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霍爾電流傳感器的應(yīng)用及注意事項(xiàng)

電力電子技術(shù)與應(yīng)用 ? 來源:電力電子技術(shù)與應(yīng)用 ? 2023-07-04 09:13 ? 次閱讀
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車規(guī)級(jí)霍爾電流傳感器CH704是為50A以上大電流檢測應(yīng)用開發(fā)的隔離集成式電流傳感芯片,具有高精度、增強(qiáng)絕緣耐壓、高可靠性、低功耗等優(yōu)點(diǎn)。

芯片內(nèi)部集成一個(gè)精密的可編程線性霍爾芯片、一個(gè)小型聚磁環(huán)以及一個(gè)導(dǎo)通電阻為0.1m?的銅排,可實(shí)現(xiàn)+/-50A,+/-100A,+/-150A,+/-200A的電流檢測,并且通過工廠預(yù)編程可測量最大400A的浪涌電流。

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其主要應(yīng)用包括:

? 汽車電子:汽車OBC,DC-DC,EPS電機(jī)

? 工業(yè)控制:不間斷電源(UPS)、焊機(jī)/移動(dòng)通信設(shè)備等電源供電等

? 大功率電機(jī):平衡車/獨(dú)輪車控制器、熱泵/制冰機(jī)等

? 能源:過程控制、蓄電池檢測、能量測量等

我們以CH704為例,講一下霍爾電流傳感器應(yīng)用及注意事項(xiàng):

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外部電路

VCC-GND 旁路電容

建議在VCC 引腳和GND 引腳之間使用0.1 μF (PFC應(yīng)用額外增加一個(gè)1uF)旁路電容器。此電容器應(yīng)盡可能接近實(shí)際CH704 封裝體VCC 管腳的位置。

OUT-GND 解耦電容

建議在OUT 引腳和GND 引腳之間使用1 nF 解耦電容器。此電容器應(yīng)盡可能接近實(shí)際OUT 管腳的位置。

OUT輸出端

對(duì)于PFC 可能存在大量干擾諧波,可以在前端增加有源濾波器/RC低通濾波電路。

OUT端信號(hào)需要長距離傳輸時(shí):

需要增加運(yùn)放實(shí)現(xiàn)信號(hào)跟隨器,增強(qiáng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力,和抗干擾能力。

VCC端:

對(duì)于開關(guān)電源系統(tǒng),上電的第一個(gè)脈沖問題,客戶可以根基實(shí)際情況增加6.0V穩(wěn)壓二極管.

上電時(shí)間與OC

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電流信號(hào)幅度90%-Vout幅度90% 時(shí)間差

Power on time : 30us (typ)

1)芯片VCC端上電以后等待3-5倍Power on time后,進(jìn)行電流信號(hào)測量。

2)在考慮OC功能時(shí),OUT端濾波電容不大于4.7nF(6uS),整個(gè)環(huán)路時(shí)間不超過IPM/IGBT的最大過流承受時(shí)間。

3)OUT端解耦電容對(duì)響應(yīng)時(shí)間的影響不可忽略,1nF對(duì)應(yīng)的響應(yīng)時(shí)間預(yù)計(jì)在2uS, 如右圖所示。電容越大,響應(yīng)時(shí)間就越長,PID環(huán)路時(shí)間,OC環(huán)路時(shí)間會(huì)增加。

Layout注意事項(xiàng)

大功率4層沉金板

高功率密度覆銅厚度:2-4盎司

載流:<2A/mm

走線應(yīng)考慮直線控制電感量

適當(dāng)遠(yuǎn)離電容電感---高溫會(huì)降低容值和感量。

降低電感典型值提升測試信號(hào)頻率

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印刷電路板封裝

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原邊覆銅厚度:2盎司

過孔提供更好的導(dǎo)熱,便于波峰焊

需要進(jìn)一步加強(qiáng)絕緣時(shí),可以考慮原副邊挖孔。

Note: 不建議客戶端將引腳、銅牌彎折。

銅排熱量分布

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1)BUS bar 側(cè)焊盤應(yīng)考慮電流密度和散熱。

2)應(yīng)注意盡可能減小所測電流路徑的電感系數(shù)。此外,應(yīng)注意盡可能減小一次通路中任何連接處的瞬變/ 連接電阻

信號(hào)頻率

1)CH704最大帶寬:120Khz

2)對(duì)于客戶端可能存在信號(hào)頻率大于120 kHz的信號(hào)需要測量,此時(shí)傳感器信號(hào)處理環(huán)路會(huì)產(chǎn)生相位滯后和交流電流輸出幅度衰減,此種情況在實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)盡可能避免。

3)對(duì)于瞬變電流信號(hào),CH704響應(yīng)時(shí)間約為2 μs(OUT-GND電容1nF)。對(duì)于更高響應(yīng)要求的應(yīng)用需要注意。

4)對(duì)于OUT信號(hào)上存在高于改頻率的瞬時(shí)脈沖波或來自VCC端串入。

5)鑒于CH704的特殊框架設(shè)計(jì),對(duì)外部磁場不敏感,同時(shí)最大程度的提升了交流信號(hào)的頻率響應(yīng),同時(shí)也降低了渦流損耗。

CH704量程與發(fā)熱

? 1) CH704 規(guī)格量程:±50A, ±100A, ±150A, ±200A

? 2) 對(duì)于高于上述量程的要求:比如±300A量程需要特性申請。

? 3)100A及以上量程的產(chǎn)品,環(huán)境溫度25℃,原邊最大持續(xù)電流建議控制在100A 以內(nèi),最大電流峰值控制在對(duì)應(yīng)的量程內(nèi)即可,50A量程的產(chǎn)品原邊電流超過50A以后會(huì)進(jìn)入飽和區(qū)。

? 4)需要更大持續(xù)電流>100A需要額外散熱裝置輔助:風(fēng)冷、鋁基板、水冷,或者多種措施聯(lián)合使用。

? 5)評(píng)估電流發(fā)熱

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一次電流通路終端溫度可用來預(yù)測封裝內(nèi)的晶片溫度。如圖所示,接近封裝外殼的一次電流通路終端兩側(cè)的溫度幾乎與封裝內(nèi)及電流通路橋接器處的溫度相同。封裝內(nèi)晶片溫度將比此溫度低將近1°C。為測量封裝內(nèi)的溫度,在右下圖的每個(gè)位置焊接一個(gè)熱電偶。那么,減去1°C就是晶片溫度的一個(gè)很好的預(yù)估值。

審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:霍爾電流傳感器應(yīng)用及注意事項(xiàng)

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