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AMAZINGIC晶焱科技考慮寄生電容的高速接口中的TVS選擇以及方案應(yīng)用

KOYUELEC光與電子 ? 來(lái)源:KOYUELEC光與電子 ? 作者:KOYUELEC光與電子 ? 2023-07-05 09:28 ? 次閱讀
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AMAZINGIC晶焱科技考慮寄生電容的高速接口中的TVS選擇以及方案應(yīng)用由授權(quán)一級(jí)代理分銷(xiāo)KOYUELEC光與電子0755-82574660,82542001為ODM研發(fā)設(shè)計(jì)工程師提供技術(shù)選型和方案應(yīng)用支持。

摘要:

TVS的選擇與其保護(hù)的應(yīng)用接口息息相關(guān),除了TVS的操作電壓必須大于或等于保護(hù)線(xiàn)的操作電壓之外,若是應(yīng)用在高速的傳輸接口保護(hù)上,TVS的寄生電容值也必須加入考慮,否則可能會(huì)影響訊號(hào)完整性(Signal Integrity),造成訊號(hào)傳輸波形的失真,無(wú)法判讀。但相反的,也有少數(shù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師因過(guò)度追求訊號(hào)完整度,而在訊號(hào)線(xiàn)要求過(guò)低電容值的TVS,造成可選擇的防護(hù)組件方案鉗位電壓 (clamping voltage) 過(guò)高,如此可能?chē)?yán)重影響TVS防護(hù)系統(tǒng)的效果,不符合防護(hù)設(shè)計(jì)方案的初衷。

本文將針對(duì)高速接口的傳輸速度說(shuō)明TVS的選擇方案,并且透過(guò)反射損耗來(lái)估計(jì)高速訊號(hào)的最大容許電容值,避免設(shè)計(jì)工程師挑選過(guò)小或過(guò)大電容值的防護(hù)方案。

寄生電容對(duì)于高速訊號(hào)的失真影響

如下圖一表示,訊號(hào)在線(xiàn)對(duì)地電容的大小會(huì)造成訊號(hào)的上升與下降時(shí)間變慢,進(jìn)而造成訊號(hào)的波形失真,對(duì)地電容越大則會(huì)使上升與下降時(shí)間越慢,如下式一、二。當(dāng)訊號(hào)的失真程度大過(guò)IC可以辨別的閥值情況,則有誤碼的情況產(chǎn)生。因此在高寄生電容的情況下,要解決誤碼情況則需要增長(zhǎng)Bit Time使得訊號(hào)有足夠時(shí)間上升或下降至判斷閥值區(qū),進(jìn)而造成訊號(hào)傳輸速度變慢。

For Rising State: V(t)=V_0 (1-e^(-t/RC)) 式一

For Falling State: V(t)=V_0 (e^(-t/RC)) 式二

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Fig. 1 電容對(duì)于訊號(hào)的失真影響

然而從時(shí)域的波形中較難量化電容值的大小將造成多嚴(yán)重的訊號(hào)失真,因此在高速數(shù)字訊號(hào)或射頻線(xiàn)路的設(shè)計(jì)中,會(huì)透過(guò)FFT (Fast Fourier Transform) 將時(shí)域轉(zhuǎn)換為頻域來(lái)做表示,即S參數(shù)(S-Parameter),如: S11 Return Loss(反射損失)與S21 Insertion Loss(插入損失)。

高頻訊號(hào)衰減與電容考慮

S11 Return Loss (反射損失) 描述當(dāng)傳輸線(xiàn)兩端阻抗不匹配時(shí),電磁波在兩接口間產(chǎn)生反射,而反射波與入射波功率的功率比值即Return Loss。TVS在電路上的應(yīng)用需與終端阻抗并聯(lián)到地,故會(huì)增加電容性負(fù)載,使得阻抗發(fā)生變化。

首先,假設(shè)單端傳輸線(xiàn)特征阻抗為50 Ohm且為理想正弦波,普遍射頻工程上以S11小于 -10dB來(lái)判別是否阻抗匹配,當(dāng)S11小于 -10dB時(shí),代表入射功率可以傳送超過(guò)90%至負(fù)載端。接著計(jì)算不同操作頻率下的等效電容值,我們就可以得到圖二中的紅色線(xiàn),藉此來(lái)判斷不同速度的高速接口,其TVS的寄生電容值選擇上限。

wKgZomSj9ZOAUs90AADP-60ZDpM675.png

Fig. 2 不同反射損耗條件下要求的電容負(fù)載容許度

USB4為例,其單一條Tx/Rx的最高傳輸速度可達(dá)20 Gbps,操作頻率可等效為10 GHz的基頻,因此從圖二中可以觀察到,一條高速在線(xiàn)在S11= -10 dB的情況下,最大可容許約0.29 pF的寄生電容。此外,亦可采用類(lèi)似的方法針對(duì)S21 Insertion Loss (插入損失) 進(jìn)行 TVS 的電容評(píng)估,不論采用 S11 或 S21 的評(píng)估結(jié)果是相等的,因?yàn)閷?duì)于對(duì)地電容造成的反射波功率即插入的功率損耗 (S21)。然而不同的傳輸接口,訊號(hào)衰減忍受程度都不同,各個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)可以留給 TVS 的余量也不同,最后我們可以從各傳輸接口的眼圖條件(訊號(hào)衰減程度)來(lái)判別TVS應(yīng)該容許的寄生電容大小。

晶焱科技的高速接口ESD解決方案

晶焱科技擁有業(yè)界規(guī)格最高也最完整的高速接口ESD解決方案,USB、HDMI、LAN Port對(duì)應(yīng)的解決方案應(yīng)有盡有,可參考下表一。AZ5B9S-01F僅有0.18pF的寄生電容,在相同DFN0603的封裝大小,提供業(yè)界最低的4.6V鉗制電壓,是保護(hù)USB4 Re-timer/Controller的最佳選擇。晶焱在市場(chǎng)多年的耕耘,與客戶(hù)的密切合作令晶焱的產(chǎn)品與市場(chǎng)完美接軌,幫助客戶(hù)解決ESD的同時(shí),更保證了高速接口的訊號(hào)質(zhì)量。

Interface
Amazing Solution
Capacitance (Typ.)
Clamping Voltage at ESD 8kV
USB2.0 (D+/D-)
AZC399-04S
1.4 pF
9V
USB3.0 (Tx/Rx)
AZ1143-04F
0.45 pF
9V
USB3.2 (Tx/Rx)
AZ176S-04F
0.29 pF
4.3V
USB4 (Tx/Rx)
AZ5B9S-01F
0.18 pF
4.6V
HDMI1.4 (TMDS)
AZ1143-04F
0.45 pF
9V
HDMI2.0 (TMDS)
AZ1143-04F
0.45 pF
9V
HDMI2.1 (TMDS/FRL)
AZ1123-04F
0.2 pF
10V
Display Port 1.4
AZ1143-04F
0.45 pF
9V
Display Port 2.0
AZ1123-04F
0.2 pF
10V
LAN 100M/1000M/2.5G
AZ1513-04S
AZ3133-08F
2.0 pF
1.7 pF
7.5V
12.5V
LAN 5G/10G
AZ1123-04F
AZ5B0S-01F
0.2 pF
0.18 pF
10V
5.5V
PCIE Gen4/Gen5
AZ5B9S-01F
0.18 pF
4.6V

Table 1. 晶焱科技提供的ESD解決方案

審核編輯:湯梓紅

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