三星：2030年3D NAND將進入1000層以上
最近，三星存儲業(yè)務高管在電子工程師協(xié)會2023年夏季會議上透露，他們預計到2030年，V-NAND閃存技術可以實現(xiàn)超過1000層的堆疊。目前，三星、美光、SK海力士等存儲巨頭已經(jīng)將3D NAND閃存的層數(shù)提升至200層以上，因此對于閃存層數(shù)的競爭也變得越來越激烈。
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達到280層；而第十代3D NAND計劃跳過300層區(qū)間，直接推出430層的閃存，預計在2025-2026年推出。
早在2007年，當2D NAND閃存達到其極限時，東芝率先提出了3D NAND的概念。而2013年，三星首次推出了被稱為“V-NAND”的3D NAND閃存技術。
最初的三星V-NAND芯片每個單元的容量為128Gb（16GB），通過3D堆疊技術最多可以堆疊24層芯片，這意味著24層的V-NAND總容量可達384GB。
三星此次提到的未來1000層閃存引發(fā)了存儲巨頭之間在3D NAND時代的技術競爭。未來，NAND閃存的堆疊層數(shù)將像摩天大樓一樣越來越高。三星高管表示，V-NAND的出現(xiàn)延續(xù)了NAND閃存的發(fā)展歷程，也是韓國在創(chuàng)造技術和生態(tài)系統(tǒng)方面獲得成功的一個案例之一。
編輯：黃飛
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
閃存
+關注
關注
16文章
1845瀏覽量
116010 -
NAND
+關注
關注
16文章
1722瀏覽量
138178 -
3D
+關注
關注
9文章
2959瀏覽量
110827 -
三星
+關注
關注
1文章
1699瀏覽量
32752
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組?；厥?b class='flag-5'>三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HB
發(fā)表于 04-18 10:52
三星西安NAND閃存工廠將建第九代產(chǎn)線
近日，據(jù)韓媒報道，三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進技術升級與產(chǎn)能擴張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技
三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量
近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護自身盈利能力而采取的重要措施。 當前，全球NAND
三星削減中國西安NAND閃存產(chǎn)量應對市場變化
近日，三星電子宣布將對其在中國西安的NAND閃存工廠實施減產(chǎn)措施，以應對全球NAND市場供過于求的現(xiàn)狀及預期的價格下滑趨勢。據(jù)《朝鮮日報》報道，三星決定將該工廠的晶圓投入量削減超過10
3D NAND的發(fā)展方向是500到1000層
芯片行業(yè)正在努力在未來幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍，從 200 層增加到 800 層或更多，利用額外的容量將有助于滿足對
【半導體存儲】關于NAND Flash的一些小知識
NAND只需要提高堆棧層數(shù)，目前多種工藝架構并存。從2013年三星推出了第一款24層SLC/MLC 3D V-
發(fā)表于 12-17 17:34
三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量
近日，據(jù)相關報道，三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領域取得了重要技術突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉，三星已經(jīng)制定了未來NAND
三星MLC NAND閃存或面臨停產(chǎn)傳聞
近日，業(yè)界傳出消息稱，三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給，并計劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場銷售該類產(chǎn)品，而到了2025年6月
MLC NAND產(chǎn)能或遭削減？三星否認停產(chǎn)傳聞
近日，業(yè)界傳出消息，MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給將大幅削減，其中三星電子被指將調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場傳言，三星計劃在2024
三星與鎧俠計劃減產(chǎn)NAND閃存
近日，據(jù)供應鏈消息，三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對NAND閃存進行減產(chǎn)，并預計根據(jù)市場狀況分階段實施。
三星電子量產(chǎn)1TB QLC第九代V-NAND
三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標志著三星在存儲技術領域的持續(xù)領先，也預示著
三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試
近日，有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應，明確表示該報道并不屬實。
三星2億像素3層堆棧式傳感器即將問世
據(jù)悉，三星即將發(fā)布一款3層堆疊式晶體管傳感器（2層模擬電路+1層數(shù)字電路），預計分為200MP（1/1.56"）、64MP（1/2.76"）
工商網(wǎng)監(jiān)
評論