運(yùn)放常用基本參數(shù)，如下：

※輸入失調(diào)電壓（InputOffset Voltage）Vos

※輸入失調(diào)電壓的溫漂（OffsetVoltage Drift）Drift

※輸入偏執(zhí)電流（InputBias Current）Ib

※輸入失調(diào)電流（InputOffset Current）Ios

※共模電壓輸入范圍（InputCommon-Mode Voltage Range）Vcm

※輸出動(dòng)態(tài)范圍特性（OutputCharacteristics）

※壓擺率（SlewRate）SR

※增益帶寬積（GainBandwidth Product）GBP

※開(kāi)環(huán)增益（Open-LoopVoltage Gain）Aol

※共模信號(hào)抑制比（CommonMode Rejection）

※電源紋波抑制比（SupplyVoltage Rejection）

※噪聲密度（NoiseDensity)

實(shí)際運(yùn)放參數(shù)有很多種，這里只是列出來(lái)我們通常普遍用到的參數(shù)。

下面是輸入特性

1.1 、輸入失調(diào)電壓（ InputOffset Voltage **）**Vos

將運(yùn)放的兩個(gè)輸入端接地，理想運(yùn)放輸出為零，但實(shí)際運(yùn)放輸出不為零。將輸出電壓除以增益得到的等效輸入電壓稱為輸入失調(diào)電壓。

一般定義為運(yùn)放輸出為零時(shí)，兩個(gè)輸入端之間所加的補(bǔ)償電壓。該值反映了運(yùn)放內(nèi)部電路的對(duì)稱性，對(duì)稱性越好，輸入失調(diào)電壓越小。

高精度運(yùn)放，內(nèi)部補(bǔ)償電路做的好,對(duì)稱性好，相對(duì)來(lái)說(shuō)就貴。

** Vos** （輸入失調(diào)電壓）越小，芯片價(jià)格就越貴。

那么我們是根據(jù)我們信號(hào)的特性來(lái)選擇我們的運(yùn)放，不一定所有的使用運(yùn)放的地方都用高精度運(yùn)放，要考慮到我們產(chǎn)品性價(jià)比，成本需要廉價(jià)。

下圖是，運(yùn)放的Vos參數(shù)圖表:

一般給出一個(gè)典型值（常溫下25℃），然后給出一個(gè)全溫度的范圍值。

一般來(lái)說(shuō)我們做設(shè)計(jì)時(shí)我們要考慮的都是最大值（Max），并且是全溫度的最大值，因?yàn)槲覀儾荒鼙ＷC我們的產(chǎn)品工作在什么溫度下并且全溫度下已經(jīng)考慮了溫漂的影響。

Vos是離散分布的，不同的個(gè)體，它的分布屬于高斯分布（正態(tài)分布）的一個(gè)狀態(tài)下。針對(duì)某一個(gè)芯片呢，它的Vos是固定的（同溫度下），這個(gè)固定也是相對(duì)的，它會(huì)隨著溫度的變化而變化（這個(gè)就是由另一個(gè)參數(shù)體現(xiàn)的--輸入失調(diào)電壓的溫漂）。

1.2 、輸入失調(diào)電壓的溫漂（ OffsetVoltage Drift ）

輸入失調(diào)電壓的溫漂又叫溫度系數(shù)TCVOS，一般為數(shù)uV/C輸入失調(diào)電壓的溫度漂移（簡(jiǎn)稱輸入失調(diào)電壓的溫漂）aVIO：定義為在給定的溫度范圍內(nèi)，輸入失調(diào)電壓的變化與溫度變化的比值。

作為輸入失調(diào)電壓的補(bǔ)充，便于計(jì)算在給定的工作范圍內(nèi)，放大電路由于溫度變化造成的輸入失調(diào)電壓漂移大小。

做的好的高精度運(yùn)放，溫度每升高一度，電壓變化納伏級(jí)別計(jì)算；一般的，溫度每升高一度，電壓升高變化微伏級(jí)別計(jì)算。

下面是一個(gè)運(yùn)放的輸入失調(diào)電壓的溫漂曲線表，如下：

此參數(shù)也有典型值和最大值，那么我們計(jì)算的時(shí)候也按照最大值來(lái)計(jì)算。

1.3 、輸入偏置電流（ InputBias Current ）IB

定義為當(dāng)運(yùn)放的輸出直流電壓為零時(shí)運(yùn)放兩輸入端流進(jìn)或流出直流電流的平均值。

輸入偏置電流對(duì)進(jìn)行高阻信號(hào)放大、積分電路等對(duì)輸入阻抗有要求的地方有較大的影響。輸入偏置電流與制造工藝有一定關(guān)系。

輸入偏置電流對(duì)我們的源信號(hào)有影響，源信號(hào)的輸出阻抗輸出電流會(huì)有一部分進(jìn)入運(yùn)放或者說(shuō)經(jīng)過(guò)運(yùn)放進(jìn)入地回路，這部分就看電流（IB）大小，如果過(guò)大就會(huì)對(duì)源信號(hào)有所影響，相當(dāng)于對(duì)源信號(hào)的一個(gè)分壓，那么我們可以利用一個(gè)電阻來(lái)計(jì)算一下它對(duì)源信號(hào)的一個(gè)影響。

IB的大小主要受制于制造工藝，好的工藝可以做到pA級(jí)別（CMOS），一般的工藝可以做到納安級(jí)別。

那么上面這幅圖呢，我們可以看到，IB是流入地的，Vos是疊加在輸入端的（可能是正或者負(fù)），正的話就是疊加在信號(hào)上，如果是負(fù)的話相當(dāng)于在你的源信號(hào)上減去Vos。

所以呢好多人提到運(yùn)放的時(shí)候都會(huì)問(wèn)，運(yùn)放是否線性。實(shí)際上運(yùn)放是線性的，也就是說(shuō)減去這個(gè)Vos或者疊加這個(gè)Vos之后是線性的。通過(guò)軟件程序我們?nèi)绻馨堰@個(gè)Vos扣除掉，那么可以看到這個(gè)信號(hào)是線性變化的。那么加上Vos其實(shí)呢也是線性變化的，只不過(guò)是在時(shí)間軸上有個(gè)偏移。

上表我們可以看出，常溫下呢，是pA級(jí)別，全文溫度下呢是nA級(jí)別（偏差就比較大了）。也就是說(shuō)這個(gè)參數(shù)受制于溫度，那么我們?cè)谠O(shè)計(jì)的時(shí)候，源信號(hào)阻抗方面我們一定要考慮這個(gè)IB的影響，用這個(gè)IB的最大值來(lái)考慮，也就是你這個(gè)源信號(hào)輸出的帶載能力（輸出的電流）一定要能滿足IB的需要，因?yàn)镮B會(huì)分掉一部分。

1.4 、輸入失調(diào)電流（ InputOffset Current **）**Ios

輸入失調(diào)電流定義為當(dāng)運(yùn)放的輸出電流電壓為零時(shí)，其兩輸入端（同相端IB和反相端IB）偏置電流的差值。輸入失調(diào)電流同樣影響了運(yùn)放內(nèi)部的電路對(duì)稱性，對(duì)稱性好，輸入失調(diào)電流越小。

這個(gè)參數(shù)呢其實(shí)是IB參數(shù)的一個(gè)補(bǔ)充，那其實(shí)通常來(lái)我們也不看它，因?yàn)橥ㄟ^(guò)IB參數(shù)就可以看出來(lái)。

1.5 、共模電壓輸入范圍（ InputCommno-Mode Voltage Range **）**Vcm

運(yùn)放兩輸入端與地間能加的共模電壓的范圍。也就是運(yùn)放的同相端和反相端能夠施加的電壓范圍（輸進(jìn)來(lái)的電壓范圍）。

Vcm“包括”正、負(fù)電源電壓時(shí)為理想特性。

所謂“Railto Rail Input”就是指輸入共模電壓范圍十分接近電源軌，一般可以高于負(fù)電源軌，而稍微低于正電源軌。

通常我們會(huì)聽(tīng)到軌對(duì)軌運(yùn)放，軌對(duì)軌運(yùn)放分軌對(duì)軌輸入和軌對(duì)軌輸出，所謂的軌對(duì)軌就是到電源軌。比如說(shuō)運(yùn)放5V供電，那么你的電源軌就是0和5V。如果你的運(yùn)放供電是-5V、+5V，那你的電源軌就是-5V和5V。

理想情況下呢，軌對(duì)軌運(yùn)放，它能夠包括正負(fù)電源的供電電壓，比如說(shuō)你的供電是5V那么共模電壓范圍就是0-5V之間。

那軌對(duì)軌輸入或輸出，實(shí)際測(cè)量的時(shí)候還是有個(gè)差值存在，并不是真正的等于。剛才我們看到運(yùn)放電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，它內(nèi)部也是MOS管或者場(chǎng)管，如果是MOS管那么你的導(dǎo)通RDS肯定是有的，只要有RDS就會(huì)有壓差，這個(gè)壓差會(huì)根據(jù)運(yùn)放工藝而定，幾個(gè)毫伏到幾十個(gè)毫伏的誤差（這幾十毫伏之內(nèi)我們也就認(rèn)為是等于了）。這個(gè)誤差有些場(chǎng)合還是要關(guān)注的，比如說(shuō)我們單電源供電時(shí)，有些人想讓這個(gè)運(yùn)放在輸入0的時(shí)候，輸出等于0，這是很難做到的（RDS（導(dǎo)通阻抗）在）。

如果應(yīng)用上真的需要輸入0輸出為0的話，最好使用雙電源供電。當(dāng)然現(xiàn)在也有一些運(yùn)放可以做到輸出非常小。

下面是輸出特性

輸出特性中，輸出的高電平、低電平、輸出帶載能力這里放在一起了。一般來(lái)說(shuō)運(yùn)放的帶載能力都不是特別強(qiáng)，但是有些運(yùn)放會(huì)做的很大，會(huì)把驅(qū)動(dòng)能力做到幾百個(gè)毫安；那我們常見(jiàn)的運(yùn)放一般都是30毫安左右。帶載能力越大，不管是原電流還是管電流都會(huì)導(dǎo)致輸出電壓偏移很大。有些運(yùn)放會(huì)運(yùn)用輸出短路電流來(lái)表示，也就是你的輸出直接接地，這個(gè)時(shí)候輸出電流的最大電流，就是表示出來(lái)的短路電流（極限電流）。

1.6 、輸出動(dòng)態(tài)范圍特性（ OutputCharacteristics ）

既輸出電壓范圍，所謂“Railto Rail Output”既軌對(duì)軌輸出，輸出Voh、Vol極為接近供電軌，但無(wú)法等于供電軌，會(huì)有幾十mV的距離，也與負(fù)載有關(guān)。

1.7 、輸出電流特性（ ShortCircuit Limit ）

既運(yùn)放的帶載能力，一般會(huì)給出Sink、Source電流大小，也有運(yùn)放只給出短路時(shí)的極限電流。

上表是輸出特性參數(shù)值（AD855X）

高電平輸出（Ovh）直接掛100K負(fù)載，那么輸出電壓最小值，2.685V，可以看出供電電壓是2.7V的，壓降很小很小。不同的負(fù)載和溫度環(huán)境，會(huì)把這個(gè)高電平拉下來(lái)是不一樣的。

低電平輸出（Ovl）直接掛100K負(fù)載，外運(yùn)放用作比較器或者輸入0的時(shí)候，輸出的最大值有10個(gè)毫伏的差異，也就是說(shuō)不會(huì)真正輸出0，這個(gè)已經(jīng)做的不錯(cuò)了，全溫度下也是10毫伏。

Isc短路情況下的極限電流，10毫安，也是比較小的。輸出帶載能力我們只能看最小值。

Io常溫情況下10毫安，也就是源電流和灌電流就是10毫安。全溫度下是5毫安。

通過(guò)這個(gè)表我們看出，做設(shè)計(jì)時(shí)我們不能指望運(yùn)放能驅(qū)動(dòng)多強(qiáng)的負(fù)載。只能說(shuō)流進(jìn)這個(gè)運(yùn)放多強(qiáng)的電流。

下面是交流特性

1.8 、壓擺率（ SlewRate **）**SR

也叫轉(zhuǎn)換速率；其定義為：運(yùn)放接成閉環(huán)條件下，將一個(gè)大信號(hào)（含階躍信號(hào)）輸入到運(yùn)放的輸入端，從運(yùn)放的輸出端測(cè)運(yùn)放的輸出上升速率。

由于在轉(zhuǎn)換期間，運(yùn)放的輸入級(jí)處于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，所以運(yùn)放的反饋回路不起作用，也就是轉(zhuǎn)換率與閉環(huán)增益無(wú)關(guān)。

信號(hào)從某個(gè)狀態(tài)條變?yōu)榱硪粋€(gè)狀態(tài)的時(shí)候所用的時(shí)間，也就是上升的速率是多少。

在處理交流信號(hào)或者把運(yùn)放當(dāng)比較器的時(shí)候我們會(huì)考慮這個(gè)參數(shù)。

壓擺率越大，對(duì)應(yīng)運(yùn)放的帶寬也就越高。也就是說(shuō)壓擺率與增益帶寬積是相匹配的一個(gè)參數(shù)。增益帶寬積大的（高運(yùn)放）它對(duì)應(yīng)的壓擺率也要很快的，要不然處理頻率比較高的信號(hào)反映不過(guò)來(lái)。上升有一個(gè)上升沿，下降有一個(gè)下降沿，這兩部分就會(huì)消耗掉一部分頻率時(shí)間。

1.9 、增益帶寬積（ GainBandwidth Product **）**GBP

單位增益帶寬定義為，運(yùn)放的閉環(huán)增益為1倍條件下，將一個(gè)恒幅正弦小信號(hào)輸入到運(yùn)放的輸入端，從運(yùn)放的輸出端測(cè)得閉環(huán)電壓增益下降3db（或是相當(dāng)于運(yùn)放輸入信號(hào)的0.707）所對(duì)應(yīng)的信號(hào)頻率。(測(cè)試的時(shí)候輸入恒幅正弦1V1KHz的信號(hào)，我們測(cè)輸出端，當(dāng)輸出端電壓值下降到0.707的時(shí)候，那么運(yùn)放輸入端的頻率就是運(yùn)放的增益帶寬積了，從1KHz逐漸增大，那么輸出端的頻率值在逐漸下降，也就是受制運(yùn)放的增益帶寬積已經(jīng)反應(yīng)不過(guò)來(lái)了，信號(hào)的輸出幅值就會(huì)逐步下降，當(dāng)下降到3db的時(shí)候（0.707時(shí)候），輸入端的頻率就是運(yùn)放增益帶寬積)

這個(gè)是我們處理交流信號(hào)非常重要的一個(gè)參數(shù)，通過(guò)這個(gè)參數(shù)我們來(lái)設(shè)置信號(hào)的單級(jí)放大倍數(shù)（單級(jí)放大倍數(shù)不能太大，如果太大輸出信號(hào)幅值跟增益就不一樣了），實(shí)際上它是增益和輸入信號(hào)的頻率它們兩個(gè)是相關(guān)的，就是輸入信號(hào)的頻率乘以增益那么就受制于GBP這個(gè)參數(shù)，這個(gè)乘積不能大于GBP，這個(gè)乘積實(shí)際上我們?cè)谶\(yùn)用的時(shí)候呢一定要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于GBP。

1.10 、開(kāi)環(huán)增益（ Open-LoopVoltage Gain **）**Aol

定義為當(dāng)運(yùn)放工作于線性區(qū)時(shí)，運(yùn)放輸出電壓于差模輸入電壓的比值

由于差模開(kāi)環(huán)直流電壓增益很大，大多數(shù)運(yùn)放的差模開(kāi)環(huán)直流電壓增益一般在數(shù)萬(wàn)倍或更多，用數(shù)值直接表示不方便比較，所以一般采用分貝方式記錄和比較。

理想運(yùn)放的開(kāi)環(huán)增益為無(wú)窮大，實(shí)際運(yùn)放一般在80dB~150dB。

這個(gè)也是處理交流信號(hào)比較重要的參數(shù)。這個(gè)參數(shù)越大越好，越大那么我們?cè)O(shè)置單級(jí)放大倍數(shù)可以大一些。

常規(guī)的運(yùn)放一般都是在80dB~150dB之間，150dB都很少見(jiàn)，一般都是80dB。

增益設(shè)置在三角形區(qū)域內(nèi)是比較安全的。

1.11 、共模信號(hào)抑制比（ CommonMode Rejection ）

共模抑制比定義為當(dāng)運(yùn)放工作于線性區(qū)時(shí)，運(yùn)放差模增益（AV）與共模增益（AVC）的比值。即在運(yùn)放兩輸入端與地間加相同信號(hào)時(shí)，輸入、輸出間的增益稱為共模電壓增益AVC，則CMRR=AV/AVC

共模抑制比是一個(gè)極為重要的指標(biāo)，它能夠抑制共模輸入的干擾信號(hào)。

這個(gè)參數(shù)我們希望越大越好，值越大，那么運(yùn)放抑制共模干擾就越強(qiáng)。越大越貴。

頻率越高，共模抑制比就越小。

1.12 、電源紋波抑制比（ SupplyVoltage Rejection ）

定義為當(dāng)運(yùn)放工作于線性區(qū)時(shí)，運(yùn)放輸入失調(diào)電壓隨電源電壓的變化比值。即正、負(fù)電源電壓變化時(shí)，該變化量出現(xiàn)在運(yùn)放的輸出中，并將其換算為運(yùn)放輸入的值。

若電源變化△Vs時(shí)等效輸入換算電壓為△Vin則PSRR=△Vs/△Vin

電源電壓抑制比反映了電源變化對(duì)運(yùn)放輸出的影響。

這個(gè)參數(shù)越大越好。這個(gè)值隨頻率越高，那么它的值也就越低。

1.13 、噪聲密度（ NoiseDensity ）

運(yùn)放本身內(nèi)部電路也固有存在的噪聲，分為電壓噪聲和電流噪聲。

通常規(guī)格書(shū)中都以nV/rtHz和pA/rtHz來(lái)表示，也就是與頻率相關(guān)的一個(gè)指標(biāo)。（頻率越低這個(gè)指標(biāo)越高，頻率越高這個(gè)指標(biāo)就越?。?/p>

參數(shù)越小，運(yùn)放自身引入到系統(tǒng)的噪聲也越小。

處理交流信號(hào)，尤其處理音頻信號(hào)時(shí)非常關(guān)注的一個(gè)參數(shù)（選擇這個(gè)參數(shù)小的）。這個(gè)參數(shù)是運(yùn)放本身所固有的參數(shù)。

左邊是電壓噪聲密度，右邊是電流噪聲密度。

那么上面這寫的就是我們運(yùn)放所要關(guān)注的基本參數(shù)，當(dāng)然你要看運(yùn)放規(guī)格書(shū)還有很多參數(shù)，例如輸入阻抗、輸出阻抗、輸入電容等這些參數(shù)（大廠會(huì)提供,不給呢也沒(méi)什么影響）。

2 、極限參數(shù)

※ Supply Voltage（Vs)（供電最大電壓）

※ Input Voltage（共模輸入電壓）

※ Differential Input Voltage（差模輸入電壓）

※ Operating TemperatureRange（工作溫度范圍，這個(gè)溫度是環(huán)境溫度的2倍）

※ Input Current（輸入電流，很多運(yùn)放會(huì)不提供）

※ ESDSusceptibility（靜電等級(jí)，人體靜電放電模式（hbm）和機(jī)器模式放電模式（mm）和芯片自身放電模式（ctm芯片內(nèi)部對(duì)外的放電模式））

這個(gè)是兩份規(guī)格說(shuō)明書(shū)中對(duì)極限參數(shù)的描述。