發(fā)計劃,預(yù)計十年內(nèi)SiC將成為大多數(shù)新逆變器的主流趨勢。

在本次演講中,我們將討論SiC被稱為高壓、快速開關(guān)和高溫功率半導(dǎo)體的材料特性。與此同時,我們還將關(guān)注目前仍存在的挑戰(zhàn),特別是在SiC供應(yīng)鏈上降低成本方面,創(chuàng)新的襯底市場結(jié)合逐漸提高的制造產(chǎn)量和器件加工,將在未來幾年內(nèi)降低成本。

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欲知更多產(chǎn)品和應(yīng)用詳情,您還可以通過如下方式聯(lián)系我們:

郵箱:china.mktg@tektronix.com

網(wǎng)址:www.tek.com.cn

電話:400-820-5835(周一至周五900)

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將您的靈感變?yōu)楝F(xiàn)實

我們提供專業(yè)的測量洞見信息,旨在幫助您提高績效以及將各種可能性轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實。
泰克設(shè)計和制造能夠幫助您測試和測量各種解決方案,從而突破復(fù)雜性的層層壁壘,加快您的全局創(chuàng)新步伐。我們攜手共進,一定能夠幫助各級工程師更方便、更快速、更準確地創(chuàng)造和實現(xiàn)技術(shù)進步。

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